带通滤波器制造技术

技术编号:3265518 阅读:190 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种带通滤波器包括介质基片;谐振器电极,设置在介质基片的厚度方向上中间高度处的部分平面上以相对于介质基片的上表面并包括小孔;第一和第二接地电极,在介质基片的厚度方向上分别排列在谐振器电极之上和之下以相对于谐振器基片并有介质层置于其间,从而夹住谐振器电极;输入-输出耦合电极,耦合到谐振器电极;输入-输出端电极,设置在介质基片的外表面上并电连接到输入-输出耦合电极;以及通孔电极,在介质基片的厚度方向上穿过小孔以便不电连接到谐振器电极并电连接到第一和第二接地电极。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
专利
本专利技术涉及例如用于通信设备中从微波到毫米波的波段的带通滤波器,尤其涉及用于根据接地电极和谐振器电极之间的位置关系抑制产生的伪信号的带通滤波器。相关技术描述各种双模的带通滤波器已被用作高频波段中使用的带通滤波器。例如,日本未审查的特许申请公开No.2001-237610中揭示的包含具有小孔的谐振器电极的双模带通滤波器。附图说明图17A是横截面前视图而图17B是平面图,示意地示出该申请中揭示的双模的带通滤波器。双模的带通滤波器101包括介质基片102。谐振器电极103设置在介质基片102内的中间高度处。谐振器电极103包括小孔103a(在谐振器电极103中没有形成电极的区域)。谐振器电极103包括多个非简并(non-degenerate)的谐振模。小孔103a被排列成将谐振模彼此耦合以形成双模的带通滤波器。接地电极104和105分别设置在介质基片102的上表面之下和在下表面之上,从而相对于谐振器电极103。参考图17B,输入-输出耦合电极106和107连接到谐振器电极103。虽然未在图17A中示出,输入-输出耦合电极106和107延伸到谐振器电极103外,并电连接到相应的输入-输出端电极(未示出)。通常,在诸如双模带通滤波器101的带通滤波器中,其中所述带通滤波器101包括设置在谐振器电极之上和之下并有介质基片的介质层置于其间的接地电极,接地电极也设置在介质基片102的侧表面上。因此,接地电极形成波导管,即谐振器电极103设置在波导管中。采用这种结构,仅根据波导管的形状产生谐振。结果,包括接地电极并类似于波导管的这种结构大于谐振器电极103。由接地电极引起的基本谐振以小于谐振器电极103的谐振频率的频率产生,且较高模式谐振循序地在与谐振器电极103引起的谐振模交迭位置处产生。由接地电极引起的这种谐振产生双模带通滤波器101中不需要的伪信号,从而不能实现良好的传输特性。专利技术概述为了克服上述问题,本专利技术的较佳实施例提供一种带通滤波器,它阻止由接地电极的谐振引起的不需要的伪信号以达到良好的传输特性。根据本专利技术的较佳实施例,带通滤波器包括介质基片、谐振器电极、第一和第二接地电极、输入-输出耦合电极、输入-输出端电极以及通孔电极。谐振器电极设置在介质基片厚度方向上中间高度处的部分平面处,从而相对于介质基片的上表面,还包括小孔。第一和第二接地电极分别在介质基片的厚度方向上排列在谐振器电极之上和之下,从而相对于谐振器电极并有介质层置于其间,以便夹住谐振器电极。输入-输出耦合电极耦合到谐振器电极。输入-输出端电极设置在介质基片的外表面上并电连接到输入-输出耦合电极。通孔电极在介质基片的厚度方向上穿过小孔,从而不电连接到谐振器电极而是电连接到第一和第二接地电极。带通滤波器较佳地包括第二通孔电极,在谐振器电极的平面图中它们排列在谐振器电极外的区域内并电连接到第一和第二接地电极。较佳地,配置谐振器电极以具有多个非简并的谐振模,从而这多个谐振模通过小孔彼此耦合以形成双模带通滤波器。较佳地,谐振器电极是环形谐振器电极。在这种情况中,控制耦合点到输入-输出耦合电极提供了双模带通滤波器。配置根据本专利技术较佳实施例的带通滤波器,从而至少第一和第二接地电极排列在谐振器电极之上和之下以夹住谐振器电极。带通滤波器包括穿过谐振器电极中的小孔的通孔电极并电连接到第一和第二接地电极。通孔电极移动由接地电极的谐振引起的不需要的伪信号的频率从而实现不受伪信号影响的良好传输特性。谐振器电极外的区域中的第二通孔电极使由接地电极的谐振产生的不需要的伪信号远离带通滤波器的通频带以实现较好的传输特性。即使在由带通滤波器的制造差错引起电路片尺寸变化时,第二通孔电极的形成阻止伪信号频率的变化。因此,带通滤波器具有由制造差错引起的较少特性变化。