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本发明一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有若干分立排布的初始鳍部；在所述衬底上形成隔离结构；在所述初始鳍部的侧壁上以及相邻的所述初始鳍部之间形成连接层；在所述衬底上形成横跨所述初始鳍部以及所述连接层的伪栅极结构，所述伪...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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