具有减少的寄生模式的硅衬底上的薄膜LITAO3SAW谐振器制造技术

技术编号:32507903 阅读:35 留言:0更新日期:2022-03-02 10:39
提供了一种具有减少的寄生模式的SAW谐振器。谐振器包括(111)硅载体衬底(CS)、电极结构(ES)和压电层(PIL)。载体衬底具有欧拉角为(

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有减少的寄生模式的硅衬底上的薄膜LITAO3SAW谐振器


[0001]本申请涉及可以用于载波聚合(CA)应用并且具有减少的寄生模式的电声谐振器。

技术介绍

[0002]越来越多的功能、更高的数据传输速率和更小的空间尺寸的持续趋势需要用于移动通信的改进设备和用于这些设备的改进部件。下一代移动通信系统的演进需要具有出色性能的设备。
[0003]在电声谐振器中,由于压电效应,所以与压电材料组合的电极结构在电磁信号与声学RF信号之间转换。然而,在实际设备中,除了想要声学模式之外,还可能会激发不想要的寄生模式。不想要的寄生声学模式会降低对应滤波器的性能,从而使得传统谐振器难以或不可能符合目前规范或未来规范。
[0004]根据US 9,190,981 B2和根据US 9,413,334 B2,得知用于电声谐振器的层构造。
[0005]根据US 2015/0102705 A1,得知包括电介质功能层的电声谐振器。
[0006]根据DE 102017111448 A1,得知使用硅材料作为载体衬底。
[0007]然而,传统本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种具有减少的寄生模式的SAW谐振器,包括

载体衬底,

在所述载体衬底上方的电极结构,

在所述载体衬底与所述电极结构之间的压电层,其中

所述载体衬底具有欧拉角为(

45
°±
10
°


54
°±
10
°
;60
°±
30
°
)的晶体取向,

所述压电层包括LiTaO3,并且具有欧拉角为(0
°
;56
°±8°
;0
°
)的晶体取向。2.根据前述权利要求所述的SAW谐振器,其中

所述载体衬底具有欧拉角为(

45
°±5°


54
°±5°
;60
°±
10
°
)或(

45
°±2°


54
°±5°
;60
°±5°
)或(

45
°


54
°
;60
°
)的晶体取向;和/或

所述压电层具有欧拉角为(0
°
;56
°±4°
;0
°
)、(0
°
;56
°±2°
;0
°
)或(0
°
;56
°
;0
°

【专利技术属性】
技术研发人员:M
申请(专利权)人:RF三六零欧洲有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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