【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请要求于2020年9月7日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0113854号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
[0002]专利技术构思的示例实施例涉及一种半导体装置。更具体地，专利技术构思的示例实施例涉及包括源极/漏极层的晶体管。
技术介绍
[0003]当在DRAM装置的外围电路区域中形成晶体管时，在基底上形成栅极结构，并且在基底的与栅极结构相邻的上部处形成源极/漏极层。可以通过在基底上形成用作离子注入掩模的光致抗蚀剂图案，然后执行离子注入工艺来形成源极/漏极层。可以通过在基底上形成光致抗蚀剂层以覆盖栅极结构，然后对光致抗蚀剂层执行曝光工艺和显影工艺，使得可以穿过光致抗蚀剂层形成开口以暴露栅极结构之间的区域来形成光致抗蚀剂图案。最近，随着栅极结构之间的距离减小，穿过光致抗蚀剂层的开口可以具有减小的尺寸，由于使用KrF激光设备的曝光工艺的分辨率限制，这可能难以形成。
技术实现思路
[0004]示...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：栅极结构，位于基底上；第一间隔件结构和第二间隔件结构，分别位于栅极结构的彼此相对的第一侧壁和第二侧壁上；以及第一源极/漏极层和第二源极/漏极层，分别位于基底的与栅极结构的第一侧壁相邻的上部和基底的与栅极结构的第二侧壁相邻的上部处，其中，栅极结构的上表面具有参照作为基准面的基底的上表面从栅极结构的中心部分到栅极结构的第一侧壁减小并且从栅极结构的中心部分到栅极结构的第二侧壁基本恒定的高度。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅极结构包括顺序地堆叠在基底上的栅极绝缘图案、第一导电图案、扩散阻挡件、第二导电图案和栅极掩模，其中，栅极掩模的上表面具有参照作为基准面的基底的上表面从栅极结构的中心部分到栅极结构的第一侧壁减小并且从栅极结构的中心部分到栅极结构的第二侧壁基本恒定的高度，并且其中，第二导电图案的上表面具有参照作为基准面的基底的上表面在栅极结构的第一侧壁与栅极结构的第二侧壁之间基本恒定的高度。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一导电图案包括掺杂的多晶硅，扩散阻挡件包括金属硅氮化物，第二导电图案包括金属，并且栅极掩模包括氮化硅。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一间隔件结构和第二间隔件结构彼此不对称，并且具有彼此不同的形状。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，参照作为基准面的基底的上表面，第一间隔件结构的最上表面低于第二间隔件结构的最上表面。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，参照作为基准面的基底的上表面，第一间隔件结构的上表面的高度随着在基本平行于基底的上表面的方向上距栅极结构的第一侧壁的距离增大而逐渐减小。7.根据权利要求1至权利要求6中的任意一项所述的半导体装置，其中，第一间隔件结构包括从栅极结构的第一侧壁在基本平行于基底的上表面的方向上顺序地堆叠的第一间隔件、第一蚀刻停止图案和第三间隔件，并且其中，第二间隔件结构包括从栅极结构的第二侧壁在基本平行于基底的上表面的方向上顺序地堆叠的第二间隔件、第二蚀刻停止图案和第四间隔件。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第一间隔件和第二间隔件中的每个包括氮化硅，第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案中的每个包括氧化硅，并且第三间隔件和第四间隔件中的每个包括氧化硅。9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第一间隔件和第二间隔件中的每个包括氮化硅，第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案中的每个包括金属氧化物，并且第三间隔件和第四间隔件中的每个包括氧化硅。10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案中的每个包括呈“L”形图案的剖面。11.根据权利要求1至权利要求6中的任意一项所述的半导体装置，其中，第一源极/漏
极层和第二源极/漏极层中的每个包括：第一杂质区，包括具有第一浓度的杂质；以及第二杂质区，包括具有大于第一浓度的第二浓度的杂质，第二杂质区位于第一杂质区中。12.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构，在基底上彼此分隔开；第一间隔件结构和第二间隔件结构，分别位于第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构中的每个的彼此相对的第一侧壁和第二侧壁上；以及第一源极/漏极层、第二源极/漏极层、第三源极/漏极层和第四源极/漏极层，分别位于基底的在第一栅极结构与第二栅极结构之间的上部、基底的在第二栅极结构与第三栅极结构之间的上部、基底的在第一栅极结构的一侧处的上部和基底的...
【专利技术属性】
技术研发人员：林东均，金永信，朴基振，宋昊柱，杨同官，尹详皓，李奎贤，李知垠，韩昇煜，洪润基，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。