一种氮化铝薄膜及其制备方法和薄膜体声波滤波器技术

本发明专利技术提供了一种氮化铝薄膜，所述氮化铝薄膜中掺杂有锗和钪；所述氮化铝薄膜的机电耦合系数为7.8%

【技术实现步骤摘要】
一种氮化铝薄膜及其制备方法和薄膜体声波滤波器


[0001]本专利技术涉及半导体材料领域，具体涉及一种氮化铝薄膜及其制备方法和包括所述氮化铝薄膜的声波谐振器。

技术介绍

[0002]氮化铝(AlN)是一种六方纤锌矿结构的氮化物。氮化铝的晶系为六方晶系，具有纤锌矿结构。而将氮化铝制备成薄膜后其具有许多优异性能，比如说高的热传导率、优异的化学稳定性和低毒害性、良好的光学性能，低热膨胀系数、高的介质击穿强度、机械强度高等优点，这些特点使其在机械、微电子、光学及电子元器件、高频宽带通信和功率半导体器件等领域有着广阔的应用前景。此外，由于氮化铝薄膜的声表面波(SAW)相速度高、材料温度系数(TCD)低，氮化铝薄膜可广泛应用于声波电子器件领域。
[0003]通常薄膜体声波谐振器使用(002)取向的AlN薄膜。但由于AlN薄膜的横向有效机电耦合系数相对较小(≈0.5％)，其应用受到了限制。专利CN113174574A公开了一种掺钪氮化铝薄膜，其中，钪的掺杂可改善AlN薄膜的机电耦合系数，同时保留其他优良特性。但是，由于钪的掺杂量过高时，较难制得(002本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化铝薄膜，其特征在于：所述氮化铝薄膜中掺杂有锗和钪；所述氮化铝薄膜中锗的掺杂量为3
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5at%；所述氮化铝薄膜中钪的掺杂量为6
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8at%；所述氮化铝薄膜的机电耦合系数为7.8%
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8.7%；所述氮化铝薄膜的晶面取向为（002）。2.如权利要求1所述的氮化铝薄膜，其特征在于：所述的氮化铝薄膜的厚度为100
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500nm。3.如权利要求1所述的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1于惰性气体下向Si表面溅射沉积Mo过渡层得到基底；S2在包括氮气和氩气的混合气体环境下，采用铝靶、钪靶和锗靶同时向所述基底表面溅射沉积氮化铝；所述铝靶的溅射功率为150
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200W；所述钪靶的溅射功率为50
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70W；所述锗靶的溅射功率为40
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60W。4.如权利要求3所述的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于：所述S1中，惰性气体的流量10
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60sccm，溅射气压为0.5Pa
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1.5Pa，溅射时间5
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10min，溅射功率为100
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150W。5.如权利要求3所述的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于：所述S2中，所述混...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌，陈功田，孙景，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：