一种异常字线的测试方法、装置、存储器及存储器系统制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种异常字线的测试方法、装置、存储器及存储器系统，其中，所述测试方法包括：提供测试装置；其中，所述测试装置包括比较电路；将字线分为多个字线组，并将每个所述字线组连接至所述比较电路；在编程期间，通过所述比较电路对每个所述字线组的工作电压进行比较，以确定所述字线组中的异常字线。线。线。

【技术实现步骤摘要】
一种异常字线的测试方法、装置、存储器及存储器系统


[0001]本申请实施例涉及半导体
，尤其涉及一种异常字线的测试方法、 装置、存储器及存储器系统。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，NAND结构正受到越来越多的关注。为进一步提 升存储密度，出现了多种三维(3D)NAND器件。在3D NAND结构存储器中， 字线(WL)一般设计有几十层至几百层，在失效分析分析时，有时需要对产品 各层字线进行异常分析。
[0003]然而，考虑到3D NAND结构存储器的尺寸和测试器件的尺寸，实际量测 过程中，很难做到对每一层字线都进行测试，因此难以直接确定出异常字线， 而如果对全部字线都进行测试，则会消耗大量时间，使得测试效率偏低。

技术实现思路

[0004]本申请实施例期望提供一种异常字线的测试方法、装置、存储器及存储器 系统。
[0005]本申请实施例的技术方案是这样实现的：
[0006]本申请实施例第一方面提供一种异常字线的测试方法，所述方法包括：
[0007]提供测试装置；其中，所述测试装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异常字线的测试方法，其特征在于，所述方法包括：提供测试装置；其中，所述测试装置包括比较电路；将字线分为多个字线组，并将每个所述字线组连接至所述比较电路；在编程期间，通过所述比较电路对每个所述字线组的工作电压进行比较，以确定所述字线组中的异常字线。2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述比较电路包括电压比较器。3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述测试装置还包括选择开关；所述将每个所述字线组连接至所述比较电路，包括：通过所述选择开关将每个所述字线组连接至所述比较电路。4.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述选择开关包括多个路径开关，每一路径开关将相对应的字线组连接至所述比较电路。5.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述通过所述比较电路对每个所述字线组进行比较，以确定所述字线组中的异常字线，包括：通过所述比较电路对每个所述字线组进行比较，以确定存在异常字线的所述字线组；通过所述比较电路对存在异常字线的所述字线组中的字线进行比较，以得到比较结果。6.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，所述通过所述比较电路对每个所述字线组进行比较，以确定存在异常字线的所述字线组，包括：在编程期间，将所述字线组接入所述比较电路的第一输入端，将预设参考电压接入所述比较电路的第二输入端；所述比较电路对所述字线组的工作电压和所述预设参考电压进行比较，输出第一比较信息；根据所述第一比较信息确定存在异常字线的所述字线组。7.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，所述通过所述比较电路对存在异常字线的所述字线组中的字线进行比较，以确定异常字线，包括：将存在异常字线的所述字线组中的任意两条字线分别接入所述比较电路的两输入端；对所述字线进行预充电操作，获取预充电期间所述比较电路输出的第二比较信息；基于所述第二比较信息，将电压较小的字线确定为异常字线。8.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，所述通过所述比较电路对存在异常字线的所述字线组中的字线进行比较，以确定异常字线，包括：将存在异常字线的所述字线组中的任意两条字线分别接入所述比较电路的两输...

【专利技术属性】
技术研发人员：张扬，王瑜，曾子玉，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：