一种晶体生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶体生长装置，包括：壳体，设置第一通孔；籽晶杆移动组件，设置于壳体外；籽晶杆，与籽晶杆移动组件连接并穿过第一通孔；坩埚，位于壳体内，并用于装载熔体，坩埚位于籽晶杆下方；加热装置，围绕坩埚设置；红外测温器，设置于壳体，红外测温器用于检测熔体的温度；升降装置，设置于所述坩埚的底部，并用于根据测温器测量的温度调整坩埚的位置；或设置于加热装置的底部，并用于根据测温器测量的温度调整加热装置的位置。通过红外测温器测量熔体的温度，并根据测温器测量的温度调整坩埚的位置或加热装置的位置，从而确保熔体的液面处的温度稳定，以确保晶体稳定生长，提高晶体的质量。提高晶体的质量。提高晶体的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长装置


[0001]本技术涉及晶体生长
，尤其涉及的是一种晶体生长装置。

技术介绍

[0002]晶体生长过程中，晶体生长界面的温度对晶体生长至关重要。现有技术中，随着晶体的不断生长，坩埚和加热装置是固定设置的，坩埚内熔体的液面一直处于缓慢下降状态，那么熔体的液面处的温度也是一直在变化，影响生长的晶体的质量。
[0003]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种晶体生长装置，旨在解决现有技术中晶体生长时熔体的液面处的温度不稳定的问题。
[0005]本技术解决技术问题所采用的技术方案如下：
[0006]一种晶体生长装置，其中，包括：
[0007]壳体，所述壳体上设置第一通孔；
[0008]籽晶杆移动组件，所述籽晶移动组件设置于所述壳体外；
[0009]籽晶杆，所述籽晶杆与所述籽晶杆移动组件连接并穿过所述第一通孔；
[0010]坩埚，所述坩埚位于所述壳体内，并用于装载熔体，所述坩埚位于所述籽晶杆下方；
[0011]加热装置，所述加热装置围绕所述坩埚设置；
[0012]红外测温器，所述红外测温器设置于所述壳体，所述红外测温器用于检测熔体的温度；
[0013]升降装置，所述升降装置设置于所述坩埚的底部，并用于根据所述测温器测量的温度调整所述坩埚的位置；或所述升降装置设置于所述加热装置的底部，并用于根据所述测温器测量的温度调整所述加热装置的位置。
[0014]所述的晶体生长装置，其中，所述壳体上设置第二通孔，所述红外测温器设置于所述第二通孔处；
[0015]所述晶体生长装置还包括：
[0016]保温罩，所述保温罩位于所述壳体内，所述保温罩设置有第三通孔；
[0017]所述红外测温器的感温头朝向所述坩埚，所述第二通孔和所述第三通孔均位于所述坩埚和所述感温头之间。
[0018]所述的晶体生长装置，其中，所述坩埚内设置有模具，所述感温头朝向所述模具的上表面。
[0019]所述的晶体生长装置，其中，所述壳体上设置有第四通孔；
[0020]当所述升降装置设置于所述坩埚的底部时，所述升降装置包括：
[0021]升降组件，所述升降组件设置于所述壳体外；
[0022]支撑组件，所述支撑组件设置于所述升降组件，所述支撑组件穿过所述第四通孔并与所述坩埚连接。
[0023]所述的晶体生长装置，其中，所述支撑组件包括：
[0024]支撑盘，所述支撑盘与所述坩埚连接；
[0025]支撑杆，所述支撑杆与所述支撑盘连接，所述支撑杆内形成容纳空间；
[0026]冷却件，所述冷却件位于所述容纳空间内以冷却所述支撑杆。
[0027]所述的晶体生长装置，其中，所述籽晶杆移动组件包括：
[0028]Z轴升降装置，所述Z轴升降装置设置于所述壳体外；
[0029]其中，所述Z轴升降装置与所述籽晶杆连接。
[0030]所述的晶体生长装置，其中，所述籽晶杆移动组件还包括：
[0031]X轴平移装置，所述X轴平移装置设置于所述Z轴升降装置；
[0032]Y轴平移装置，所述Y轴平移装置设置于所述X轴平移装置；
[0033]称重壳，所述称重壳与所述Y轴平移装置连接；
[0034]称重传感器，设置于所述壳体内；
[0035]转动件，设置于所述称重传感器；
[0036]其中，所述转动件与所述籽晶杆连接，所述转动件用于驱动所述籽晶杆转动。
[0037]有益效果：通过红外测温器测量熔体的温度，并根据测温器测量的温度调整坩埚的位置或加热装置的位置，从而调整熔体的温度，确保熔体的液面处的温度稳定，以确保晶体稳定生长，提高晶体的质量。
