一种导模法生长晶体的热场结构及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种导模法生长晶体的热场结构及装置，涉及人工晶体技术领域。热场结构包括：第一保温体，第一保温体包括：第一通孔，设置在第一保温体的中心轴上；若干个第二通孔，两两对称设置在第一保温体的侧壁上，第一通孔与若干个第二个通孔连通；罩体，罩设在第一保温体外，第一保温体的四周及顶部均与罩体之间具有空隙；罩体的侧壁上设置有透明观察窗，用于通过若干个第二通孔观察氧化镓晶体的生长。本发明专利技术中的热场结构能够有效引导热气流的走向，第一保温体的四周和罩体之间的空隙中能够形成稳定的自上而下的热气流，同时第二通孔中能够形成自外朝内的热气流，有效抑制挥发物在观察窗上的沉积，使得技术人员能够观察到晶体生长过程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及人工晶体，尤其涉及一种导模法生长晶体的热场结构及装置。

技术介绍

1、目前，生长晶体的方法有导模法、坩埚下降法等。其中导模法是一种借助模具将熔液通过毛细作用输运至模具顶部生长成晶体的生长方法。通过加热，将坩埚内的晶体原料融化成熔体，模具放在坩埚中，使熔体通过模具的毛细作用输运至模具顶部，存放在毛细缝隙中。此时将籽晶缓慢下降，与模具上表面接触，使籽晶微微融，此时籽晶与模具之间形成一层薄薄的液膜，然后通过变速的提拉籽晶，使液膜不断凝固形成单晶，晶体形状由模具形状决定。

2、但是，目前导模法生长晶体(例如氧化镓晶体等)存在一定的困难。氧化镓生长温度高，生长过程中挥发物严重，现有技术中热场结构中的气流方向是从发热体坩埚上方流向观察窗，因此，挥发物会沉积在观察窗上，而挥发物遮挡观察窗使技术人员不易观察到晶体生长过程，导致晶体生长不可控。

3、因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种导模法生长晶体的热场结构及装置，旨在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种导模法生长晶体的热场结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的热场结构，其特征在于，所述第二通孔的中心轴方向与水平方向之间的夹角小于等于20°。

3.根据权利要求1所述的热场结构，其特征在于，所述第一保温体的四周与所述罩体的侧壁之间的空隙为3-5cm。

4.根据权利要求1所述的热场结构，其特征在于，所述第一保温体的顶部与所述罩体的顶壁之间的空隙为2-5cm。

5.根据权利要求1所述的热场结构，其特征在于，所述罩体的侧壁的材质为石英或玻璃，所述罩体的顶壁的材质为氧化铝、氧化锆、石英中的至少一种；所述罩体的顶壁的中心位置处设置有...

【技术特征摘要】

1.一种导模法生长晶体的热场结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的热场结构，其特征在于，所述第二通孔的中心轴方向与水平方向之间的夹角小于等于20°。

3.根据权利要求1所述的热场结构，其特征在于，所述第一保温体的四周与所述罩体的侧壁之间的空隙为3-5cm。

4.根据权利要求1所述的热场结构，其特征在于，所述第一保温体的顶部与所述罩体的顶壁之间的空隙为2-5cm。

5.根据权利要求1所述的热场结构，其特征在于，所述罩体的侧壁的材质为石英...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐红基，黄东阳，秦娟，徐子骞，
申请(专利权)人：杭州富加镓业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：