半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体元件及其制造方法，所述半导体元件包括基底、电容器、终止层、第一接触窗与第二接触窗。基底包括存储器阵列区与周边电路区。电容器位于存储器阵列区中。电容器包括第一电极、第二电极与绝缘层。第一电极位于基底上。第二电极位于第一电极上。绝缘层位于第一电极与第二电极之间。终止层位于存储器阵列区中的第二电极上，且延伸至周边电路区中。终止层的材料并非导体材料。第一接触窗位于存储器阵列区中，穿过终止层，且电性连接至第二电极。第二接触窗位于周边电路区中，且穿过终止层。上述半导体元件可提升半导体元件的电性表现。电性表现。电性表现。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体元件及其制造方法，尤其涉及一种具有电容器的半导体元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]目前，在半导体元件的工艺中，会通过氢烧结(H
2 sintering)处理来减少悬键(dangling bonds)，以提升半导体元件的电性表现。在一些半导体元件(如，动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM))中，电容器的上电极包括硼掺杂硅锗层(B-doped SiGe layer)与钨层，其中钨层亦可在形成接触窗的过程中作为蚀刻终止层。然而，在进行氢烧结处理时，钨层会形成氢穿透进入硅基底的强大屏障，而妨碍氢烧结处理的进行。
[0003]目前的解决方案是省略上电极中的钨层，以使得氢烧结处理可以顺利进行。如此一来，由于在形成接触窗的过程中缺少作为蚀刻终止层的钨层，因此必须增加硼掺杂硅锗层的厚度。然而，由于较厚的硼掺杂硅锗层在不同存储器阵列区之间的均匀性较差，因此会降低半导体元件的电性表现。

技术实现思路
/>[0004]本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：基底，包括存储器阵列区与周边电路区；电容器，位于所述存储器阵列区中，且包括：第一电极，位于所述基底上；第二电极，位于所述第一电极上；以及绝缘层，位于所述第一电极与所述第二电极之间；终止层，位于所述存储器阵列区中的所述第二电极上，且延伸至所述周边电路区中，其中所述终止层的材料并非导体材料；第一接触窗，位于所述存储器阵列区中，穿过所述终止层，且电性连接至所述第二电极；以及第二接触窗，位于所述周边电路区中，且穿过所述终止层。2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中所述终止层沿着所述电容器的侧壁进行延伸。3.根据权利要求1所述的半导体元件，其中所述第二电极包括：第一导体层，其中所述第一导体层的材料包括经掺杂的半导体材料；以及第二导体层，位于所述第一导体层与所述绝缘层之间，其中所述第二导体层的材料包括钛、氮化钛或其组合。4.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括：缓冲层，位于所述存储器阵列区与所述周边电路区中，且位于所述终止层与所述第二电极之间，其中所述缓冲层的材料包括氧化物，且所述终止层的材料包括氮化物。5.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括：平坦层，位于所述终止层上，其中所述平坦层的材料包括氧化物，且所述终止层的材料包括氮化物。6.一种半导体元件的制造方法，包括：提供基底，其中所述基底包括存储器阵列区与周边电路区；在所述存储器阵列区中的所述基底上形成电容器，其中所述电容器包括：第一电极，位于所述基底上；第二电极，位于所述第一电极上；以及绝缘层，位于所述第一电极与所述第二电极之间；同时在所述存储器阵列区与所述周边电路区中形成终止层，其中所述终止层位于所述第二电极上，且所述终止层的材料并非导体材料；以及在所述存储器阵列区中形成第一接触窗，且在所述周边电路区中形成第二接触窗，其中所述第一接触窗与所述第二接触窗穿过所述终止层，且所述第一接触窗电性连接至所述第二电极。7.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，还包括：在形成所述终止层之前，在所述存储器阵列区与所述周边电路区中形成缓冲层；以及在形成所述终止层之后，在所述终止层上形成平坦层。8.根据权利要求7所述的半导体元件的制造方...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭德轩，任楷，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：