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本申请公开了一种磷化铟多晶的合成方法，涉及半导体材料制备技术领域，磷化铟多晶的合成过程在加长的石英管中进行，为避免合成过程中石英管发生断裂，对石英舟的尺寸、石英舟上铟的质量及合成过程的工艺条件进行相应调整。通过采用上述技术方案，有效避免合成...
该专利属于北京铭镓半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京铭镓半导体有限公司授权不得商用。

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