光电子半导体芯片以及用于制造光电子半导体芯片的方法技术

本发明专利技术说明了一种光电子半导体芯片(20)，具有：第一区域(21)，其掺杂有第一掺杂物；第二区域(22)，其掺杂有第二掺杂物；第一区域(21)和第二区域(22)之间的激活区域(23)；第一接触层(24)，其具有导电材料并且覆盖第一区域(21)；绝缘层(25)，其覆盖第一接触层(24)并且具有第一开口(26)；以及第二接触层(27)，其具有导电材料并且其覆盖绝缘层(25)和第一开口(26)，其中，第一开口(26)完全贯穿绝缘层(25)，并且第二接触层(27)具有第二开口(28)和/或分别在第一开口(26)中在第二接触层(27)和绝缘层(25)之间布置具有导电材料的第三接触层(29)。本发明专利技术还说明了一种用于制造光电子半导体芯片(20)的方法。体芯片(20)的方法。体芯片(20)的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子半导体芯片以及用于制造光电子半导体芯片的方法


[0001]本专利技术涉及一种光电子半导体芯片和一种用于制造光电子半导体芯片的方法。

技术实现思路

[0002]本专利技术要解决的技术问题在于，说明一种可以有效运行的光电子半导体芯片。另外的要解决的技术问题在于，说明一种用于制造可以有效运行的光电子半导体芯片的方法。
[0003]根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，光电子半导体芯片包括掺杂有第一掺杂物的第一区域。第一区域可以包括一个或多个半导体层。第一掺杂物可以是p型掺杂物。第一区域可以利用半导体材料、例如III
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V族化合物半导体材料形成。例如，第一区域具有GaN(氮化镓)。第一区域可以是三维体，该三维体例如至少近似地具有长方体或圆柱体的形状。第一区域的主延伸平面平行于长方体或圆柱体的顶面之一地延伸。
[0004]根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，光电子半导体芯片包括掺杂有第二掺杂物的第二区域。第二区域可以包括一个或多个半导体层。第二掺杂物可以是n型掺杂物。第二区域可以利用半导体材料、例如III...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光电子半导体芯片(20)，具有：
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第一区域(21)，所述第一区域掺杂有第一掺杂物，
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第二区域(22)，所述第二区域掺杂有第二掺杂物，
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所述第一区域(21)和第二区域(22)之间的激活区域(23)，
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第一接触层(24)，所述第一接触层具有导电材料并且覆盖所述第一区域(21)，
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绝缘层(25)，所述绝缘层覆盖第一接触层(24)并且具有第一开口(26)，以及
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第二接触层(27)，所述第二接触层具有导电材料并且所述第二接触层覆盖所述绝缘层(25)和所述第一开口(26)，其中，
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所述第一开口(26)完全贯穿所述绝缘层(25)，并且
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所述第二接触层(27)具有第二开口(28)和/或分别在所述第一开口(26)中在所述第二接触层(27)和所述绝缘层(25)之间布置第三接触层(29)，所述第三接触层具有导电材料。2.根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片(20)，其中，所述第二开口(28)分别完全贯穿第二接触层(27)。3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片(20)，其中，第一接触层(24)和/或第二接触层(27)和/或第三接触层(29)具有透明导电氧化物。4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片(20)，其中，第一接触层和第二接触层(24，27)由相同的材料形成。5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片(20)，其中，第一接触层、第二接触层和第三接触层(24，27，29)由相同的材料形成。6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片(20)，其中，所述第三接触层(29)分别完全覆盖第一开口(26)。7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片(20)，其中，所述第三接触层(29)部分地覆盖所述绝缘层(25)的背向第一区域(21)的上侧(30)。8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片(20)，其中，所述第三接触层(29)在第一开口(26)中与所述第一接触层(24)直接接触。9.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片(20)...

【专利技术属性】
技术研发人员：F科普，A莫尔纳，RH恩兹曼，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：