在配置谐振器电极以具有多个非简并谐振模从而谐振模由小孔彼此耦合来形成双模带通滤波器时,带通滤波器对到谐振器电极的耦合点没有任何限制并通过选择谐振器电极和小孔的形状来提供各种频带特性。由以下较佳实施例的详细描述并结合附图,本专利技术的其它特点、元件、特性、步骤和优点将变得更加明显。附图概述图1A是根据本专利技术第一较佳实施例的双模带通滤波器的透视图;图1B是本专利技术第一较佳实施例的双模带通滤波器的底视图;图1C是图1B中沿线X1-X1获得的第一较佳实施例的双模带通滤波器的横截面侧视图;图2是平面图,示意性地示出本专利技术第一较佳实施例的双模带通滤波器的谐振器电极和输入-输出耦合电极;图3示出一结构中的S参数频率特性,在该结构中从本专利技术第一较佳实施例的双模带通滤波器中移除第一通孔电极和谐振器电极;图4示出一结构中的S参数频率特性,在该结构中从本专利技术第一较佳实施例的双模带通滤波器中移除谐振器电极;图5示出本专利技术第一较佳实施例的双模带通滤波器的S参数频率特性;图6是平面图,示意性地示出已知的双模带通滤波器用于比较;图7示出图6中已知双模带通滤波器的S参数频率特性;图8A是平面图而图8B是横截面前视图,示意性地示出没有通孔电极的已知双模带通滤波器的电场分布;图9A是平面图而图9B是横截面前视图;示意性地示出本专利技术第一较佳实施例的双模带通滤波器的电场分布;图10A是根据本专利技术第二较佳实施例的双模带通滤波器的底视图;图10B是图10A中沿线X2-X2获得的第二较佳实施例的双模带通滤波器的横截面侧视图;图11示出本专利技术第二较佳实施例的双模带通滤波器的S参数频率特性;图12包括示意性平面图,示出双模带通滤波器的宽度减小的情况;图13示出移除谐振器电极时和减小宽度时第一较佳实施例的双模带通滤波器的S参数频率特性;图14示出移除谐振器电极时和减小宽度时第二较佳实施例的双模带通滤波器的S参数频率特性;图15是示出本专利技术双模带通滤波器的修改的横截面前视图;图16是示意性地示出本专利技术双模带通滤波器的另一个修改的平面图;以及图17A是横截面前视图而图17B是平面图,示意性地示出已知的双模带通滤波器。 具体实施例方式现在将参考附图描述本专利技术的较佳实施例。图1A是根据本专利技术第一较佳实施例的双模带通滤波器1的透视图。图1B是双模带通滤波器的底视图。图1C是图1B中沿线X1-X1获得的双模带通滤波器的横截面侧视图。双模带通滤波器1较佳地包括基本矩形的介质基片2。介质基片2较佳地由合适的介质材料构成。这种介质材料包括合成树脂,诸如氟塑料和介质陶瓷。介质基片2包括置于中间高度的谐振器电极3以及输入-输出耦合电极4和5。根据第一较佳实施例,介质基片2包括多个介质层。谐振器电极3置于上层之外的介质层上。图2是平面图,示意性地示出谐振器电极3和输入-输出耦合电极4和5的平面形状。较佳地具有基本矩形形状的谐振器电极3包括小孔3a位于其中间部分。谐振器电极3包括金属薄膜,其成分没有特别限制,诸如由铝、铜或其它合适的材料制成的金属薄膜或合金薄膜。输入-输出耦合电极4和5也由类似的金属材料制成。这种金属薄膜的谐振器电极3设置介质基片2中中间高度处的部分平面上。输入-输出耦合电极4和5可以排列在任何合适的位置,只要它们能耦合到谐振器电极3。即,输入-输出耦合电极4和5可以置于与谐振器电极3所处高度不同的高度处。谐振器电极3具有一定的形状,从而产生多个非简并谐振模。由于谐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带通滤波器,其特征在于,包括:介质基片;谐振器电极,设置在所述介质基片厚度方向上中间高度处的部分平面上从而与介质基片的上表面相对并包括小孔;第一和第二接地电极,在介质基片的厚度方向上分别排列在谐振器电极之上和之下 ,从而与谐振器电极相对并有介质层置于其间,从而将谐振器电极夹入中间;输入-输出耦合电极,耦合到谐振器电极;输入-输出端电极,设置在介质基片的外表面上并电连接到输入-输出耦合电极;以及通孔电极,它在介质基片的厚度方向上 穿过所述小孔以便不与谐振器电极电连接,而它电连接到所述第一和第二接地电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:神波诚治沟口直树冈村尚武
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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