结电容参数测试电路、测试方法以及测试设备技术

本申请涉及一种结电容参数测试电路、测试方法以及测试设备，其中，该测试电路中，第一隔直电容分别与阻抗测量单元的一端以及被测器件的栅极连接，被测器件测量开关分别与被测器件的源极与漏极连接，第二隔直电容分别与被测器件的源极以及阻抗测量单元的另一端连接；第一隔直电容泄放开关与第一隔直电容并联于阻抗测量单元的一端与被测器件的栅极，第三开关的一端与第一隔直电容连接，另一端接地，第二隔直电容泄放开关与第二隔直电容并联于阻抗测量单元的另一端与被测器件的源极，第五开关的一端与第二隔直电容连接，另一端接地。通过本申请，解决了电容恢复时间长导致的测试效率低的问题，缩短了电容恢复时间，提高了测试效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
结电容参数测试电路、测试方法以及测试设备


[0001]本申请涉及半导体测试
，特别是涉及结电容参数测试电路、测试方法以及测试设备。

技术介绍

[0002]结电容是场效应晶体管(Field Effect Transistor，FET)所具有的一项属性，会极大地影响其开关性能和高频特性。以常见的金属氧化物场效应晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)为例，其结电容指的是栅极与漏极电容(Cgd)、栅极与源极电容(Cgs)以及漏极与源极电容(Cds)。
[0003]目前对于结电容参数的测试电路，在通过直流偏置电压进行测试时，相当于通过充电电路对隔直电容进行充电，因此在测量结束后需要较长的时间来恢复为初始状态，以保护设备以及减小对下一次测试效果的影响，基于此，在MOSFET的量产使用中，十分影响测试效率，因此并不适用于量产环境中。
[0004]针对相关技术中存在电容恢复时间较长，测试效率过低，无法投入于量产使用的问题，目前还没有提出有效的解决方案。

