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提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：栅极结构，位于基底上；第一间隔件结构和第二间隔件结构，分别位于栅极结构的彼此相对的第一侧壁和第二侧壁上；以及第一源极/漏极层和第二源极/漏极层，分别位于基底的与栅极结构的第一侧壁相邻的上部和基底的与...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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