半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法制造方法及图纸

提供一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法。根据一个实施方式，一种半导体存储器装置包括：多个存储器块，其包括第一保证块至第m保证块，其中，m为大于1的整数；修复逻辑，其被设置为通过检测第一保证块至第m保证块当中的缺陷存储器块来生成坏块信息并基于坏块信息确定分别与第一保证块至第m保证块相对应的第一偏移值至第m偏移值；以及地址解码器，其被设置为当块地址与第一保证块至第m保证块中的任何一个相对应时通过将从第一偏移值至第m偏移值中选择的偏移值反映到块地址上来生成块选择地址，并且当块地址与除第一保证块至第m保证块之外的任何一个存储器块相对应时通过将第m偏移值反映到块地址上来生成块选择地址。选择地址。选择地址。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法


[0001]本公开涉及一种半导体设计技术，并且更具体地，涉及半导体存储器装置的块映射方法。

技术介绍

[0002]随着使用半导体存储器装置作为存储介质的移动信息装置(特别是智能电话和平板电脑)的使用的激增，这些半导体存储器装置越来越受到关注和重视。范围广泛的应用以及高速处理器或多核并行性的出现要求半导体存储器装置提高性能和可靠性。
[0003]半导体存储装置是使用由例如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)制成的半导体实现的存储装置。半导体存储器装置可以分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置在电源关闭时无法保留存储的数据。易失性存储器装置包括静态随机存取存储器(SRAM)装置、动态RAM(DRAM)装置或同步DRAM(SDRAM)装置等。非易失性存储器装置即使在电源关闭时也可以保留所存储的数据。非易失性存储器装置可以包括只读存储器(ROM)装置、可编程ROM(PROM)装置、电可编程ROM(EPROM)装置、电可擦除可编程ROM(EEPROM)装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：多个存储器块，所述多个存储器块包括第一保证块至第m保证块，其中，m为大于1的整数；修复逻辑，所述修复逻辑被设置为通过检测所述第一保证块至所述第m保证块当中的缺陷存储器块来生成坏块信息，并且基于所述坏块信息确定分别与所述第一保证块至所述第m保证块相对应的第一偏移值至第m偏移值；以及地址解码器，所述地址解码器被设置为当块地址与所述第一保证块至所述第m保证块中的任何一个相对应时通过将从所述第一偏移值至所述第m偏移值中选择的偏移值反映到所述块地址上来生成块选择地址，并且当所述块地址与除所述第一保证块至所述第m保证块之外的任何一个所述存储器块相对应时通过将所述第m偏移值反映到所述块地址上来生成所述块选择地址。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个存储器块包括：多个正常存储器块，所述多个正常存储器块包括所述第一保证块至所述第m保证块；以及多个扩展存储器块，所述多个扩展存储器块能够根据所述第一偏移值至所述第m偏移值而扩展到所述正常存储器块。3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，外部装置使用所述块地址访问所述正常存储器块和所述扩展存储器块。4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述第一保证块至所述第m保证块中的至少一个包括内容可寻址存储器CAM块，并且所述CAM块存储所述坏块信息。5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述修复逻辑包括：坏块扫描电路，所述坏块扫描电路被设置为在上电操作期间从所述CAM块中扫描所述坏块信息；偏移计算电路，所述偏移计算电路被设置为基于所述坏块信息确定所述第一保证块至所述第m保证块中的任何一个是否有缺陷，以设置所述第一偏移值至所述第m偏移值；以及修复映射表，所述修复映射表被设置为将所述第一偏移值至所述第m偏移值存储为针对所述修复映射表的索引的字段。6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，根据所述第一保证块至所述第m保证块的数量确定所述修复映射表的每个字段的位宽。7.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述偏移计算电路通过对所述第一保证块至所述第m保证块当中的缺陷存储器块的数量进行累积计数来计算所述第一偏移值至所述第m偏移值。8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述地址解码器包括：块解码器，所述块解码器被设置为对所述块地址进行解码，以当所述块地址与所述第一保证块至所述第m保证块中的任何一个相对应时生成第一初始地址，并且当所述块地址与除所述第一保证块至所述第m保证块之外的任何一个所述存储器块相对应时生成第二初始地址；第一偏移反映器，所述第一偏移反映器被设置为接收所述第一初始地址，并且通过将
所述从所述第一偏移值至所述第m偏移值中选择的偏移值与所述第一初始地址相加来生成所述块选择地址；以及第二偏移反映器，所述第二偏移反映器被设置为接收所述第二初始地址，并且通过将所述第m偏移值与所述第二初始地址相加来生成所述块选择地址。9.一种存储器系统，该存储器系统包括：存储器装置，所述存储器装置包括多个存储器块，所述多个存储器块包括第一保证块至第m保证块，其中，m是大于1的整数；以及控制器，所述控制器被设置为向所述存储器装置提供包括块地址的地址、命令和数据，其中，所述存储器装置通过检测所述第一保证块至所述第m保证块动中的缺陷存储器块来生成坏块信息，基于所述坏块信息确定分别与所述第一保证块至所述第m保证块相对应的第一偏移值至第m偏移值，并且当块地址与所述第一保证块至所述第m保证块中的任何一个相对应时通过将从所述第一偏移值至所述第m偏移值中选择的偏移值反映到所述块地址上来生成块选择地址，并且当所述块地址与除所述第一保证块至所述第m保证块之外的任何一个所述存储器块相对应时通过将所述第m偏移值反映到所述块地址上来生成所述块选择地址。10.根据权利要求9所述的存储器系统，其中，所述存储器块包括：多个正常存储器块，所述多个正常存储器块包括所述第一保证块至所述第m保证块；以及多个扩展存储器块，所述多个扩展存储器块能够根据所...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪龙焕，金炳烈，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：