技术实现思路

[0005]在本实施例中提供了一种结电容参数测试电路、测试方法以及测试设备，以解决相关技术中由于测量结束后恢复时间较长的问题。
[0006]第一个方面，在本实施例中提供了一种结电容参数测试电路，其特征在于，所述结电容测试电路包括阻抗测量单元LCR meter、第一隔直电容C1、第二隔直电容C2、第一隔直电容泄放开关K2、第二隔直电容泄放开关K4、被测器件以及被测器件测量开关K1连接：所述阻抗测量单元LCR meter的一端与所述第一隔直电容C1的一端连接，另一端与所述第二隔直电容C2一端连接，所述第一隔直电容C1的另一端与所述被测器件的栅极G连接，所述第二隔直电容的另一端与所述被测器件的源极S连接，所述第一隔直电容C1的两端与第一隔直电容泄放开关K2连接，所述第二隔直电容C2的两端与第二隔直电容泄放开关K4连接，所述被测器件的源极S和漏极D分别与所述被测器件测量开关K1连接。
[0007]在其中一个实施例中，还包括：第三开关K3、第五开关K5、短路电容C3、第六开关K6、充电电阻R3、第七开关K7、第一直流保护电阻R1、第二直流保护电阻R2、直流稳压电源V1、第八开关K8；所述第三开关K3的一端与所述第一隔直电容C1以及所述阻抗测量单元LCR meter的一端连接，另一端接地，所述第五开关K5的一端与所述第二隔直电容C2以及所述阻抗测量单元LCR mete的另一端连接，另一端接地；所述直流稳压电源V1分别与所述第一直流保护电阻R1以及所述第二直流保护电阻R2连接，所述短路电容C3与所述第六开关K6连接，且并联于所述被测器件的漏极D与源极S之间，所述第七开关K7的一端与所述短路电容C3连接，另一端接地，所述第八开关K8的一端与所述充电电阻R3连接，另一端与所述被测器件的漏极D连接，所述充电电阻R3与所述第一直流保护电阻R1并联于所述被测器件的漏极D
与所述直流稳压电源V1之间。
[0008]在另一个实施例中，还包括：第九开关K9、第十开关K10、第十一开关K11；所述第九开关K9的一端与所述被测器件的栅极G连接，另一端与所述第一隔直电容C1连接，所述第十开关K10的一端与所述被测器件的栅极G连接，另一端与所述第二隔直电容C2连接，第十一开关K11的一端与所述被测器件的漏极D连接，另一端与所述第一隔直电容C1连接。
[0009]在其中一个实施例中，还包括：第十二开关K12、第十三开关K13、第十四开关K14；所述第十二开关K12的一端与所述第二隔离电容连接，另一端与所述被测器件的源极S连接，所述第十三开关K13的一端与所述阻抗测量单元LCR meter连接，另一端接地，所述第十四开关K14的一端与所述被测器件的源极S连接，另一端接地。
[0010]第二个方面，在本实施例中提供了一种结电容参数测试电路，还包括第一二极管D1～D8、第二二极管D9～D16、第一瞬态抑制二极管Z1、Z2以及第二瞬态抑制二极管Z3、Z4；所述第一二极管D1～D8的一端与所述阻抗测量单元LCR meter的一端连接，另一端接地，所述第二二极管D9～D16的一端与所述阻抗测量单元LCR meter的另一端连接，另一端接地，所述第一瞬态抑制二极管Z1、Z2的一端与所述阻抗测量单元LCR meter的一端连接，另一端接地，所述第二瞬态抑制二极管Z3、Z4的一端与所述阻抗测量单元LCR meter的另一端连接，另一端接地。
[0011]在其中的一些实施例中，包括如下步骤：控制所述被测器件测量开关K1闭合；基于所述阻抗测量单元LCR meter，对所述被测器件进行测量，获取第一测量结果；控制所述第一隔直电容泄放开关K2以及所述第二隔直电容泄放开关K4闭合。
[0012]在另一些实施例中，包括如下步骤：控制所述第三开关K3、所述第五开关K5、所述第六开关K6、所述第七开关K7、所述第八开关K8闭合；控制所述直流稳压电源V1输出预设阈值电压，当所述被测器件的电压值达到第一测试阈值电压时，控制所述第三开关K3、所述第五开关K5、所述第七开关K7、所述第八开关K8断开；基于所述阻抗测量单元LCR meter，对所述被测器件进行测量，获取第二测量结果；控制所述第三开关K3、第五开关K5、第七开关K7、第八开关K8闭合；控制所述直流稳压电源V1停止输出电压，闭合所述第一隔直电容泄放开关K2以及所述第二隔直电容泄放开关K4。
[0013]在其中的一些实施例中，包括如下步骤：控制所述第三开关K3、所述第五开关K5、所述第十开关K10、所述第十一开关K11、所述第七开关K7、所述第八开关K8闭合；控制所述直流稳压电源V1输出预设阈值电压，当所述被测器件的电压值达到第一测试阈值电压时，控制所述第三开关K3、所述第五开关K5、所述第七开关K7、所述第八开关K8断开；基于所述阻抗测量单元LCR meter，对所述被测器件进行测量，获取第三测量结果；控制所述第三开关K3、第五开关K5、第七开关K7、第八开关K8闭合；控制所述直流稳压电源V1停止输出电压，闭合所述第一隔直电容泄放开关K2以及所述第二隔直电容泄放开关K4。
[0014]在另一些实施例中，包括如下步骤：控制所述第三开关K3、所述第五开关K5、所述第十开关K10、所述第十一开关K11、所述第七开关K7、所述第八开关K8、所述第十三开关K13、所述第十四开关K14闭合；控制所述直流稳压电源V1输出预设阈值电压，当所述被测器件的电压值达到第一测试阈值电压时，控制所述第三开关K3、所述第五开关K5、所述第七开关K7、所述第八开关K8断开；基于所述阻抗测量单元LCR meter，对所述被测器件进行测量，获取第四测量结果；控制所述第三开关K3、所述第五开关K5、所述第七开关K7、所述第八开
关K8闭合；控制所述直流稳压电源V1停止输出电压，闭合所述第一隔直电容泄放开关K2以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结电容参数测试电路，其特征在于，所述结电容测试电路包括阻抗测量单元、第一隔直电容、第二隔直电容、第一隔直电容泄放开关、第二隔直电容泄放开关、被测器件以及被测器件测量开关连接：所述阻抗测量单元的一端与所述第一隔直电容的一端连接，另一端与所述第二隔直电容一端连接，所述第一隔直电容的另一端与所述被测器件的栅极连接，所述第二隔直电容的另一端与所述被测器件的源极连接，所述第一隔直电容的两端与第一隔直电容泄放开关连接，所述第二隔直电容的两端与第二隔直电容泄放开关连接，所述被测器件的源极和漏极分别与所述被测器件测量开关连接。2.根据权利要求1所述的结电容参数测试电路，其特征在于，还包括：第三开关、第五开关、短路电容、第六开关、充电电阻、第七开关、第一直流保护电阻、第二直流保护电阻、直流稳压电源、第八开关；所述第三开关的一端与所述第一隔直电容以及所述阻抗测量单元的一端连接，另一端接地，所述第五开关的一端与所述第二隔直电容以及所述阻抗测量单元的另一端连接，另一端接地；所述直流稳压电源分别与所述第一直流保护电阻以及所述第二直流保护电阻连接，所述短路电容与所述第六开关连接，且并联于所述被测器件的漏极与源极之间，所述第七开关的一端与所述短路电容连接，另一端接地，所述第八开关的一端与所述充电电阻连接，另一端与所述被测器件的漏极连接，所述充电电阻与所述第一直流保护电阻并联于所述被测器件的漏极与所述直流稳压电源之间。3.根据权利要求2所述的结电容参数测试电路，其特征在于，还包括：第九开关、第十开关、第十一开关；所述第九开关的一端与所述被测器件的栅极连接，另一端与所述第一隔直电容连接，所述第十开关的一端与所述被测器件的栅极连接，另一端与所述第二隔直电容连接，第十一开关的一端与所述被测器件的漏极连接，另一端与所述第一隔直电容连接。4.根据权利要求3所述的结电容参数测试电路，其特征在于，还包括：第十二开关、第十三开关、第十四开关；所述第十二开关的一端与所述第二隔离电容连接，另一端与所述被测器件的源极连接，所述第十三开关的一端与所述阻抗测量单元连接，另一端接地，所述第十四开关的一端与所述被测器件的源极连接，另一端接地。5.根据权利要求1至4中任一项所述的结电容参数测试电路，其特征在于，还包括第一二极管、第二二极管、第一瞬态抑制二极管以及第二瞬态抑制二极管；所述第一二极管的一端与所述阻抗测量单元的一端连接，另一端接地，所述第二二极管的一端与所述阻抗测量单元的另一端连接，另一端接地，所述第一瞬态抑制二极管的一端与所述阻抗测量单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿霄雄，钟锋浩，胡江，
申请(专利权)人：杭州长川科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：