【技术实现步骤摘要】
一种鳍结构造型方法、器件、存储介质及机台
[0001]本专利技术属于微电子
,尤其涉及一种鳍结构造型方法、器件、存储介质及机台。
技术介绍
[0002]APT(Anti Punch Through)防穿透区域常采用掺杂方式进行构造,其包含副作用;当掺杂物出现非预期的扩散时将变得更糟,因而也就限制了采用掺杂方式来改善迁移率的适用性;进而需要一种既能保证良好的APT性能,又可以获得更高迁移率的方法或产品。
技术实现思路
[0003]本专利技术公开了一种鳍结构造型方法、器件、存储介质及机台;采用一种收缩的鳍结构,有效控制了相应区域的穿透特性。
[0004]其中,在刻蚀区图形转移步骤,通过构造第一刻蚀区与第二刻蚀区于衬底之上;为器件或结构的造型设立功能区。
[0005]其第一刻蚀区包括至少两条第一工艺沟道,该至少两条第一工艺沟道之间构造有至少一鳍造型区;该鳍造型区为衬底的鳍状凸起;该鳍状凸起上自衬底侧依次构造有第一隔离层和第一临时层;其中的第一隔离层由第一介质填充。
[0006]进一步地,在层间介质构造步骤,填充第一介质到第一工艺沟槽的空白区域中,为后续功能结构的造型提供基材。
[0007]进一步地,通过第一台阶构造步骤,回刻第一临时层所在的区域及第一工艺沟道填充第一介质后的区域,目的在于形成第一台阶;该第一台阶将成为鳍结构的主体部分。
[0008]紧接着,在第二、第三台阶构造步骤,通过构造第二临时层于第一台阶的侧面,为后续结构的处理构造中间结构。
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种鳍结构造型方法,其特征在于,包括:刻蚀区图形转移步骤(11),构造第一刻蚀区与第二刻蚀区于衬底(100)之上;所述第一刻蚀区包括至少两条第一工艺沟道(201、202、203、204),所述至少两条第一工艺沟道(201、202、203、204)之间构造有至少一鳍造型区(301、302、303);所述鳍造型区(301、302、303)为所述衬底(100)的鳍状凸起;所述鳍状凸起上自所述衬底(100)侧依次构造有第一隔离层(101)和第一临时层(102);所述第一隔离层(101)由第一介质填充;层间介质构造步骤(22),填充所述第一介质到所述第一工艺沟槽(201、202、203、204)的空白区域中;第一台阶构造步骤(33),回刻所述第一临时层(102)所在的区域及所述第一工艺沟道(201、202、203、204)填充所述第一介质后的区域,形成第一台阶(311、312、313);第二、第三台阶构造步骤(44),构造第二临时层(103)于所述第一台阶(311、312、313)的侧面;其中所述第一台阶(311、312、313)的高度为第一台阶高度(401);以所述衬底(100)为终止层,沿水平方向由外至内回刻所述第二临时层(103)形成第二台阶(321、322、323)和第三台阶(331、332、333);其中,所述第二台阶(321、322、323)沿垂直于晶圆表面方向的尺寸为第一宽度(501),所述第三台阶沿垂直于晶圆表面方向的尺寸为第二宽度(502);表面处理步骤(55),氧化或实施表面处理所述衬底(100)于所述第二台阶(321、322、323)及所述第三台阶(331、332、333)处裸露部分预设的深度或持续氧化或实施表面处理预设的时长;形成第一处理层(611、612、613)及第二处理层(621、622、623),所述第一处理层(611、612、613)沿垂直于晶圆底面方向的深度为第一处理深度,所述第二处理层(621、622、623)沿平行于所述晶圆底面方向的深度为第二处理深度;台阶清理步骤(66),去除所述鳍造型区(301、302、303)的所述第二临时层(103)、所述第一处理层(611、612、613)及所述第二处理层(621、622、623),在所述鳍造型区(301、302、303)与所述第一工艺沟道(201、202、203、204)相接处形成凹槽结构(701、702、703)。2.如权利要求1所述的方法,还包括:鳍面处理步骤,氧化或实施表面处理所述鳍构造区(301、302、303)的表面,形成预设厚度的第三处理层(631、632、633);所述第三处理层(631、632、633)将所述鳍构造区(301、302、303)封盖于其内部。3.如权利要求2所述的方法,还包括:临时包裹步骤,填充第三临时层(104)于所述第一工艺沟道(201、202、203、204)直至覆盖所述晶圆表面。4.如权利要求3所述的方法,其中:平坦化所述第三临时层(104);所述平台化过程采用CMP制程。5.如权利要求3所述的方法,其中:所述第三临时层(104)为伪多晶硅层;所述伪多晶硅层用于伪栅极的构造。6.如权利要求1
‑
5的任一所述的方法,其中:所述衬底(100)为硅衬底;所述第一隔离层(101)为硅氧化层或由硅氧化物构造;
所述第三处理层由硅氧化物构造或其成分为硅氧化物。7.如权利要求6所述的方法,其中:所述第一介质为硅氧化物;所述第一临时层(102)由第二介质填充,所述第二介质与所述第三临时层(104)采用相同的材料构造。8.如...
【专利技术属性】
技术研发人员:李勇,
申请(专利权)人:上海华力集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:
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