本实用新型专利技术公开了一种声波器件，包括衬底；位于衬底一侧的压电层；位于压电层背向衬底一侧表面的叉指电极；叉指电极包括相对设置的两条母线，两条母线之间设置有至少两条指状电极，指状电极与对应的一母线相接触，与另一母线之间具有间隙，间隙形成沿母线延长线的方向延伸的间隙区域；压电层背向衬底一侧表面位于间隙区域中，未被叉指电极覆盖的区域设置有凹槽。凹槽可以减少间隙区域的压电层，使得声波能量在横向传播到叉指电极末端时，仅有少量压电材料或无压电材料继续传递，此时声波能量会被反射回有效的中间区域，从而减少横向寄生模式的能量泄漏。本实用新型专利技术还提供了一种滤波装置，同样具有上述有益效果。同样具有上述有益效果。同样具有上述有益效果。
【技术实现步骤摘要】
一种声波器件以及一种滤波装置
[0001]本技术涉及声波器件
，特别是涉及一种声波器件以及一种滤波装置。
技术介绍
[0002]声波滤波器可在高频电路中使用，例如用作带通滤波器。声波滤波器由若干个声波谐振器组合而成。声波谐振器按振动模式一般分为声表面波(SAW)器件和体声波(BAW)器件。SAW器件使用叉指电极(叉指电极)来将电能转换成声能，或者相反地将声能转换成电能。BAW器件与SAW器件类似，依靠压电材料的压电效应形成谐振。BAW谐振器一般由上指状电极层，压电层，下指状电极层组成三明治结构，产生谐振。下指状电极下方是空气腔(FBAR)或者声学反射层(SMR)，谐振区域发生在压电层内而非表面。在现阶段，LiNbO3和LiTaO3因具有较高的材料压电系数(K2)而被广泛应用于高频大带宽要求的声波器件。
[0003]近年来，以声波谐振器为基本单元的滤波器，双工器等，越来越小型化，高频化和宽带化，同时对功率承受能力也要求更高。但是现阶段，声波器件在工作时产生的横向寄生模式会影响声波器件的性能，所以如何减少工作时横向寄生模式的产生是本领域技术人员急需解决的问题。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是提供一种声波器件，可以有效减少横向寄生模式的产生；本技术还提供了一种滤波装置，可以有效减少横向寄生模式的产生。
[0005]为解决上述技术问题，本技术提供一种声波器件，包括：
[0006]衬底；
[0007]位于所述衬底一侧的压电层；
[0008]位于所述压电层背向所述衬底一侧表面的叉指电极；所述叉指电极包括相对设置的两条母线，两条所述母线之间设置有至少两条指状电极，所述指状电极与对应的一所述母线相接触，与另一所述母线之间具有间隙，所述间隙形成沿所述母线延长线的方向延伸的间隙区域；
[0009]所述压电层背向所述衬底一侧表面位于所述间隙区域中，未被所述叉指电极覆盖的区域设置有凹槽。
[0010]可选的，所述凹槽的深度不小于所述压电层的厚度。
[0011]可选的，还包括：
[0012]位于所述衬底一侧表面的布拉格反射层；所述压电层位于所述布拉格反射层背向所述衬底一侧表面。
[0013]可选的，所述凹槽的深度不小于所述压电层厚度与所述布拉格反射层厚度之和。
[0014]可选的，所述压电层位于所述衬底一侧表面，所述衬底朝向所述压电层一侧设置有空腔，所述压电层覆盖所述空腔。
[0015]可选的，所述指状电极包括与任一所述母线相接触的第一端部、与所述第一端部相对的第二端部以及位于所述第一端部和所述第二端部之间的中间部；所述第二端部与另一所述母线之间具有所述间隙；所述第二端部形成沿所述母线延长线的方向延伸的边缘区域，所述中间部形成沿所述母线延长线的方向延伸的中间区域；
[0016]所述指状电极背向所述衬底一侧表面设置有反射层，以使所述中间区域的声波速度大于所述边缘区域的声波速度。
[0017]可选的，所述反射层位于所述边缘区域。
[0018]可选的，所述反射层位于所述中间区域，所述反射层为高声速材料层。
[0019]本技术还提供了一种滤波装置，包括如上述任一项所述的声波器件。
[0020]本技术所提供的一种声波器件，包括衬底；位于衬底一侧的压电层；位于压电层背向衬底一侧表面的叉指电极；叉指电极包括相对设置的两条母线，两条母线之间设置有至少两条指状电极，指状电极与对应的一母线相接触，与另一母线之间具有间隙，间隙形成沿母线延长线的方向延伸的间隙区域；压电层背向衬底一侧表面位于间隙区域中，未被叉指电极覆盖的区域设置有凹槽。
