碳化硅半导体器件及其制作方法技术

本申请公开了一种碳化硅半导体器件及其制作方法，外延片包括：半导体基底；设置在所述半导体基底表面的第一外延层；设置在所述第一外延层背离所述半导体基底一侧表面的第二外延层；设置在所述第二外延层背离所述第一外延层一侧表面的第三外延层。通过设置在第三外延层上的沟槽形成栅极，而且还能够基于形成栅极之前的所述沟槽，在所述第二外延层中进行离子注入，以在所述第二外延层中形成与所述第二外延层反型的掺杂区，解决了碳化硅半导体功率器件不便于形成较大深度掺杂区的难题。件不便于形成较大深度掺杂区的难题。件不便于形成较大深度掺杂区的难题。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅半导体器件及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体器件
，更具体的说，涉及一种碳化硅(SiC)半导体器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着科学技术的不断发展，越来越多的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。
[0003]电子设备实现各种功能的主要结构是集成电路，而半导体器件是集成电路的重要组成电子元件。碳化硅半导体器件由于其在高功率应用领域的优良特性，成为半导体领域的一个主要发展方向。
[0004]由于碳化硅材料的特性，如果要实现较大注入深度的掺杂，高能量的离子注入会导致其晶格损伤，故现有制作方法中，在制作具有较大深度掺杂区的碳化硅半导体器件时，需要在外延片的制作过程中，先通过刻蚀以及离子注入在先形成的外延层内形成所需掺杂区，然后形成后续外延层。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请提供了一种碳化硅半导体器件及其制作方法，方案如下：
[0006]一种碳化硅半导体器件的制作方法，包括：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一外延片，所述外延片包括：半导体基底；设置在所述半导体基底表面的第一外延层；设置在所述第一外延层背离所述半导体基底一侧表面的第二外延层；设置在所述第二外延层背离所述第一外延层一侧表面的第三外延层；在所述第三外延层内形成阱区、源区以及沟槽；基于所述沟槽，在所述第二外延层中进行离子注入，形成与所述第二外延层反型的掺杂区；所述掺杂区贯穿所述第二外延层；在所述沟槽内形成栅极。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二外延层具有待注入区以及包围所述待注入区的第一层阱区；在所述第三外延层内形成阱区、源区以及沟槽，包括：通过离子注入，在所述第三外延层内依次形成第二层阱区、第三层阱区以及源区；所述第二层阱区位于所述第一层阱区与所述第三层阱区之间，所述源区位于所述第三层阱区背离所述第二层阱区的一侧；在所述第三外延层背离所述第二外延层的一侧表面内形成所述沟槽；所述沟槽的底部位于所述第二外延层与所述第三层阱区之间；其中，所述源区以及所述第三层阱区均与所述沟槽的侧壁接触；所述第二层阱区与所述沟槽的侧壁具有间距。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述外延片的制作方法包括：在所述半导体基底表面依次外延形成所述第一外延层、所述第二外延层以及所述第三外延层；其中，所述第一外延层与所述第三外延层的掺杂类型相同，且与所述第二外延层为反型掺杂。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的制作方法，其特征在于，还包括：形成与所述源区连接的金属源极；在所述半导体基底背离所述第一外延层的一侧表面形成金属漏极。5.一种如权利要求1
‑
4任一项所述制作方法制备的碳化硅半...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁俊，
申请(专利权)人：湖北九峰山实验室，
类型：发明
国别省市：