本实用新型专利技术公开了可控硅失效检测报警装置及系统，包括控制电路以及与控制电路电性连接的检测电路、常闭开关电路；检测电路，用于采样电路中的电流值并传输控制电路；控制电路，用于接收处理检测电路传输的电流值，并获取预设时间内电流值对应的波形状态，根据波形状态确认可控硅为被击穿的失效状态时向常闭开关电路发送控制信号；常闭开关电路，用于在接收到控制电路的控制信号后，控制常闭开关电路断开，切断电路电流。本实用新型专利技术有效的保护电路的安全，防止可控硅短路过流带来的负面影响，提高人员的工作效率，降低事故发生的风险等级。级。级。
【技术实现步骤摘要】
可控硅失效检测报警装置及系统
[0001]本技术涉及电子设备
，尤其涉及可控硅失效检测报警装置及系统。
技术介绍
[0002]随着近些年来，整机对EMC(抗雷击浪涌性能)要求的不断提升，这就催生了需要对关键的电子开关元件——可控硅，进行相应的抗雷击浪涌性能测试。但原来的可控硅在此性能参数上是不进行任何考核，这意味着需要对可控硅采用国标(GB/T 17626.5
‑
1999)测试条件来进行雷击浪涌考核，以此了解可控硅极限的抗雷击能力，以提供给电路设计人员参考使用。
[0003]但目前国标中所要求的测试方案，均为测试整机的方案，没有单独测试可控硅的方案。目前市场主流的可控硅雷击浪涌性能测试方案为：一台雷击浪涌发生器、大功率负载及被测可控硅组成，在测试过程中再由测试人员来及时判断、处理当可控硅受雷击后各种异常变化，进行相应操作。
[0004]同时，现有的可控硅基础雷击浪涌试验方案，只能通过雷击设备产生一个雷击浪涌信号施加到可控硅上。具体在测试可控硅雷击性能过程中，是不具备可控硅失效检测及对雷击设备保护这一功能。
[0005]而目前的基础测试方案，想快速了解可控硅是否受雷击浪涌损坏，并且不影响测试结果准确性及起到保护雷击设备的目的，只能采取人工实时监测方式：即外接检测设备(如示波器、钳形电流表等)，通过人员实时监测设备的读数，以此来判断可控硅是否误导通或者损坏，并且在可控硅损坏的前提下，通过人员手动方式断开雷击设备供电，防止设备短路烧毁雷击设备。
[0006]此外，如果采用已有的漏电保护器，来进行保护工作，由于漏电保护器本身灵敏度太高且抗雷击能力较弱，只要有可控硅误动作情况发生，或者测试的雷击电压过高，漏电保护器就有可能会跳闸断路，甚至失效，根本无法起到有效电路保护及测试功能。
技术实现思路
[0007]本技术针对上述现有的问题的一个或多个，提出可控硅失效检测报警装置及系统以。
[0008]根据本技术第一方面，提供可控硅失效检测报警装置，包括：控制电路以及与所述控制电路电性连接的检测电路、常闭开关电路；
[0009]检测电路，用于采样电路中的电流值并传输控制电路；
[0010]控制电路，用于接收处理所述检测电路传输的电流值，并获取预设时间内电流值对应的波形状态，根据所述波形状态确认可控硅为被击穿的失效状态时向常闭开关电路发送控制信号；
[0011]常闭开关电路，与检测电路电性连接，用于在接收到所述控制电路的控制信号后，控制常闭开关电路断开，切断电路电流。
[0012]在某些可能的设计方式中，还包括报警电路和电源电路，所述电源电路与所述控制电路和报警电路电性连接。报警电路被配置为在接收到控制电路的控制信号后，进行报警提示。
[0013]在某些可能的设计方式中，还包括复位电路，所述复位电路与所述控制电路电性连接。
[0014]在某些可能的设计方式中，所述报警装置还包括第一输入端IN1和第二输入端IN2，所述检测电路采用电流互感器，所述第一输入端IN1通过所述电流互感器的磁环连接至常闭开关电路，第二输入端IN2I与常闭开关电路的另一端连接。
[0015]第二方面，本技术提供可控硅失效检测报警系统，包括：
[0016]上述检测报警装置、雷击设备、被测可控硅以及控压电阻R，
[0017]雷击设备被配置为给检测报警装置提供一个频率和幅值成正弦交变周期的电源信号，以及在电源信号上叠加一个幅值可调的模拟雷击电压和电流的组合波，
[0018]雷击设备的一端通过被测可控硅与检测报警装置中的常闭开关电路电性连接，雷击设备的另一端检测报警装置的输入端电性连接。
[0019]在某些可能的设计方式中，还包括负载限流电路，负载限流电路串联在雷击设备和检测报警装置中的检测电路之间。
