半导体结构及其制作方法、控制方法技术

本公开涉及存储技术领域，提出一种半导体结构及其制作方法、控制方法，该半导体结构包括衬底基板、多条位线、多个主动体、绝缘体、多条字线。绝缘体位于所述衬底基板的一侧；多条位线设置于所述绝缘体内，多条所述位线沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸；多个所述主动体位于所述位线背离所述衬底基板的一侧，主动体在衬底基板的正投影与位线在衬底基板的正投影至少部分重合，且沿所述第二方向上间隔分布；多条字线位于所述绝缘体内，且位于所述位线背离所述衬底基板的一侧，所述字线沿所述第二方向间隔分布且沿第一方向延伸，且在第二方向上的两相邻所述主动体之间仅设置一条所述字线。该半导体结构能够在有限的空间集成较多的存储单元。的存储单元。的存储单元。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法、控制方法


[0001]本公开涉及存储
，尤其涉及一种半导体结构及其制作方法、控制方法。

技术介绍

[0002]存储器通常由多个存储单元组成，每个存储单元包括有开关晶体管、电容。存储器通常通过字线向开关晶体管的栅极提供断通信号，通过位线连接开关晶体管的源/漏极以通过开关晶体管向电容提供逻辑“1”或“0”。
[0003]相关技术中，存储器将字线、位线、开关晶体管、电容集成于同一半导体结构上，然而，在相关技术中，半导体结构中开关晶体管的集成密度较低，从而影响单位尺寸半导体结构中存储单元的个数。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
[0005]公开内容
[0006]本公开的目的在于提供一种半导体结构及其制作方法、控制方法，该半导体结构能够在有限的空间集成较多的存储单元。
[0007]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或区分地通过本公开的实践而习得。
[0008]根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构，其包括：衬底基板、多条位线、多个主动体、绝缘体、多条字线。绝缘体位于所述衬底基板的一侧；多条位线设置于所述绝缘体内，多条所述位线沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸；多个主动体位于所述绝缘体内，所述主动体位于所述位线背离所述衬底基板的一侧，主动体在衬底基板的正投影与位线在衬底基板的正投影至少部分重合，且沿所述第二方向上间隔分布；多条字线位于所述绝缘体内，且位于所述位线背离所述衬底基板的一侧，所述字线沿所述第二方向间隔分布且沿第一方向延伸，且在第二方向上的两相邻所述主动体之间仅设置一条所述字线。本公开一种示例性实施例中，所述主动体包括：第一源/漏部、有源部、第二源/漏部。第一源/漏部位于所述位线背离所述衬底基板的一侧；有源部位于所述第一源/漏部背离所述衬底基板的一侧；第二源/漏部位于所述有源部背离所述衬底基板的一侧。
[0009]本公开一种示例性实施例中，还包括：所述绝缘体包括：第一绝缘体、第二绝缘体、第三绝缘体。第一绝缘体位于所述字线和所述主动体之间；第二绝缘体位于所述字线背离所述衬底基板的一侧；第三绝缘体位于所述字线和所述位线之间。
[0010]本公开一种示例性实施例中，所述第一绝缘体的材料为氧化硅，所述第二绝缘体的材料为氮化硅。
[0011]本公开一种示例性实施例中，所述第一方向和所述第二方向垂直。
[0012]本公开一种示例性实施例中，所述位线和所述衬底基板通过部分所述绝缘体绝缘设置。
[0013]本公开一种示例性实施例中，所述第一源/漏部和所述第二源/漏部的材料为掺杂
多晶硅导体，所述有源部的材料为多晶硅。
[0014]本公开一种示例性实施例中，所述半导体结构还包括第一导体部、第二导体部，第一导体部位于所述位线与所述第一源/漏部之间；第二导体部位于所述第二源/漏部背离所述衬底基板的一侧。
[0015]根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构制作方法，其包括：
[0016]形成一待刻蚀体，所述待刻蚀体包括衬底基板、位于所述衬底基板一侧绝缘体，以及多条位线，所述位线位于所述绝缘体内且多条所述位线沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸；
[0017]在所述绝缘体背离所述位线的一侧形成沿所述第二方向间隔分布且沿第一方向延伸的多条第二凹槽；
[0018]在所述第二凹槽内依次形成字线和第四绝缘层，所述第四绝缘层位于所述字线背离所述第二凹槽槽底的一侧；
[0019]在所述绝缘体背离所述衬底基板的一侧形成多个阵列分布的通孔，所述通孔在所述衬底基板的正投影与所述位线在所述衬底基板的正投影至少部分重合，所述通孔延伸至所述位线面向所述通孔一侧的表面，且所述通孔在所述衬底基板的正投影位于两相邻所述字线在所述衬底基板的正投影之间，且在所述第二方向上，两相邻所述通孔在所述衬底基板的正投影之间仅有一条所述字线在所述衬底基板的正投影；
[0020]在所述字线裸露于所述通孔的一侧形成第五绝缘层；
[0021]在所述通孔内形成第一源/漏部、有源部、第二源/漏部，所述第一源/漏部位于所述位线的一侧，所述有源部位于所述第一源/漏部背离所述位线的一侧，所述第二源/漏部位于所述有源部背离所述位线的一侧。
