发光装置、发光组件、及覆晶式集成电路芯片制造方法及图纸

技术编号:32432540 阅读:39 留言:0更新日期:2022-02-24 18:51
本申请公开一种发光装置、发光组件、及覆晶式集成电路芯片。所述覆晶式集成电路芯片包含一覆晶式集成电路芯片、多个覆晶式发光二极管芯片、與一基板。所述覆晶式集成电路芯片具有多个覆晶接垫。多个所述覆晶式发光二极管芯片与所述覆晶式集成电路芯片呈间隔地设置。所述基板承载所述覆晶式集成电路芯片和多个所述覆晶式发光二极管芯片,所述覆晶式集成电路芯片的多个所述覆晶接垫与多个所述覆晶式发光二极管芯片的多个电极以焊接方式设置在所述基板,且多个所述覆晶式发光二极管芯片通过所述基板以电性耦接所述覆晶式集成电路芯片。据此,所述覆晶式集成电路芯片通过所述线路重构层形成多个所述覆晶接垫,以适用于覆晶制程。程。程。

【技术实现步骤摘要】
发光装置、发光组件、及覆晶式集成电路芯片


[0001]本申请涉及一种集成电路芯片,尤其涉及一种发光装置、发光组件、及覆晶式集成电路芯片。

技术介绍

[0002]用来驱动发光二极管芯片的现有集成电路芯片是具备仅适用于打线方式的多个打线接垫,所以采用现有集成电路芯片的任何发光装置,其架构将受到多个所述打线接垫的影响而难以进一步地改良。
[0003]于是,本申请人认为上述缺陷可改善,乃特潜心研究并配合科学原理的运用,终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本申请。

技术实现思路

[0004]本申请实施例在于提供一种发光装置、发光组件、及覆晶式集成电路芯片,其能有效地改善现有集成电路芯片所可能产生的缺陷。
[0005]本申请实施例公开一种发光装置,其特征在于,所述发光装置包括:一覆晶式集成电路芯片,具有多个覆晶接垫;多个覆晶式发光二极管芯片,其与所述覆晶式集成电路芯片呈间隔地设置;以及一基板,承载所述覆晶式集成电路芯片和多个所述覆晶式发光二极管芯片,所述覆晶式集成电路芯片的多个所述覆晶接垫与多个所述覆晶式发光二极管芯片的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置,其特征在于,所述发光装置包括:一覆晶式集成电路芯片,具有多个覆晶接垫;多个覆晶式发光二极管芯片,其与所述覆晶式集成电路芯片呈间隔地设置;以及一基板,承载所述覆晶式集成电路芯片和多个所述覆晶式发光二极管芯片,所述覆晶式集成电路芯片的多个所述覆晶接垫与多个所述覆晶式发光二极管芯片的多个电极以焊接方式设置在所述基板,且多个所述覆晶式发光二极管芯片通过所述基板以电性耦接所述覆晶式集成电路芯片。2.依据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述覆晶式集成电路芯片包含:一芯片本体;多个金属接垫,设置于所述芯片本体的一表面,并且多个所述金属接垫的边缘定义有一布局边界,而多个所述金属接垫位于所述布局边界之内;一线路重构层,形成于所述芯片本体的所述表面并埋置多个所述金属接垫于内;一金属层,设置于所述线路重构层并通过所述线路重构层而分别电性耦接于多个所述金属接垫;及一防焊层,具有多个开口,所述防焊层设置于所述金属层,以使所述金属层定义有自多个所述开口裸露于所述防焊层外的多个所述覆晶接垫,多个所述覆晶接垫位于所述布局边界之内,并且至少一个所述覆晶接垫与所述布局边界呈间隔设置。3.依据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,多个所述覆晶接垫的面积皆相同,并且任一个所述覆晶接垫的所述面积大于其所电性耦接的所述金属接垫的面积。4.依据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述基板包含:一第一绝缘层;一第一金属层,形成于所述第一绝缘层上,并且所述第一金属层包含一集成电路芯片固晶区和一发光二极管芯片固晶区;一第二绝缘层,其与所述第一金属层分别位于所述第一绝缘层的相反两侧;及一第二金属层和一第三金属层,彼此电性耦接,并且所述发光二极管芯片固晶区通过所述第二金属层电性耦接所述集成电路芯片固晶区;其中,所述第三金属层位于远离所述第一绝缘层的所述第二绝缘层一侧。5.依据权利要求4所述的发光装置,其特征在于,所述基板包含有:一上防焊层,形成于所述第一绝缘层上,并且所述上防焊层形成有多个开孔,以裸露所述集成电路芯片固晶区和所述发光二极管芯片固晶区;及一下防焊层,设置在所述第二绝缘层上并邻近于所述第三金属层。6.依据权利要求5所述的发光装置,其特征在于,所述上防焊层包含一发光二极管芯片防焊区和一集成电路芯片防焊区,所述发光二极管芯片防焊区和所述集成电路芯片防焊区彼此分离并分别形成有多个所述开孔。7.依据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述发光装置包含:一围墙,设置于所述基板上并形成有一第一容置空间与一第二容置空间;其中,所述覆晶式集成电路芯片位于所述第一容置空间内,而多个所述覆晶式发光二极管芯片位于所述第二容置空间内;及一透光封装体,至少充填于所述第二容置空间内、并使多个所述覆晶式发光二极管芯
片埋置于内。8.依据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:林贞秀陈闵熙
申请(专利权)人:光宝科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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