【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体材料制备，尤其是涉及一种磷化铟多晶合成方法。
技术介绍
1、磷化铟多晶因其电子迁移率高、禁带宽度大、抗辐射能力强、光电转换效率高等特点，成为新一代微电子、光电子功能材料。近年来，磷化铟在科技产业逐渐被深入使用，积极推动了世界互联网产业的数据信息传输，不断满足人们对网络、通讯的更高发展要求。
2、通常，磷化铟多晶的制备通过在封闭的石英管内进行多晶合成和晶体生长，该过程中由于磷蒸气的产生，会导致石英管内部的气体压强增大，而石英管的工作出于真空环境下，反应腔体内外存在一定的压差，抽真空的过程中石英管的尾端应力集中，致使石英管发生断裂，且上述现象随石英管长度的加长而加剧。因此，目前行业内还是采用常规长度的石英管进行磷化铟多晶的合成，由于石英管的大小有限，单次合成过程中磷化铟多晶的生产效率低，能耗高，无法满足当下磷化铟多晶大需求量的现实需要。
技术实现思路
1、为了解决上述至少一种技术问题，开发一种能够有效避免合成过程中石英管发生断裂，且合成过程可控性强、磷化铟多晶合成产...
【技术保护点】
1.一种磷化铟多晶的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的磷化铟多晶的合成方法，其特征在于，所述石英舟与所述石英管的长度比为（60-70）：（170-200）。
3.根据权利要求2所述的磷化铟多晶的合成方法，其特征在于，所述石英舟的长度为600-700mm。
4.根据权利要求3所述的磷化铟多晶的合成方法，其特征在于，所述石英舟的宽度为80-100mm。
5.根据权利要求1所述的磷化铟多晶的合成方法，其特征在于，在步骤S3中，升温过程中，所述高温区的升温过程按照如下方式进行：先以15-30℃/h的升...
【技术特征摘要】
1.一种磷化铟多晶的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的磷化铟多晶的合成方法，其特征在于，所述石英舟与所述石英管的长度比为（60-70）：（170-200）。
3.根据权利要求2所述的磷化铟多晶的合成方法，其特征在于，所述石英舟的长度为600-700mm。
4.根据权利要求3所述的磷化铟多晶的合成方法，其特征在于，所述石英舟的宽度为80-100mm。
5.根据权利要求1所述的磷化铟多晶的合成方法，其特征在于，在步骤s3中，升温过程中，所述高温区的升温过程按照如下方式进行：先以15-30℃/h的升温速率将所述高温区由10-30℃升温至290-310℃后，恒温1.0-2.0h，再以15-30℃/h的升温速率升温至540-560℃，恒温3.0-4.0h，接着，以30-40℃/h的升温速率升温至1050-1150℃，并恒温10-15h。
6.根据权利要求1所述的磷化铟多晶的合成方法，其特征在于，在步骤s3中，升温过程中，所述低温区的升...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔印彬，范钦明，陈政委，赵德刚，张宇峰，
申请(专利权)人：北京铭镓半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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