焊盘、包含该焊盘的半导体器件、封装件、背光单元及照明设备制造技术

本发明专利技术涉及半导体器件领域，公开了一种焊盘、包含该焊盘的半导体器件、封装件、背光单元及照明设备，该焊盘包括金属反射层，具有与半导体器件中电极的表面相对的第一表面，以及从第一表面的边缘延伸并连接至电极的第二表面；阻挡层，具有与第一表面相对的顶面阻挡层，该顶面阻挡层覆盖于第一表面上；金属间化合物层，具有顶面金属间化合物层，该顶面金属间化合物层覆盖于顶面阻挡层上；焊料凸块，其键合至阻挡层，并使金属间化合物层介于焊料凸块与阻挡层之间。本发明专利技术中的焊盘结构能够有效隔离金属间化合物层或焊料凸块与金属反射层，防止金属间化合物层或焊料凸块扩散至金属反射层，进而防止金属间化合物层或焊料凸块经金属反射层扩散至电极。射层扩散至电极。射层扩散至电极。

【技术实现步骤摘要】
焊盘、包含该焊盘的半导体器件、封装件、背光单元及照明设备


[0001]本专利技术涉及半导体器件领域，特别涉及一种焊盘、包含该焊盘的半导体器件、封装件、背光单元及照明设备。

技术介绍

[0002]形成在发光二极管的半导体芯片的电极上的焊料凸块可通过在金属反射层上形成焊料以及使焊料回流而形成，由于在回流处理期间焊料的相变，使得形成在焊料与金属反射层之间的金属间化合物层会由于金属反射层的润湿性而扩散至金属反射层的第二表面（侧表面），进而导致焊料或金属间化合物层与电极接触，相变所产生的残余应力会导致金属间化合物层中与电极接触的部分产生裂纹，从而会使得焊料凸块与电极分离。
[0003]公开号为CN105591016A、专利技术名称为互连凸块、半导体器件、半导体器件封装件和照明设备的专利技术专利中，通过在凸块下冶金层的第二表面（侧表面）上覆盖阻挡层，以防止焊料凸块或金属间化合物层中的其中之一扩散至凸块下冶金层的第二表面（侧表面），进而防止焊料凸块或金属间化合物层中的其中之一经第二表面（侧表面）扩散至凸块下冶金层下方的电极。该专利中，凸块下冶金层的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1. 一种焊盘，用于半导体器件上，其特征在于，包括金属反射层（810），具有与所述半导体器件中电极的表面相对的第一表面（811），以及从所述第一表面（811）的边缘延伸并连接至所述电极的第二表面（812）；阻挡层（820），具有与所述第一表面相（811）对的顶面阻挡层（821），该顶面阻挡层（821）覆盖于所述第一表面（811）上； 金属间化合物层（830），具有顶面金属间化合物层（831），该顶面金属间化合物层（831）覆盖于所述顶面阻挡层（821）上； 焊料凸块（840），其键合至所述阻挡层（820），并使所述金属间化合物层（830）介于所述焊料凸块（840）与所述阻挡层（820）之间。2.根据权利要求1所述的焊盘，其特征在于，所述阻挡层（820）还具有与所述第二表面（812）相对的侧面阻挡层（822），该侧面阻挡层（822）覆盖所述第二表面（812）的部分或全部。3.根据权利要求2所述的焊盘，其特征在于，所述侧面阻挡层（822）的厚度大于或等于所述顶面阻挡层（821）的厚度。4.根据权利要求2所述的焊盘，其特征在于，所述金属间化合物层（830）还具有与所述侧面阻挡层（822）相对的侧面金属间化合物层（832），该侧面金属间化合物层（832）覆盖所述侧面阻挡层（822）。5.根据权利要求4所述的焊盘，其特征在于，所述侧面金属间化合物层（832）的厚度大于或等于所述顶面金属间化合物层（831）的厚度。6.根据权利要求5所述的焊盘，其特征在于，所述侧面金属间化合物层（832）的厚度与所述顶面金属间化合物层（831）的厚度之差大于等于所述金属间化合物层（830）与所述焊料凸块（840）互溶的厚度。7.根据权利要求1至6中任一项所述的焊盘，其特征在于，所述金属反射层（810）为Cr层、Ti层、Ni层、Al层或Ag层。8.根据权利要求7所述的焊盘，其特征在于，所述金属反射层（810）的厚度为5000A~20000A。9.根据权利要求1至6中任一项所述的焊盘，其特征在于，所述阻挡层（820）为Ti/Pt/Ti三层结构。10. 根据权利要求1至6中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王思博，廖汉忠，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：