[0022]本公开一种示例性实施例中，形成一待刻蚀体，包括：
[0023]形成一衬底材料层，所述衬底材料层的一侧面形成有沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸的多条第一凹槽；
[0024]在所述第一凹槽内形成第一绝缘层、位线、第二绝缘层，所述位线位于所述第一绝缘层背离所述第一凹槽底部的一侧，所述第二绝缘层位于所述位线背离所述第一凹槽底部的一侧；
[0025]去除所述第一凹槽槽底所在平面面向第一凹槽开口一侧的衬底材料层，以将剩余所述衬底材料层形成衬底基板，并在去除的衬底材料层位置填充第三绝缘层，以将所述第三绝缘层和所述第一绝缘层、第二绝缘层形成所述绝缘体。
[0026]本公开一种示例性实施例中，在所述通孔内形成第一源/漏部、有源部、第二源/漏部，之前还包括：
[0027]在所述通孔内形成第一导体部，所述第一导体部位于所述位线与所述第一源/漏部之间；
[0028]在所述通孔内形成第一源/漏部、有源部、第二源/漏部，之后还包括：
[0029]在所述通孔内形成第二导体部，所述第二导体部位于所述第二源/漏部背离所述衬底基板的一侧。
[0030]根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构控制方法，用于控制上述的半导体结构，其包括：
[0031]通过同时向相邻两条字线输入导通信号，以导通位于该两条字线之间的主动体。
[0032]本公开提供一种半导体结构及其制作方法、控制方法，该半导体结构包括：包括衬底基板、多条位线、多个主动体、绝缘体、多条字线。绝缘体位于所述衬底基板的一侧；多条位线设置于所述绝缘体内，多条所述位线沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸；多个所述主动体位于所述位线背离所述衬底基板的一侧，主动体在衬底基板的正投影与位线在衬底基板的正投影至少部分重合，且沿所述第二方向上间隔分布；多条字线位于所述绝缘体内，且位于所述位线背离所述衬底基板的一侧，所述字线沿所述第二方向间隔分布且沿第一方向延伸，且在第二方向上的两相邻所述主动体之间仅设置一条所述字线。本公开提供的半导体结构，在第二方向上的两相邻所述主动体之间仅设置一条所述字线，从而减小了第二方向上两相邻主动体之间的间距，即提高了该半导体结构电容单元的集成密度。
[0033]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0034]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底基板；绝缘体，位于所述衬底基板的一侧；多条位线，设置于所述绝缘体内，多条所述位线沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸；多个主动体，位于所述绝缘体内，所述主动体位于所述位线背离所述衬底基板的一侧，所述主动体在所述衬底基板的正投影与所述位线在所述衬底基板的正投影至少部分重合，且沿所述第二方向上间隔分布；多条字线，位于所述绝缘体内，且位于所述位线背离所述衬底基板的一侧，所述字线沿所述第二方向间隔分布且沿第一方向延伸，且在第二方向上的两相邻所述主动体之间仅设置一条所述字线。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘体包括：第一绝缘体，位于所述字线和所述主动体之间；第二绝缘体，位于所述字线背离所述衬底基板的一侧；第三绝缘体，位于所述字线和所述位线之间；所述第二绝缘体的硬度大于所述第一绝缘体、第三绝缘体的硬度。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一绝缘体的材料为氧化硅，所述第二绝缘体的材料为氮化硅。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一方向和所述第二方向垂直。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述位线和所述衬底基板通过部分所述绝缘体绝缘设置。6.根据权利要求1所述的半导体结构，所述主动体包括：第一源/漏部，位于所述位线背离所述衬底基板的一侧；有源部，位于所述第一源/漏部背离所述衬底基板的一侧；第二源/漏部，位于所述有源部背离所述衬底基板的一侧。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一源/漏部和所述第二源/漏部的材料为掺杂多晶硅导体，所述有源部的材料为多晶硅。8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一导体部，位于所述位线与所述第一源/漏部之间；第二导体部，位于所述第二源/漏部背离所述衬底基板的一侧。9.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包括：形成一待刻蚀体，所述待刻蚀体包括衬底基板、位于所述衬底基板一侧绝缘体，以及多条位线，所述位线位于所述绝缘体内且多条所述位线沿第一方向间隔分布且沿第二方...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈涛，施志成，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：