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本发明公开了一种高压二极管的工艺方法，利用漂移区注入工艺在P阱的外围形成额外的漂移区，漂移区能优化器件表面电场杂质浓度梯度的分布，提高器件的击穿电压。提高器件的击穿电压。提高器件的击穿电压。
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该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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