半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有若干分立排布的初始鳍部；在所述衬底上形成隔离结构；在所述初始鳍部的侧壁上以及相邻的所述初始鳍部之间形成连接层；在所述衬底上形成横跨所述初始鳍部以及所述连接层的伪栅极结构，所述伪栅极结构覆盖所述连接层的侧壁以及所述初始鳍部的部分顶部表面；在所述伪栅极结构两侧的所述初始鳍部内形成凹槽，在所述凹槽内形成源漏掺杂层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅极结构和所述源漏掺杂层，所述介质层的顶部表面与所述伪栅极结构的顶部表面齐平；去除所述伪栅极结构，形成栅极结构；本发明专利技术有助于提高最终形成的半导体器件的质量。助于提高最终形成的半导体器件的质量。助于提高最终形成的半导体器件的质量。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。

技术介绍

[0002]金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是现代集成电路中最重要的元件之一，MOSFET的基本结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括：位于半导体衬底表面的栅介质层以及位于栅介质层表面的栅电极层；位于栅极结构两侧半导体衬底中的源漏掺杂区。
[0003]随着半导体技术的发展，传统的平面式的MOSFET对沟道电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。鳍式场效应晶体管(Fin FET)是一种新兴的多栅器件，它一般包括凸出于半导体衬底表面的鳍部，覆盖部分所述鳍部的顶部表面和侧壁的栅极结构，位于栅极结构两侧的鳍部中的源漏掺杂区。与平面式的MOSFET相比，鳍式场效应晶体管具有更强的短沟道抑制能力，具有更强的工作电流。
[0004]随着半导体技术的进一步发展，传统的鳍式场效应晶体管在进一步增大工作电流方面存在限制。具体的，由于鳍部中只有靠近顶部表面和侧壁的区域用来作为沟道区，使得鳍部中用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有若干分立排布的初始鳍部；在所述衬底上形成隔离结构；在所述初始鳍部的侧壁上以及相邻的所述初始鳍部之间形成连接层；在所述衬底上形成横跨所述初始鳍部以及所述连接层的伪栅极结构，所述伪栅极结构覆盖所述连接层的侧壁以及所述初始鳍部的部分顶部表面；在所述伪栅极结构两侧的所述初始鳍部内形成凹槽，在所述凹槽内形成源漏掺杂层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅极结构的侧壁和所述源漏掺杂层，所述介质层的顶部表面与所述伪栅极结构的顶部表面齐平；去除所述伪栅极结构，形成栅极结构。2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述连接层的材料为硅锗、无定形碳或者无定形锗。3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述连接层的形成工艺为化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、物理气相沉积工艺或外延生长工艺。4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述连接层的步骤包括：在所述衬底上、所述初始鳍部的侧壁和顶部上以及相邻的所述初始鳍部之间形成初始连接层；回刻蚀所述初始连接层，至暴露出所述衬底以及所述初始鳍部的顶部表面，形成所述连接层。5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成若干分立排布的所述初始鳍部的步骤包括：在所述衬底上形成图形化层；以所述图形化层为掩膜，刻蚀部分厚度的所述衬底，在所述衬底上形成若干分立排布的所述初始鳍部。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：