半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于所述栅极结构两侧且覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层；在所述栅极结构和层间介质层上形成掩膜层，所述掩膜层开设有第一开口，所述第一开口与所述源漏掺杂层对应且沿所述栅极结构的延伸方向延伸且连续；形成牺牲层，所述牺牲层填充部分所述第一开口；刻蚀未被所述牺牲层填充部分的所述第一开口对应的所述层间介质层，形成露出所述源漏掺杂层的第一沟槽。所述方法提高了器件的电学性能且简化了工艺，降低了成本。降低了成本。降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小。特别是特征尺寸向微米、纳米方向快速发展，其图案线宽也将越来越细，这对半导体工艺提出了更高的要求。
[0003]在集成电路的后续工艺中，通常以光刻技术(Lithograph)实现集成电路图案的转移。然而，集成电路的图案线宽越细，对光刻技术的工艺要求越高。在现有的光刻技术无法满足相应的工艺要求时，容易产生一系列的问题，造成现有的半导体工艺形成的器件性能不佳。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提升器件的电学性能。
[0005]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：
[0006]提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于所述栅极结构两侧且覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于所述栅极结构两侧且覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层；在所述栅极结构和层间介质层上形成掩膜层，所述掩膜层开设有第一开口，所述第一开口与所述源漏掺杂层对应且沿所述栅极结构的延伸方向延伸且连续；形成牺牲层，所述牺牲层填充部分所述第一开口；刻蚀未被所述牺牲层填充部分的所述第一开口对应的所述层间介质层，形成露出所述源漏掺杂层的第一沟槽。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层还覆盖部分所述掩膜层。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成牺牲层的步骤包括：在所述掩膜层上形成牺牲材料层，所述牺牲材料层覆盖所述掩膜层且填充所述第一开口，所述牺牲材料层的顶部为平面；图形化所述牺牲材料层，形成牺牲层，所述牺牲层填充部分所述第一开口。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底还包括介电层，所述掩膜层形成于所述介电层上；刻蚀所述层间介质层的同时，还刻蚀未被所述牺牲层填充部分的所述第一开口对应的所述介电层。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述介电层和所述层间介质层。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成露出所述源漏掺杂层的第一沟槽之后，还包括：去除所述牺牲层和所述掩膜层。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述牺牲层和所述掩膜层。8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除所述牺牲层和所述掩膜层的步骤为：形成插塞保护层，所述插塞保护层至少填充所述第一开口和所述第一沟槽；刻蚀所述插塞保护层，所述牺牲层以及所述掩膜层。9.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵炳贵，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：