高压二极管及工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种高压二极管的工艺方法，利用漂移区注入工艺在P阱的外围形成额外的漂移区，漂移区能优化器件表面电场杂质浓度梯度的分布，提高器件的击穿电压。提高器件的击穿电压。提高器件的击穿电压。

【技术实现步骤摘要】
高压二极管及工艺方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种高压二极管。本专利技术还涉及所述高压二极管的工艺方法。

技术介绍

[0002]DMOS(Double
‑
diffused MOS)由于具有耐高压，大电流驱动能力和极低功耗等特点，目前广泛应用在电源管理芯片中。在LDMOS(Lateral Double
‑
diffused MOSFET，横向双扩散场效应晶体管)器件中，导通电阻是一个重要的指标。在BCD(Bipolar
‑
CMOS
‑
DMOS)工艺中，LDMOS虽然与CMOS集成在同一块芯片中，但由于高击穿电压BV(Breakdown Voltage)和低特征导通电阻R
sp
(Specific on
‑
Resistance)之间存在矛盾/折中，往往无法满足开关管应用的要求。高压LDMOS既具有分立器件高压大电流特点，又吸取了低压集成电路高密度智能逻辑控制的优点，单芯片实现原来多个芯片才能完成的功能，大大缩小了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压二极管的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：步骤一，提供一具有第一导电类型的半导体衬底，在半导体衬底表面形成一层牺牲氧化层；然后在所述半导体衬底上注入杂质离子形成具有第二导电类型的埋层；然后去掉牺牲氧化层。步骤二，再在所述半导体衬底表面形成一层具有第一导电类型的外延层；步骤三，光刻定义打开深阱的注入区域，通过离子注入形成具有第二导电类型的所述的深阱，去掉光刻胶；步骤四，再次光刻打开浅槽隔离结构区域，刻蚀并填充氧化物形成浅槽隔离结构；步骤五，光刻打开第二导电类型的阱二注入区域，进行离子注入形成第二导电类型的阱二；然后光刻打开第一导电类型的阱一注入区域，进行离子注入形成第一导电类型的阱一；步骤六，光刻打开第一导电类型的漂移区的注入区域，进行离子注入形成第一导电类型的漂移区；步骤七，在所述半导体衬底表面沉积一层多晶硅并进行选择性刻蚀，形成多晶硅栅极；然后利用多次光刻分别打开源漏离子注入区域，分别进行选择性的源漏离子注入，形成第一导电类型的重掺杂区一以及第二导电类型的重掺杂区二。2.如权利要求1所述的高压二极管的工艺方法，其特征在于：所述步骤一中，埋层形成于所述半导体衬底的表层或浅层。3.如权利要求1所述的高压二极管的工艺方法，其特征在于：所述步骤三中，所述深阱位于器件的外围，底部与埋层接触。4.如权利要求1所述的高压二极管的工艺方法，其特征在于：所述步骤四中，浅槽隔离结构位于整个器件的外围，以及深阱与器件中心区域的交接处。5.如权利要求1所述的高压二极管的工艺方法，其特征在于：所述步骤五中，第二导电类型的阱二位于深阱中、浅槽隔离结构之间；所述第一导电类型的阱一位于整个器件的中心处，其边界位于浅槽隔离结构之下。6.如权利要求1所述的高压二极管的工艺方法，其特征在于：所述步骤六中，所述的漂移区位于阱一的外围与阱一抵靠接触，且漂移区位于浅槽隔离结构之下。7.如权利要求1所述的高压二极管的工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡晓晴，刘冬华，令海阳，段文婷，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：