本申请公开一种发光装置、发光组件、及覆晶式集成电路芯片。所述覆晶式集成电路芯片包含一覆晶式集成电路芯片、多个覆晶式发光二极管芯片、與一基板。所述覆晶式集成电路芯片具有多个覆晶接垫。多个所述覆晶式发光二极管芯片与所述覆晶式集成电路芯片呈间隔地设置。所述基板承载所述覆晶式集成电路芯片和多个所述覆晶式发光二极管芯片，所述覆晶式集成电路芯片的多个所述覆晶接垫与多个所述覆晶式发光二极管芯片的多个电极以焊接方式设置在所述基板，且多个所述覆晶式发光二极管芯片通过所述基板以电性耦接所述覆晶式集成电路芯片。据此，所述覆晶式集成电路芯片通过所述线路重构层形成多个所述覆晶接垫，以适用于覆晶制程。程。程。
【技术实现步骤摘要】
发光装置、发光组件、及覆晶式集成电路芯片
[0001]本申请涉及一种集成电路芯片，尤其涉及一种发光装置、发光组件、及覆晶式集成电路芯片。
技术介绍
[0002]用来驱动发光二极管芯片的现有集成电路芯片是具备仅适用于打线方式的多个打线接垫，所以采用现有集成电路芯片的任何发光装置，其架构将受到多个所述打线接垫的影响而难以进一步地改良。
[0003]于是，本申请人认为上述缺陷可改善，乃特潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本申请。
技术实现思路
[0004]本申请实施例在于提供一种发光装置、发光组件、及覆晶式集成电路芯片，其能有效地改善现有集成电路芯片所可能产生的缺陷。
[0005]本申请实施例公开一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括：一覆晶式集成电路芯片，具有多个覆晶接垫；多个覆晶式发光二极管芯片，其与所述覆晶式集成电路芯片呈间隔地设置；以及一基板，承载所述覆晶式集成电路芯片和多个所述覆晶式发光二极管芯片，所述覆晶式集成电路芯片的多个所述覆晶接垫与多个所述覆晶式发光二极管芯片的多个电极以焊接方式设置在所述基板，且多个所述覆晶式发光二极管芯片通过所述基板以电性耦接所述覆晶式集成电路芯片。
[0006]优选地，所述覆晶式集成电路芯片包含：一芯片本体；多个金属接垫，设置于所述芯片本体的一表面，并且多个所述金属接垫的边缘定义有一布局边界，而多个所述金属接垫位于所述布局边界之内；一线路重构层，形成于所述芯片本体的所述表面并埋置多个所述金属接垫于内；一金属层，设置于所述线路重构层并通过所述线路重构层而分别电性耦接于多个所述金属接垫；及一防焊层，具有多个开口，所述防焊层设置于所述金属层，以使所述金属层定义有自多个所述开口裸露于所述防焊层外的多个所述覆晶接垫，多个所述覆晶接垫位于所述布局边界之内，并且至少一个所述覆晶接垫与所述布局边界呈间隔设置。
[0007]优选地，多个所述覆晶接垫的面积皆相同，并且任一个所述覆晶接垫的所述面积大于其所电性耦接的所述金属接垫的面积。
[0008]优选地，所述基板包含：一第一绝缘层；一第一金属层，形成于所述第一绝缘层上，并且所述第一金属层包含一集成电路芯片固晶区和一发光二极管芯片固晶区；一第二绝缘层，其与所述第一金属层分别位于所述第一绝缘层的相反两侧；及一第二金属层和一第三金属层，彼此电性耦接，并且所述发光二极管芯片固晶区通过所述第二金属层电性耦接所述集成电路芯片固晶区；其中，所述第三金属层位于远离所述第一绝缘层的所述第二绝缘层一侧。
[0009]优选地，所述基板包含有：一上防焊层，形成于所述第一绝缘层上，并且所述上防
焊层形成有多个开孔，以裸露所述集成电路芯片固晶区和所述发光二极管芯片固晶区；及一下防焊层，设置在所述第二绝缘层上并邻近于所述第三金属层。
[0010]优选地，所述上防焊层包含一发光二极管芯片防焊区和一集成电路芯片防焊区，所述发光二极管芯片防焊区和所述集成电路芯片防焊区彼此分离并分别形成有多个所述开孔。
[0011]优选地，所述发光装置包含：一围墙，设置于所述基板上并形成有一第一容置空间与一第二容置空间；其中，所述覆晶式集成电路芯片位于所述第一容置空间内，而多个所述覆晶式发光二极管芯片位于所述第二容置空间内；及一透光封装体，至少充填于所述第二容置空间内、并使多个所述覆晶式发光二极管芯片埋置于内。
[0012]优选地，所述透光封装体包含有一出光面，并且所述出光面平行于所述基板且面向远离所述基板的一侧或者所述出光面垂直于所述基板且面向远离所述覆晶式集成电路芯片的一侧。
[0013]优选地，所述围墙形成有一第三容置空间，并且所述第一容置空间位于所述第二容置空间与所述第三容置空间之间，所述发光装置包含有位于所述第三容置空间内的一光传感器。
[0014]本申请实施例公开一种发光组件，包括：一覆晶式集成电路芯片，具有多个覆晶接垫；多个覆晶式发光二极管芯片，其与所述覆晶式集成电路芯片呈间隔地设置；以及一透光封装体，其为一体成形的单件式构造并包覆所述覆晶式集成电路芯片及多个所述覆晶式发光二极管芯片；其中，所述覆晶式集成电路芯片的多个所述覆晶接垫与多个所述覆晶式发光二极管芯片的多个电极裸露于所述透光封装体之外。
[0015]本申请实施例公开一种覆晶式集成电路芯片，包括：一芯片本体；多个金属接垫，设置于所述芯片本体的一表面；一线路重构层，形成于所述芯片本体的所述表面并埋置多个所述金属接垫于内；以及多个覆晶接垫，设置于所述线路重构层并通过所述线路重构层而分别电性耦接于多个所述金属接垫；其中，多个所述覆晶接垫的布局分布相较于多个所述金属接垫的布局分布平均。
[0016]优选地，多个所述覆晶接垫朝向所述芯片本体的所述表面正投影所形成的一投影区域，其不覆盖于任一个所述金属接垫。
[0017]优选地，所述布局边界定义有一九宫格区域，多个所述覆晶接垫朝向所述芯片本体的所述表面正投影所形成的一投影区域，其坐落于所述九宫格区域中的空格数量大于多个所述金属接垫坐落于所述九宫格区域中的空格数量。
