一种嵌入式外延层的构造方法、场效应管及机台装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于微电子技术领域，尤其涉及一种嵌入式外延层的构造方法及采用该方法构造的器件及相关的机台；通过改进盖帽层的外延工艺，使得主体层在两次外延实现的盖帽层下避免了后续刻蚀或清洗过程的侵扰。了后续刻蚀或清洗过程的侵扰。了后续刻蚀或清洗过程的侵扰。

【技术实现步骤摘要】
一种嵌入式外延层的构造方法、场效应管及机台装置


[0001]本专利技术属于微电子
，尤其涉及一种嵌入式外延层的构造方法及采用该方法构造的器件及相关的机台。

技术介绍

[0002]微电子器件的特征尺寸不断减小，在满足其电学特性的同时，器件还需要具备一定的机械性能。沟道结构作为三维栅极结构器件的必要组成部分，其机械和电学特性在构造过程中面临诸多的技术问题。
[0003]专利技术人发现：由于外延材料各向异性的存在，嵌入式外延层结构面临较高的失效风险；如图8所示，是一种失效的外延工艺下构造的盖帽层结构；该结构在后续的刻蚀或清洗制程中将对功能层的结构完整性产生实质性影响。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例公开了一种嵌入式外延层的构造方法，通过构造第一外延层为嵌入式结构形成缓冲层。
[0005]其中，第一外延层生长于由紧前工序构造的第一工艺沟槽内部或底部；该紧前工序包括工艺制程需要的其它步骤；该第一工艺沟槽构造于基底层或其它衬底之上。
[0006]紧接着，通过构造第二外延层于第一外延层之上或以第一外延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式外延层的构造方法，其特征在于，包括：构造第一外延层（111），所述第一外延层（111）生长于由紧前工序（10）构造的第一工艺沟槽（100）内部或底部；其中，所述紧前工序（10）包括工艺制程需要的其它步骤；所述第一工艺沟槽（100）构造于基底层（101）或其它衬底之上；构造第二外延层（112）于所述第一外延层（111）之上或以所述第一外延层（111）为基底进行生长；其中，所述第二外延层（112）与所述第一外延层（111）采用相同或者不同的材料进行构造；构造第三外延层（113）于所述第二外延层（112）及所述第一外延层（111）之上； 其中，所述第三外延层（113）与所述第二外延层采用相同或者不同的材料进行构造；构造第四外延层（114）于所述第三外延层（113）之上；其中，所述第四外延层（114）与所述第三外延层（113）采用不同的材料或者所述第四外延层的材料具备各向同性的生长或延伸方向；所述第一外延层（111）、所述第二外延层（112）、所述第三外延层（113）与所述第四外延层（114）构造于所述第一工艺沟槽（100）内部、端面和/或端口位置，在所述第一工艺沟槽（100）构造嵌入式封堵、加强结构。2.如权利要求1所述的方法，其中：所述第一外延层（111）于所述第一工艺沟槽（100）内部，依所述第一工艺沟槽（100）的拓扑形状共形生长；所述第一外延层（111）覆盖所述第一工艺沟槽（100）底部及侧墙形成缓冲结构，所述缓冲结构与所述基底（101）采用相同或不同的材料构造。3.如权利要求2所述的方法，其中：所述第二外延层（112）于所述第一外延层（111）之上生长或构造；所述第二外延层（112）填充于所述第一外延层（111）之上；所述第二外延层（112）构造于所述第一工艺沟槽（100）内部区域或超出所述第一工艺沟槽（100）的槽口预设的距离或高度。4.如权利要求3所述的方法，其中：所述第三外延层（113）覆盖于所述第一工艺沟槽（100）的槽口，并将所述第一外延层（111）及所述第二外延层（112）封盖于所述第一工艺沟槽（100）之内或距离所述基底层（101）或其它衬底较近一侧；所述嵌入式封堵用于改善所述第一工艺沟槽（100）的机械特性；所述嵌入式封堵结构构造于所述基底层（101）或其它衬底上预设的应力集中的区域。5.如权利要求4所述的方法，其中：所述第四外延层（114）覆盖所述第三外延层（113）；所述第四外延层（114）与所述第三外延层（113）共形构造；所述第四外延层（114）的第一平均厚度大于所述第三外延层（113）的第二平均厚度；所述第一平均厚度是所述第四外延层（114）沿垂直于所述基底层（101）底面方向的第一最大厚度与第一最小厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂火金，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：