[0021]凹槽可以减少间隙区域的压电层，使得声波能量在横向传播到叉指电极末端时，仅有少量压电材料或无压电材料继续传递，此时声波能量会被反射回有效的中间区域，从而减少横向寄生模式的能量泄漏。
[0022]本技术还提供了一种滤波装置以及一种声波器件的制备方法，同样具有上述有益效果，在此不再进行赘述。
附图说明
[0023]为了更清楚的说明本技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为本技术实施例所提供的一种声波器件的俯视结构示意图；
[0025]图2为图1的剖视结构示意图；
[0026]图3为本技术实施例所提供的第一种具体的声波器件的结构示意图；
[0027]图4为本技术实施例所提供的第二种具体的声波器件的结构示意图；
[0028]图5为本技术实施例所提供的第三种具体的声波器件的结构示意图；
[0029]图6为本技术实施例所提供的第四种具体的声波器件的结构示意图；
[0030]图7为本技术实施例所提供的第五种具体的声波器件的结构示意图。
[0031]图中：1.衬底、2.压电层、3.母线、4.指状电极、5.凹槽、6.反射层。
具体实施方式
[0032]本技术的核心是提供一种声波器件。在现有技术中，声波器件在工作时会产生大量的横向寄生模式，从而影响声波器件的性能。
[0033]而本技术所提供的一种声波器件，包括衬底；位于衬底一侧的压电层；位于压电层背向衬底一侧表面的叉指电极；叉指电极包括相对设置的两条母线，两条母线之间设
置有至少两条指状电极，指状电极与对应的一母线相接触，与另一母线之间具有间隙，间隙形成沿母线延长线的方向延伸的间隙区域；压电层背向衬底一侧表面位于间隙区域中，未被叉指电极覆盖的区域设置有凹槽。
[0034]凹槽可以减少间隙区域的压电层，使得声波能量在横向传播到叉指电极末端时，仅有少量压电材料或无压电材料继续传递，此时声波能量会被反射回有效的中间区域，从而减少横向寄生模式的能量泄漏。
[0035]为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0036]请参考图1以及图2，图1为本技术实施例所提供的一种声波器件的俯视结构示意图；图2为图1的剖视结构示意图。
[0037]参见图1以及图2，在本技术实施例中，声波器件包括衬底1；位于所述衬底1一侧的压电层2；位于所述压电层2背向所述衬底1一侧表面的叉指电极；所述叉指电极包括相对设置的两条母线3，两条所述母线3之间设置有至少两条指状电极4，所述指状电极4与对应的一所述母线3相接触，与另一所述母线3之间具有间隙，所述间隙形成沿所述母线3延长线的方向延伸的间隙本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种声波器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底一侧的压电层；位于所述压电层背向所述衬底一侧表面的叉指电极；所述叉指电极包括相对设置的两条母线，两条所述母线之间设置有至少两条指状电极，所述指状电极与对应的一所述母线相接触，与另一所述母线之间具有间隙，所述间隙形成沿所述母线延长线的方向延伸的间隙区域；所述压电层背向所述衬底一侧表面位于所述间隙区域中，未被所述叉指电极覆盖的区域设置有凹槽。2.根据权利要求1所述的声波器件，其特征在于，所述凹槽的深度不小于所述压电层的厚度。3.根据权利要求2所述的声波器件，其特征在于，还包括：位于所述衬底一侧表面的布拉格反射层；所述压电层位于所述布拉格反射层背向所述衬底一侧表面。4.根据权利要求3所述的声波器件，其特征在于，所述凹槽的深度不小于所述压电层厚度与所述布拉格反射层厚度之和。5.根据权利要求2所述的声波器件，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭波华，胡念楚，贾斌，
申请(专利权)人：开元通信技术厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：
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