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本发明提供一种半导体元件及其制造方法，所述半导体元件包括基底、电容器、终止层、第一接触窗与第二接触窗。基底包括存储器阵列区与周边电路区。电容器位于存储器阵列区中。电容器包括第一电极、第二电极与绝缘层。第一电极位于基底上。第二电极位于第一电极...
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