附图说明
[0038]图1是本技术中晶体生长装置的截面图。
[0039]图2是图1中放大图。
[0040]图3是本技术中晶体生长装置的立体图。
[0041]图4是本技术中坩埚、保温罩以及加热装置的截面图。
[0042]图5是本技术中坩埚、保温罩以及加热装置的立体图。
[0043]图6是本技术中坩埚以及模具的截面图。
[0044]图7是本技术中升降装置的第一截面图。
[0045]图8是本技术中升降装置的立体图。
[0046]图9是本技术中升降装置的结构示意图。
[0047]图10是本技术中升降装置的第二截面图。
[0048]图11是本技术中籽晶杆移动装置的立体图。
[0049]图12是本技术中称重传感器和转动件的截面图。
[0050]图13是本技术中Z轴平移装置的结构示意图。
[0051]图14是本技术中X轴平移装置和Y轴平移装置的第一结构示意图。
[0052]图15是本技术中X轴平移装置和Y轴平移装置的第二结构示意图。
[0053]图16是本技术中X轴平移装置和Y轴平移装置的第三结构示意图。
[0054]附图标记说明：
[0055]10、壳体；11、第一通孔；12、第一管体；13、第一安装座；14、第二通孔；15、第四通
孔；20、红外测温器；21、感温头；30、籽晶杆；31、坩埚；32、加热装置；33、保温罩；331、第三通孔；34、模具；40、升降装置；41、升降组件；411、基座；412、升降螺杆；413、升降驱动件；414、升降连接件；415、升降导轨；416、升降滑块；42、支撑组件；421、支撑盘；422、支撑杆；50、Z轴升降装置；51、立柱；52、Z轴导轨；53、Z轴螺杆；54、Z轴驱动件；55、Z轴连接件；56、Z轴滑块；57、第五通孔；60、X轴平移装置；61、X轴导轨；62、X轴滑块；63、X轴螺杆；64、X轴驱动件；65、X轴连接件；66、第六通孔；70、Y轴平移装置；71、Y轴导轨；72、Y轴滑块；73、Y轴螺杆；74、Y轴驱动件；75、Y轴连接件；76、第七通孔；80、称重壳；81、第八通孔；82、称重传感器；83、转动件；831、第二安装座；832、电机；833、轴承；84、第二管体。
具体实施方式
[0056]为使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0057]技术人通过研究发现，坩埚和加热装置是固定设置的，坩埚内熔体的液面一直处于缓慢下降状态，那么熔体的液面处的温度也是一直在变化。例如采用感应线圈对坩埚进行加热时，感应线圈中间位置对应的坩埚位置的温度较高，感应线圈两端位置对应的坩埚位置的温度较低，在坩埚竖直方向上，随着熔体的液面的下降，熔体的液面处的温度先增加后降低，不利于晶体生长。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：壳体，所述壳体上设置第一通孔；籽晶杆移动组件，所述籽晶杆移动组件设置于所述壳体外；籽晶杆，所述籽晶杆与所述籽晶杆移动组件连接并穿过所述第一通孔；坩埚，所述坩埚位于所述壳体内，并用于装载熔体，所述坩埚位于所述籽晶杆下方；加热装置，所述加热装置围绕所述坩埚设置；红外测温器，所述红外测温器设置于所述壳体，所述红外测温器用于检测熔体的温度；升降装置，所述升降装置设置于所述坩埚的底部，并用于根据所述测温器测量的温度调整所述坩埚的位置；或所述升降装置设置于所述加热装置的底部，并用于根据所述测温器测量的温度调整所述加热装置的位置。2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述壳体上设置第二通孔，所述红外测温器设置于所述第二通孔处；所述晶体生长装置还包括：保温罩，所述保温罩位于所述壳体内，所述保温罩设置有第三通孔；所述红外测温器的感温头朝向所述坩埚，所述第二通孔和所述第三通孔均位于所述坩埚和所述感温头之间。3.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚内设置有模具，所述感温头朝向所述模具的上表面。4.根据权利要求1所述的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐红基，王晓亮，赛青林，
申请(专利权)人：杭州富加镓业科技有限公司，
类型：新型
国别省市：