[0020]在某些可能的设计方式中，还包括控压电阻R，控压电阻R并联连接在被测可控硅的控制极和阴极两端或控制极和第一阳极的两端，用于确保可控硅处于正常有效的关断状态。
[0021]第三方面，此外还提供可控硅失效检测报警系统的测验方法，采用上述可控硅失效检测报警系统，包括以下步骤：
[0022]利用雷击设备输出一个有效的交流电源信号；
[0023]利用雷击设备模拟输出一个用于测验的电压波叠加到交流电源信号上，并施加至被测可控硅的阴极和阳极或第一阳极和第二阳极；
[0024]获取流过被测可控硅的电流状态；
[0025]根据流过被测可控硅的电流状态控制常闭开关电路的通断以及确认是否进行报警提示。
[0026]在某些可能的设计方式中，检测报警装置根据被测可控硅的状态控制常闭开关电路的通断以及确认是否进行报警提示，具体包括：
[0027]检测到被测可控硅只在对应雷击设备进行雷击时产生一个对应的感应电流，其它时间无电流流过，常闭开关电路不切断电路且不进行报警提示；
[0028]检测到被测可控硅在对应雷击设备进行雷击时被雷击电压导通，但至下一个交流电源信号的零点位置关断，即可控硅导通时长小于预设时长，常闭开关电路不切断电路且不进行报警提示；
[0029]检测到被测可控硅在对应雷击设备进行雷击时被雷击电压击穿导通，且处于一直导通状态，导通时间大于预设时间，所述检测报警装置的控制常闭开关电路断开，切断电路电流。
[0030]本技术的有益效果是：
[0031]本技术提供的可控硅失效检测报警装置，通过一个隔离的电流互感器把较大
的短路电流转换成微小电流，并发送到控制电路进行识别，控制电路接收处理检测电路传输的电流值，并获取预设时间内电流值对应的波形状态，根据波形状态确认可控硅为被击穿的失效状态时向常闭开关电路发送控制信号，常闭开关电路在接收到控制电路的控制信号后，控制常闭开关电路断开，切断电路电流并报警。由此，有效的保护电路的安全，防止可控硅短路过流带来的负面影响(如过流引起已经失效可控硅二次爆炸、损坏雷击测试设备等)，提高人员的工作效率，降低事故发生的风险等级。
附图说明
[0032]图1为可控硅失效检测报警装置的原理结构示意图；
[0033]图2为可控硅失效检测报警系统的结构示意图；
[0034]图3为可控硅失效检测报警装置的电路示意图；
[0035]图4为可控硅失效检测报警系统的测验方法的流程图；
[0036]图5为可控硅失效检测报警系统的测验方法的被测可控硅的电流波形示意图。
[0037]通过上述附图，已示出本公开明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本公开构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本公开的概念。
具体实施方式
[0038]下面结合附图对申请技术方案作进一步详细说明。
[0039]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.可控硅失效检测报警装置，其特征在于，包括：控制电路(1)以及与所述控制电路(1)电性连接的检测电路(2)和常闭开关电路(3)；检测电路(2)，用于采样电路中的电流值并传输控制电路(1)；控制电路(1)，用于接收处理所述检测电路传输的电流值，并获取预设时间内电流值对应的波形状态，根据所述波形状态确认可控硅为被击穿的失效状态时向常闭开关电路(3)发送控制信号；常闭开关电路(3)，与所述检测电路电性连接，用于在接收到所述控制电路(1)的控制信号后，断开常闭开关电路，切断电路电流。2.根据权利要求1所述的可控硅失效检测报警装置，其特征在于，还包括报警电路(4)和电源电路(5)，所述电源电路(5)与所述控制电路(1)和报警电路(4)电性连接，报警电路(4)被配置为在接收到控制电路(1)的控制信号后，进行报警提示。3.根据权利要求1所述的可控硅失效检测报警装置，其特征在于，还包括复位电路(6)，所述复位电路(6)与所述控制电路(1)、常闭开关电路(3)电性连接。4.根据权利要求1所述的可控硅失效检测报警装置，其特征在于，所述报警装置包括第一输入端IN1和...
【专利技术属性】
技术研发人员：张正荣，
申请(专利权)人：江苏捷捷微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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