【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及其制备方法
[0001]本专利技术涉及芯片封装领域,尤其涉及一种芯片封装结构及其制备方法。
技术介绍
[0002]Micro
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LED(微型发光二极管)是新一代显示技术,比现有的OLED(有机发光二极管)技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低。
[0003]现有的Micro LED产品制程主要分五步,一、制作带金属线路的背板;二、将芯片键合在玻璃基板上;三、在玻璃基板上进行封胶;四、对封胶玻璃进行切割和研磨,确定最终的显示尺寸;五、将玻璃基板正面和反面的金属线路进行搭接,最终点亮。
[0004]现阶段主要采用激光切割法对封胶玻璃进行切割,激光从黑胶面切割至玻璃内部,然后依靠外力促使切割应力渗透,对玻璃进行裂片,此时玻璃就会存在崩边问题,导致无法进行侧边连线,并且玻璃本身的强度也会降低。因此,需要通过研磨制程将崩边区域研磨掉。
[0005]在研磨过程中,金属铜夹在黑胶与玻璃之间,由于金属铜具有很强的拉伸性,导致研磨棒无法将铜研磨掉,所以铜在黑胶与玻璃之间堆积。堆积的铜像一 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构的制备方法,其特征在于,包括:提供基板;于所述基板表面形成网状排布的金属线路,各所述金属线路的端部形成有间隔排布的第一沟槽,所述第一沟槽的延伸方向与所述金属线路的延伸方向相同,且所述第一沟槽具有第一深度;键合芯片于所述金属线路的表面;形成封装层,覆盖所述芯片和所述金属线路,得到第一中间封装结构;对所述第一中间封装结构执行切割工艺,于所述金属线路的端部形成具有第二深度的第二沟槽,所述第二深度小于所述第一深度。2.如权利要求1所述的芯片封装结构的制备方法,其特征在于,所述对所述第一中间封装结构执行切割工艺,包括:将所述第一中间封装结构真空吸附于底座;确定切割线的位置,所述切割线将所述第一沟槽划分为第一部分和第二部分,所述第一部分包括具有所述第二深度的所述第二沟槽;所述第二部分包括待切割金属部;沿所述切割线切割所述第一中间封装结构,保留所述第一部分,去除所述第二部分。3.如权利要求2所述的芯片封装结构的制备方法,其特征在于,对所述第一中间封装结构执行切割工艺之后得到第二中间封装结构,所述芯片封装结构的制备方法还包括研磨工艺,所述研磨工艺包括:将所述第二中间封装结构真空吸附于所述底座;确定研磨终止线的位置,所述研磨终止线将所述第二沟槽划分为第三部分和第四部分;其中,所述第三部分包括具有第三深度的第三沟槽,所述第四部分包括待研磨金属部;所述待研磨金属部...
【专利技术属性】
技术研发人员:周伟,龚立伟,
申请(专利权)人:重庆康佳光电技术研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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