形成自对准帽的方法和设备技术

本申请标题为：形成自对准帽的方法和设备。使衬底上方的介电层中的至少一根导电线凹进以形成沟道。所述沟道自对准于所述导电线。能够通过使用包括提供独立于晶体取向的刻蚀的均匀性的抑制剂的化学物质来将所述导电线刻蚀至预定的深度而形成所述沟道。将阻止电迁移的帽层沉积于所述沟道中的所述凹进的导电线上。所述沟道被配置为使所述帽层包含在所述导电线的所述宽度内。导电线的所述宽度内。导电线的所述宽度内。

【技术实现步骤摘要】
形成自对准帽的方法和设备
[0001]本案为分案申请，母案申请号201711404006.5。


[0002]本专利技术的实施例涉及电子器件制造的领域，并且具体地，涉及互连结构。

技术介绍

[0003]当电子器件的特征尺寸缩小时，互连部的可靠性对集成电路性能至关重要。普遍地，电迁移涉及由归因于导电电子和扩散的金属原子之间的动量传递的导体中的离子的运动引起的材料的传输。该效应在其中使用了高的电流密度的应用中尤其重要，例如，在设计逻辑器件的微电子结构中。典型地，金属帽技术用于阻止电迁移。
[0004]图1A是具有金属电迁移帽的典型的互连结构的截面图。如图1A中所示出的，形成于介电衬底101上的例如线103和104的金属互连线最初隔开线间距105。使用无电电镀能够在衬底的平坦表面之上的相应的互连线上生长例如帽111
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113的电迁移帽。普遍地，互连线上的电迁移帽的生长是各向同性的。电迁移帽能够纵向和横向地生长在衬底之上的互连金属线上。金属电迁移帽的横向生长可以生成例如在衬底101上伸出互连线的宽度的垂悬109的垂悬结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，包含：具有上表面的介电层，所述介电层包含硅、氧和碳；所述介电层中的导电结构，所述导电结构包含：包含铜的第一导电材料，所述第一导电材料具有上表面，其中，所述第一导电材料的上表面的一部分在所述介电层的上表面的一部分的下方；以及第二导电材料，位于所述第一导电材料的上表面上，所述第二导电材料包含钴，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料在所述第一导电材料和所述第二导电材料相连的位置具有相同的宽度，其中所述第二导电材料具有上表面，所述上表面具有与所述介电层的上表面的所述部分大致共面的部分，以及其中所述第二导电材料的上表面在所述介电层的上表面的所述部分的下方具有弧形角；以及阻挡层，部分包围所述导电结构，所述阻挡层包含钽。2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中所述阻挡层还包含氮。3.如权利要求1所述的集成电路结构，其中第二导电材料还包含硼。4.如权利要求3所述的集成电路结构，其中第二导电材料还包含磷。5.如权利要求3所述的集成电路结构，其中第二导电材料还包含钨。6.如权利要求3所述的集成电路结构，其中第二导电材料还包含钨和磷。7.如权利要求1所述的集成电路结构，其中第二导电材料还包含磷。8.如权利要求7所述的集成电路结构，其中第二导电材料还包含钨。9.一种制造集成电路结构的方法，所述方法包含：形成包含硅、氧和碳的介电层；在所述介电层中形成沟槽；在所述沟槽中形成阻挡层，所述阻挡层包含钽；在所述阻挡层内形成第一导电材料，所述第一导电材料包含铜；使所述第一导电材料凹进所述介电层的上表面的一部分的下方；以及在凹进的第一导电材料的上表面上形成第二导电材料，所述第二导电材料包含钴，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料在所述第一导电材料和所述第二导电材料相连的位置具有相同的宽度，以及其中所述第二导电材料的上表面在所述介电层的上表面的所述部分的下方具有弧形角。10.如权利要求9所述的方法，其中使所述第一导电材料凹进在所述介电层的上表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：B博亚诺夫，KJ辛格，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：