下载用于形成垂直晶体管阵列和存储器单元阵列的方法的技术资料

文档序号:32509370

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本申请案涉及用于形成垂直晶体管阵列和存储器单元阵列的方法。一种用于形成垂直晶体管阵列的方法,其包括形成支柱,所述支柱个别地包括上源极/漏极区、在所述上源极/漏极区垂直下方的沟道区,和在所述上源极/漏极区上方的牺牲材料。中介材料围绕所述支柱中...
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