一种体声波谐振器及其制造方法技术

本申请涉及一种体声波谐振器，包括：衬底，其中所述衬底包括空腔，所述空腔开口于所述衬底上表面，所述空腔底部被所述衬底封闭；至少位于所述衬底和所述空腔上方的压电薄膜；以及位于所述压电薄膜上表面的两组相互交错的叉指电极；其中，在位于所述叉指电极最外侧叉指以外的区域设有贯穿所述压电薄膜的开口。本申请还涉及一种体声波谐振器的制备方法。请还涉及一种体声波谐振器的制备方法。请还涉及一种体声波谐振器的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
一种体声波谐振器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及微机电领域，特别地涉及一种体声波谐振器及其制造方法。

技术介绍

[0002]滤波器作为选频滤波器件，直接决定了通信设备的工作频段和带宽，在射频前端扮演了举足轻重的角色。
[0003]在3G/4G滤波器市场中，基于体声波(BAW)的滤波器具有低插入损耗、高矩形系数、高功率容量等优点，因此被广泛应用在当代无线通讯系统中。但是5G通信的出现，对声学滤波器提出了更高的要求：
[0004](1)5G NR(New Radio)使用了频率更高的频段，体声波(BAW)滤波器的声学和欧姆损耗随着工作频率急剧上升，导致滤波器插入损耗的增加；
[0005](2)5G NR频段N78、N79和N77分别需要500、600和900MHz的带宽，这对于市场上主流的基于氮化铝(AlN)的体声波(BAW)滤波器而言是难以实现的，因其带宽受限于氮化铝(AlN)的机电耦合系数。
[0006]现有技术有一种基于铌酸锂单晶压电层的高频横向激励体声波谐振器，其利用横向电场在压电层中引入剪切变形，从本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：衬底，其中所述衬底包括空腔，所述空腔开口于所述衬底上表面，所述空腔底部被所述衬底封闭；至少位于所述衬底和所述空腔上方的压电薄膜；以及位于所述压电薄膜上表面的两组相互交错的叉指电极；其中，在位于所述叉指电极最外侧叉指以外的区域设有贯穿所述压电薄膜的开口。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，还包括，位于所述压电薄膜下表面的多个向所述空腔底部延伸的凸起。3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其中，在所述压电薄膜上在所述开口远离所述叉指电极的一侧设有与所述叉指电极基本平行的反射栅。4.根据权利要求1
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3中任一所述的体声波谐振器，其中，每组所述叉指电极与各自的汇流条相连，并且在至少其中一个所述汇流条上设有一层额外的金属层。5.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述反射栅包括形成于所述压电薄膜中并开口于所述压电薄膜上表面的凹槽。6.根据权利要求5所述的体声波谐振器，其中，所述凹槽中填充有氮化硅。7.根据权利要求3、5或6中任一所述的体声波谐振器，其中，所述反射栅包括多条，所述反射栅的宽度和所述反射栅之间的间隔宽度为所述谐振器产生的声波的四分之一波长。8.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其中，所述多条反射栅的相同端彼此相连。9.一种体声波谐振器的制备方法，包括：提供硅衬底，并自所述衬底的上表面向下通过电化学反应在所述衬底的部分区域中形成多孔硅区域；在所述衬底以及所述多孔硅区域的上表面键合压电薄膜；在所述压电薄膜上形成彼此交错的两组叉指电极；在最外侧叉指电极以外的区域刻蚀形成贯穿所述压电薄膜的开...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕萍，胡维，李刚，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：