一种晶体生长的反射装置以及晶体生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶体生长的反射装置以及晶体生长装置，所述晶体生长的反射装置包括：籽晶杆；反射屏，所述反射屏围绕所述籽晶杆设置，所述反射屏用于反射热能。由于籽晶杆外设置有反射屏，通过反射屏反射热能，从而确保籽晶杆长度方向上的温度梯度变小，利于晶体生长，提高晶体质量。提高晶体质量。提高晶体质量。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长的反射装置以及晶体生长装置


[0001]本技术涉及晶体生长
，尤其涉及的是一种晶体生长的反射装置以及晶体生长装置。

技术介绍

[0002]在制备氧化镓等单晶时，先将氧化镓等原材料熔融，然后采用装载有籽晶的籽晶杆从熔融体的表面进行提拉得到单晶。现有技术中在制备氧化镓单晶时，通常坩埚处的温度较高，而远离坩埚的籽晶杆处温度较低，因此，形成了较大的温度梯度，会使生长出来的晶体降温速度过快。
[0003]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种晶体生长的反射装置以及晶体生长装置，旨在解决现有技术中晶体降温速度过快的问题。
[0005]本技术解决技术问题所采用的技术方案如下：
[0006]一种晶体生长的反射装置，其中，其包括：
[0007]籽晶杆；
[0008]反射屏，所述反射屏围绕所述籽晶杆设置，所述反射屏用于反射热能。
[0009]所述的晶体生长的反射装置，其中，所述反射屏为铱或铱合金反射屏。
[0010]所述的晶体生长的反射装置，其中，所述反射屏与所述籽晶杆连接。
[0011]所述的晶体生长的反射装置，其中，所述籽晶杆的一端用于夹持籽晶；
[0012]所述反射屏的中心向远离所述籽晶杆上所述籽晶一端凸出。
[0013]所述的晶体生长的反射装置，其中，所述反射屏包括：
[0014]基部，与所述籽晶杆连接；
[0015]反射片，所述反射片的一端与所述基部连接。
[0016]所述的晶体生长的反射装置，其中，所述反射片有若干个；
[0017]若干个所述反射片均呈扇形。
[0018]所述的晶体生长的反射装置，其中，所述反射屏与所述籽晶杆卡接。
[0019]所述的晶体生长的反射装置，其中，所述籽晶杆上设置有卡槽；
[0020]所述基部设置有卡凸，所述卡凸卡入所述卡槽中。
[0021]所述的晶体生长的反射装置，其中，所述卡槽有若干个，若干个所述卡槽沿所述籽晶杆的长度方向设置；
[0022]所述卡凸与所述基部滑动连接。
[0023]一种晶体生长装置，其中，包括：如上述任意一项所述的晶体生长的反射装置。
[0024]有益效果：本技术在籽晶杆外设置反射屏，通过反射屏反射热能，从而确保籽晶杆长度方向上的温度梯度变小，利于晶体缓慢降温，提高晶体质量。
附图说明
[0025]图1是本技术中晶体生长的反射装置的结构示意图。
[0026]附图标号说明：
[0027]1、籽晶杆；2、头部；3、杆部；4、籽晶；5、晶体；10、反射屏；11、基部；12、反射片；13、封边部件。
具体实施方式
[0028]为使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0029]在制备氧化镓等单晶时，先将氧化镓等原材料熔融，然后采用装载有籽晶的籽晶杆从熔融体的表面进行提拉得到单晶。现有技术中在制备氧化镓单晶时，通常坩埚处的温度较高，而远离坩埚的籽晶杆处温度较低，因此，形成了较大的温度梯度，会使晶体降温速度过快，容易在晶体内部形成内应力，不利于晶体的降温。
[0030]基于此，第一方面，本技术实施例提供了一种晶体5生长的反射装置，包括：籽晶杆1；反射屏10，所述反射屏10围绕所述籽晶杆1设置，所述反射屏10用于反射热能。
