半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统技术方案

本发明专利技术实施例公开了一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统。所述方法包括：提供第一半导体结构，以及覆盖所述第一半导体结构的介质层；所述第一半导体结构包括第一栅极结构，以及位于所述第一栅极结构相对两侧的第一源极区和第一漏极区；在所述介质层上形成牺牲层，所述牺牲层背离所述介质层一侧的表面平齐；在所述牺牲层上形成掩膜层，所述掩膜层具有第一掩膜开口；通过所述第一掩膜开口，对所述第一半导体结构对应的牺牲层和介质层进行刻蚀，以裸露部分第一栅极结构、部分第一源极区和部分第一漏极区，作为所述第一半导体结构的第一欧姆接触区。本发明专利技术实施例能够缩小半导体结构的欧姆接触区，降低漏电风险。降低漏电风险。降低漏电风险。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统。

技术介绍

[0002]在半导体器件中，晶体管(尤其是高压晶体管)的欧姆接触区不能过大，但受光刻胶层厚度的影响，光刻胶层中开口的尺寸无法缩小至目标尺寸，导致通过光刻胶层中的开口在晶体管上形成的欧姆接触区无法缩小至所需大小，在欧姆接触区上形成欧姆接触层后，可能存在漏电风险。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统，能够缩小半导体结构的欧姆接触区，降低漏电风险。
[0004]本专利技术实施例提供一种半导体器件的制作方法，包括：
[0005]提供第一半导体结构，以及覆盖所述第一半导体结构的介质层；所述第一半导体结构包括第一栅极结构，以及位于所述第一栅极结构相对两侧的第一源极区和第一漏极区；
[0006]在所述介质层上形成牺牲层，所述牺牲层背离所述介质层一侧的表面平齐；
[0007]在所述牺牲层上形成掩膜层，所述掩膜层具有第一掩膜开口；
[0008]通过所述第一掩膜开口，对所述第一半导体结构对应的牺牲层和介质层进行刻蚀，以裸露部分第一栅极结构、部分第一源极区和部分第一漏极区，作为所述第一半导体结构的第一欧姆接触区。
[0009]进一步地，所述掩膜层包括光刻胶层和抗反射层，所述第一掩膜开口包括第一开口和第二开口；
[0010]所述在所述牺牲层上形成掩膜层的步骤，包括：
[0011]在所述牺牲层上依次形成所述抗反射层和所述光刻胶层，所述光刻胶层具有所述第一开口；
[0012]通过所述第一开口，在所述抗反射层中形成所述第二开口，所述第二开口的尺寸小于所述第一开口的尺寸。
[0013]进一步地，所述通过所述第一掩膜开口，对所述第一半导体结构对应的牺牲层和介质层进行刻蚀，以裸露部分第一栅极结构、部分第一源极区和部分第一漏极区的步骤，包括：
[0014]通过所述第二开口，在所述牺牲层中形成第三开口，并去除所述光刻胶层，所述第三开口的尺寸小于所述第二开口的尺寸；
[0015]通过所述第三开口，对所述介质层进行刻蚀，以裸露部分第一栅极结构、部分第一源极区和部分第一漏极区。
[0016]进一步地，所述介质层包括覆盖所述第一半导体结构的停止层，以及位于所述停止层上的绝缘层，所述牺牲层位于所述绝缘层上；
[0017]所述通过所述第三开口，对所述介质层进行刻蚀，以裸露部分第一栅极结构、部分第一源极区和部分第一漏极区的步骤，包括：
[0018]通过所述第三开口，在所述绝缘层中形成第四开口，并去除所述抗反射层；所述第四开口包括第一子开口、第二子开口和第三子开口，所述第一子开口在所述第一栅极结构上的正投影位于所述第一栅极结构内，所述第二子开口在所述第一源极区上的正投影位于所述第一源极区内，所述第三子开口在所述第一漏极区上的正投影位于所述第一漏极区内；
[0019]去除所述牺牲层；
[0020]通过所述第四开口，在所述停止层中形成第五开口，以裸露部分第一栅极结构、部分第一源极区和部分第一漏极区。
[0021]进一步地，所述牺牲层包括有机底层和碳涂层中的任意一个，所述抗反射层包括硅氧基硬掩模层和氮氧化硅层中的任意一个。
[0022]进一步地，所述掩膜层还包括第二掩膜开口；
[0023]所述方法还包括：
[0024]提供第二半导体结构，所述第二半导体结构包括第二栅极结构，以及位于所述第二栅极结构相对两侧的第二源极区和第二漏极区；所述介质层还覆盖所述第二半导体结构；
[0025]通过所述第二掩膜开口，对所述第二半导体结构对应的牺牲层和介质层进行刻蚀，以裸露所述第二半导体结构，使所述第二半导体结构中的所述第二栅极结构、所述第二源极区和所述第二漏极区作为所述第二半导体结构的第二欧姆接触区。
[0026]进一步地，所述方法还包括：
[0027]在所述第一欧姆接触区和所述第二欧姆接触区形成欧姆接触层。
[0028]进一步地，所述第一半导体结构包括高压晶体管，所述第二半导体结构包括低压晶体管和超低压晶体管中的任意一个。
