用于形成垂直晶体管阵列和存储器单元阵列的方法技术

本申请案涉及用于形成垂直晶体管阵列和存储器单元阵列的方法。一种用于形成垂直晶体管阵列的方法，其包括形成支柱，所述支柱个别地包括上源极/漏极区、在所述上源极/漏极区垂直下方的沟道区，和在所述上源极/漏极区上方的牺牲材料。中介材料围绕所述支柱中的个别者的所述牺牲材料。所述中介材料和所述牺牲材料包括彼此不同的组合物。水平伸长且间隔的导电栅极线可操作地个别形成在所述个别支柱的所述沟道区旁边。移除所述牺牲材料以暴露所述个别支柱的所述上源极/漏极区，且从而在所述中介材料中所述个别支柱的所述上源极/漏极区正上方形成开口。上方形成开口。上方形成开口。

【技术实现步骤摘要】
用于形成垂直晶体管阵列和存储器单元阵列的方法


[0001]本文中揭示的实施例涉及用于形成垂直晶体管阵列的方法和用于形成个别包括垂直晶体管及垂直晶体管上方的存储装置的存储器单元阵列的方法。

技术介绍

[0002]存储器是一种类型的集成电路系统且用于计算机系统中以存储数据。存储器可制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可称为字线、栅极线(gateline或gate line))对存储器单元进行写入或读取。数字线可沿着阵列的列使存储器单元导电互连，且存取线可沿着阵列的行使存储器单元导电互连。每一存储器单元可通过数字线及存取线的组合唯一地寻址。
[0003]存储器单元可为易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在没有电力的情况下存储数据达延长时间段。常规上将非易失性存储器指定为具有至少约10年的保持时间的存储器。易失性存储器消散，且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保持时间。无论如何，存储器单元经配置以在至少两种不同的可选状态中保持或存储存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成垂直晶体管阵列的方法，其包括：形成支柱，所述支柱个别地包括上源极/漏极区、在所述上源极/漏极区垂直下方的沟道区，和在所述上源极/漏极区上方的牺牲材料；中介材料围绕所述支柱中的个别者的所述牺牲材料，所述中介材料和所述牺牲材料包括彼此不同的组合物；在所述个别支柱的所述沟道区旁边可操作地个别形成水平伸长且间隔的导电栅极线；移除所述牺牲材料以暴露所述个别支柱的所述上源极/漏极区，且从而在所述中介材料中所述个别支柱的所述上源极/漏极区正上方形成开口；在所述开口中的个别者中形成金属材料，其直接抵靠所述个别支柱的所述上源极/漏极区，且在所述开口的横向外侧在所述中介材料的顶上，在所述中介材料顶上的所述金属材料使在所述个别开口中的所述金属材料互连；及往回移除所述金属材料以具有不高于所述中介材料的最上表面的最上表面，并将其断开以免使在所述个别开口中的所述金属材料互连，且从而在所述个别开口中形成横向隔离的个别金属材料插塞。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述上源极/漏极区包括导电掺杂的半导电材料，所述牺牲材料直接抵靠所述导电掺杂的半导电材料。3.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述开口之后且在于其中形成所述金属材料之前，在所述个别开口初始形成之后在一个垂直横截面中在所述上源极/漏极区上方横向加宽所述个别开口。4.根据权利要求3所述的方法，其包括在形成所述开口之后且在于其中形成所述金属材料之前，在所述个别开口初始形成之后在与所述一个垂直横截面正交的另一垂直横截面中在所述上源极/漏极区上方横向加宽所述个别开口。5.根据权利要求4所述的方法，其中在所述一个和所述另一垂直横截面中的所述横向加宽同时发生。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属材料包括氮化钛和元素钨。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述金属材料包括在所述氮化钛和所述元素钨下面的金属硅化物。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述金属硅化物直接抵靠所述氮化钛。9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述往回移除所述金属材料之后，所述金属材料的所述最上表面和所述中介材料的所述最上表面中的每一者是共面的。10.根据权利要求9所述的方法，其中在所述往回移除所述金属材料之后，所述金属材料的所述最上表面和所述中介材料的所述最上表面是共面的。11.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述横向隔离的个别金属材料插塞之后，相对于所述金属材料插塞选择性地垂直蚀刻所述中介材料。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述中介材料的所述垂直蚀刻使其最上表面形成为在所述金属材料插塞的底部下方。13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中介材料包括第一中介材料和第二中介材料，它们中的每一者包括与所述牺牲材料的所述组合物不同的组合物；在形成所述栅极线之后形成所述第二中介材料，所述金属材料形成在所述第二中介材
料的顶上，所述中介材料的所述最上表面包括所述第二中介材料的最上表面。14.根据权利要求13所述的方法，其中在形成所述栅极线之前形成所述第一中介材料，在形成所述第一中介材料之后形成所述第二中介材料，所述金属材料形成在所述第一中介材料的顶上，且所述中介材料的所述最上表面包括所述第一中介材料的最上表面。15.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属材料和所述上源极/漏极区具有彼此不同的组合物。16.根据权利要求1所述的方法，其中所述往回移除所述金属材料从所述中介材料顶上移除所有所述金属材料。17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极线在行方向上个别地使相应多个所述垂直晶体管互连；及在形成所述栅极线之前，形成水平伸长且间隔的导电线，所述导电线在列方向上个别地使相应多个所述垂直晶体管互连。18.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属材料插塞形成为在水平横截面中周向自对准。19.一种用于形成垂直晶体管阵列的方法，其包括：形成支柱，所述支柱个别地包括上源极/漏极区、在所述上源极/漏极区垂直下方的沟道区，和在所述上源极/漏极区上方的牺牲材料；中介材料围绕所述支柱中的个别者的所述牺牲材料，所述中介材料和所述牺牲材料包括彼此不同的组合物；在所述个别支柱的所述沟道区旁边可操作地个别形成水平伸长且间隔的...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：