[0031]如图1所示，具体的，籽晶杆1包括头部2和杆部3，籽晶杆1的头部2用于固定籽晶4，在制备晶体时，籽晶杆1的头部2位于坩埚附近。所述反射屏10围绕籽晶杆1的长度方向设置，反射屏10为平面状或伞状，在坩埚制备晶体5时，此时反射屏10与坩埚形成一个较为封闭的空间，籽晶杆1长度方向上的温度梯度变小，此时籽晶杆1的头部2处于一个相对恒温的状态，利于晶体5的降温，使得晶体5的内应力较小。
[0032]由于坩埚内的温度较高，为了能够使得反射屏10不易受到高温的影响而产生变形，在本实施方式中，将所述反射屏10的材料设定为耐高温材料，具体的，可以设置为铱或铱合金反射屏。
[0033]在一种较佳的实施方式中，反射屏10可以均匀的设置在籽晶杆1的四周。
[0034]在本技术的一个较佳实施例中，所述反射屏10与所述籽晶杆1连接。
[0035]具体的，反射屏10和所述籽晶杆1可以为固定连接，也可以为滑动连接。当反射屏10和籽晶杆1固定连接时，反射屏10一般固定在籽晶杆1的杆部3。当籽晶杆1为滑动连接时，也就是说反射屏10可以围绕籽晶杆1上下滑动，从而可以将反射屏10设置在籽晶杆1长度方向上不同的位置上。
[0036]在上述实施方式的基础上，所述反射屏10的中心向远离所述籽晶杆1上所述籽晶4一端凸出。如图1所示，反射屏10的中心向远离籽晶4的方向凸出，形成上凸结构，上凸结构可以是伞状，上凸结构还可以是半球壳状。
[0037]具体的，所述反射屏10包括：基部11，与所述籽晶杆1连接；反射片12，所述反射片12的一端与所述基部11连接。
[0038]如图1所示，在一种实施方式中，反射屏10包括基部11和多个反射片12，基部11与籽晶杆1的杆部3固定连接，在基部11上设有多个连接孔(图中未示出)，多个反射片12的第一端对应连接在基部11的连接孔上，进一步的，反射片12基部11可以转动连接，由此，通过转动多个反射片12可以改变反射面的收缩范围。在一种较佳的实施方式中，反射片12可相
对基部11转动的角度为0～90度，当把多个反射片12转动到与籽晶杆1平行的状态时，此时反射屏10呈现闭合状态，便于携带和放置。当把多个反射片12转动90度时，此时反射屏10覆盖的范围最大，在使用时，可以根据实际需求来转动反射片12，以达到最好的隔热效果，保持籽晶杆1温度的恒定性。
[0039]在上述实施例的基础上，所述若干个反射片12均呈扇形，进一步的，若干个反射片12的形状和大小一致。
[0040]在上述实方式的基础上，所述反射屏10还包括封边部件13，具体的，若干个反射片12的第二端通过封边部件13固定连接在一起，使得反射屏10更加牢固。
[0041]进一步的，如图1所示，该封边部件13为圆形。
[0042]作为另一种实施方式中，所述反射屏10与所述籽晶杆1卡接。具体的，在籽晶杆1的长度方向上设置有多个固定部，反射屏10的基部11可以固定连接在任一固定部上，因此，在本实施方式中，可通过调节基部11在籽晶杆1上的固定位置来使得反射屏10距离坩埚的合适距离。
[0043]实施反射屏10与所述籽晶杆1卡接的方式有多种，在一种较佳的实施方式中，所述籽晶杆1上设置有卡槽，所述基部11设置有卡凸，所述卡凸卡入所述卡槽中。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长的反射装置，其特征在于，其包括：籽晶杆；反射屏，所述反射屏围绕所述籽晶杆设置，所述反射屏用于反射热能。2.根据权利要求1所述的晶体生长的反射装置，其特征在于，所述反射屏为铱或铱合金反射屏。3.根据权利要求1所述的晶体生长的反射装置，其特征在于，所述反射屏与所述籽晶杆连接。4.根据权利要求3所述的晶体生长的反射装置，其特征在于，所述籽晶杆的一端用于夹持籽晶；所述反射屏的中心向远离所述籽晶杆上所述籽晶一端凸出。5.根据权利要求4所述的晶体生长的反射装置，其特征在于，所述反射屏包括：基部，与所述籽晶杆连接；反射片，所述反射片的一端与所述基部连接。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐红基，王晓亮，
申请(专利权)人：杭州富加镓业科技有限公司，
类型：新型
国别省市：