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一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于所述栅极结构两侧且覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层;在所述栅极结构和层间介质层上形成掩膜层,所述掩膜层开设...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于所述栅极结构两侧且覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层;在所述栅极结构和层间介质层上形成掩膜层,所述掩膜层开设...