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本发明提供了一种氮化铝薄膜，所述氮化铝薄膜中掺杂有锗和钪；所述氮化铝薄膜的机电耦合系数为7.8%
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该专利属于湖南大学所有，仅供学习研究参考，未经过湖南大学授权不得商用。

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