[0029]本专利技术还提供一种半导体器件，通过上述半导体器件的制作方法形成，所述半导体器件包括：
[0030]第一半导体结构，包括第一栅极结构，以及位于所述第一栅极结构相对两侧的第一源极区和第一漏极区；所述第一半导体结构具有第一欧姆接触区，所述第一欧姆接触区覆盖部分第一栅极结构、部分第一源极区和部分第一漏极区上；
[0031]欧姆接触层，位于所述第一欧姆接触区上。
[0032]本专利技术实施例还提供一种存储器，包括存储阵列结构，以及与所述存储阵列结构连接的外围结构；
[0033]所述外围结构包括上述半导体器件。
[0034]本专利技术实施例还提供一种存储系统，包括上述存储器，以及与所述存储器连接的控制器。
[0035]本专利技术实施例的有益效果为：在第一半导体结构上覆盖介质层，在介质层上形成牺牲层，使牺牲层背离介质层一侧的表面平齐，在牺牲层上形成掩膜层，通过掩膜层中的第
一掩膜开口，对第一半导体结构对应的牺牲层和介质层进行刻蚀，以裸露部分第一栅极结构、部分第一源极区和部分第一漏极区，作为第一半导体结构的欧姆接触区，从而通过在介质层与掩膜层中形成牺牲层来减小掩膜层的厚度，减小掩膜层中第一掩膜开口的尺寸，进而缩小第一半导体结构的欧姆接触区，以在欧姆接触区上形成欧姆接触层后，降低漏电风险。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0037]图1为一些实施例中半导体器件的制作方法所对应的结构示意图；
[0038]图2为本专利技术实施例提供的半导体器件的制作方法的一个流程示意图；
[0039]图3a至图3i为本专利技术实施例提供的半导体器件的制作方法所对应的一种结构示意图；
[0040]图4是本专利技术实施例提供的半导体器件的一个结构示意图；
[0041]图5是本专利技术实施例提供的存储器的一个结构示意图；
[0042]图6是本专利技术实施例提供的存储系统的一个结构示意图。
具体实施方式
[0043]这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本专利技术的示例性实施例的目的。但是本专利技术可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
[0044]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供第一半导体结构，以及覆盖所述第一半导体结构的介质层；所述第一半导体结构包括第一栅极结构，以及位于所述第一栅极结构相对两侧的第一源极区和第一漏极区；在所述介质层上形成牺牲层，所述牺牲层背离所述介质层一侧的表面平齐；在所述牺牲层上形成掩膜层，所述掩膜层具有第一掩膜开口；通过所述第一掩膜开口，对所述第一半导体结构对应的牺牲层和介质层进行刻蚀，以裸露部分第一栅极结构、部分第一源极区和部分第一漏极区，作为所述第一半导体结构的第一欧姆接触区。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述掩膜层包括光刻胶层和抗反射层，所述第一掩膜开口包括第一开口和第二开口；所述在所述牺牲层上形成掩膜层的步骤，包括：在所述牺牲层上依次形成所述抗反射层和所述光刻胶层，所述光刻胶层具有所述第一开口；通过所述第一开口，在所述抗反射层中形成所述第二开口，所述第二开口的尺寸小于所述第一开口的尺寸。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述通过所述第一掩膜开口，对所述第一半导体结构对应的牺牲层和介质层进行刻蚀，以裸露部分第一栅极结构、部分第一源极区和部分第一漏极区的步骤，包括：通过所述第二开口，在所述牺牲层中形成第三开口，并去除所述光刻胶层，所述第三开口的尺寸小于所述第二开口的尺寸；通过所述第三开口，对所述介质层进行刻蚀，以裸露所述部分第一栅极结构、所述部分第一源极区和所述部分第一漏极区。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述介质层包括覆盖所述第一半导体结构的停止层，以及位于所述停止层上的绝缘层，所述牺牲层位于所述绝缘层上；所述通过所述第三开口，对所述介质层进行刻蚀，以裸露所述部分第一栅极结构、所述部分第一源极区和所述部分第一漏极区的步骤，包括：通过所述第三开口，在所述绝缘层中形成第四开口，并去除所述抗反射层；所述第四开口包括第一子开口、第二子开口和第三子开口，所述第一子开口在所述第一栅极结构上的正投影位于所述第一栅极结构内，所述第二子开口在所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑瑞，郭申，李刚，张志雄，张成，谢海波，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：