[0018]优选地，多个所述覆晶接垫的一部分的局部边缘落在所述布局边界上，而多个所述覆晶接垫的其余部分则是与所述布局边界呈间隔设置。
[0019]优选地，所述线路重构层包含：一第一高分子层，形成于所述表面且设置在多个所述金属接垫的周围；一线路延伸层，设置在所述第一高分子层和多个所述金属接垫上且电性耦接多个所述金属接垫；及一第二高分子层，设置在所述线路延伸层周围，并且所述线路延伸层突伸出所述第二高分子层。
[0020]优选地，所述线路重构层包含一防焊层，所述防焊层设置在所述第二高分子层和所述线路延伸层上，并露出多个所述覆晶接垫。
[0021]综上所述，本申请实施例所公开的发光装置、发光组件、及覆晶式集成电路芯片，
通过采用覆晶式集成电路芯片具有多个覆晶接垫，据以使所述覆晶式集成电路芯片能够适用于覆晶制程，在面对终端装置轻薄化趋势，以提供尺寸最小、面积最薄的发光装置、发光组件、及覆晶式集成电路芯片。
[0022]为能更进一步了解本申请的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本申请的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本申请，而非对本申请的保护范围作任何的限制。
附图说明
[0023]图1为本申请实施例一的发光装置的立体示意图。
[0024]图2为图1的分解示意图。
[0025]图3为图2中的覆晶式集成电路芯片的分解示意图。
[0026]图4为图2沿剖线IV
‑
IV的剖视示意图。
[0027]图5为图2中的覆晶式集成电路芯片的底视示意图(省略防焊层)。
[0028]图6为图2中的基板的分解示意图。
[0029]图7为图1沿剖线VII
‑
VII的剖视示意图。
[0030]图8为本申请实施例二的发光装置的立体示意图。
[0031]图9为图8沿剖线本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括：一覆晶式集成电路芯片，具有多个覆晶接垫；多个覆晶式发光二极管芯片，其与所述覆晶式集成电路芯片呈间隔地设置；以及一基板，承载所述覆晶式集成电路芯片和多个所述覆晶式发光二极管芯片，所述覆晶式集成电路芯片的多个所述覆晶接垫与多个所述覆晶式发光二极管芯片的多个电极以焊接方式设置在所述基板，且多个所述覆晶式发光二极管芯片通过所述基板以电性耦接所述覆晶式集成电路芯片。2.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述覆晶式集成电路芯片包含：一芯片本体；多个金属接垫，设置于所述芯片本体的一表面，并且多个所述金属接垫的边缘定义有一布局边界，而多个所述金属接垫位于所述布局边界之内；一线路重构层，形成于所述芯片本体的所述表面并埋置多个所述金属接垫于内；一金属层，设置于所述线路重构层并通过所述线路重构层而分别电性耦接于多个所述金属接垫；及一防焊层，具有多个开口，所述防焊层设置于所述金属层，以使所述金属层定义有自多个所述开口裸露于所述防焊层外的多个所述覆晶接垫，多个所述覆晶接垫位于所述布局边界之内，并且至少一个所述覆晶接垫与所述布局边界呈间隔设置。3.依据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，多个所述覆晶接垫的面积皆相同，并且任一个所述覆晶接垫的所述面积大于其所电性耦接的所述金属接垫的面积。4.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述基板包含：一第一绝缘层；一第一金属层，形成于所述第一绝缘层上，并且所述第一金属层包含一集成电路芯片固晶区和一发光二极管芯片固晶区；一第二绝缘层，其与所述第一金属层分别位于所述第一绝缘层的相反两侧；及一第二金属层和一第三金属层，彼此电性耦接，并且所述发光二极管芯片固晶区通过所述第二金属层电性耦接所述集成电路芯片固晶区；其中，所述第三金属层位于远离所述第一绝缘层的所述第二绝缘层一侧。5.依据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述基板包含有：一上防焊层，形成于所述第一绝缘层上，并且所述上防焊层形成有多个开孔，以裸露所述集成电路芯片固晶区和所述发光二极管芯片固晶区；及一下防焊层，设置在所述第二绝缘层上并邻近于所述第三金属层。6.依据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述上防焊层包含一发光二极管芯片防焊区和一集成电路芯片防焊区，所述发光二极管芯片防焊区和所述集成电路芯片防焊区彼此分离并分别形成有多个所述开孔。7.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置包含：一围墙，设置于所述基板上并形成有一第一容置空间与一第二容置空间；其中，所述覆晶式集成电路芯片位于所述第一容置空间内，而多个所述覆晶式发光二极管芯片位于所述第二容置空间内；及一透光封装体，至少充填于所述第二容置空间内、并使多个所述覆晶式发光二极管芯
片埋置于内。8.依据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：林贞秀，陈闵熙，
申请(专利权)人：光宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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