一种芯片的制作方法技术

本申请实施例公开了一种芯片的制作方法，该方法包括：提供一光罩；将所述光罩的第一表面划分为多个尺寸和形状均相同的预设区域；根据各个预设区域中的预设图形的数量，获取所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度；根据所述预设区域的图形密度，得到修正区域，所述修正区域包括图形密度取值范围在第一预设值和第二预设值之间的至少一个预设区域，包括端点值；在所述修正区域选取多个测量点，根据所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整；根据调整后的曝光剂量，利用所述光罩制作所述芯片，能够有效改善芯片线宽的均匀性，从而有助于提高芯片的良率。助于提高芯片的良率。助于提高芯片的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片的制作方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种芯片的制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展以及工业生产的需求，半导体器件的尺寸在不断的缩小，半导体器件尺寸的缩减，必然导致芯片线宽(Critical Dimension，简称CD)的不断减小。
[0003]然而，芯片的线宽不断减小，会使得制作芯片时，对芯片的线宽控制难度增加，影响芯片的线宽均匀性(Critical Dimension Uniform，简称CDU)，导致芯片的线宽均匀性较差，从而影响芯片的良率。因此，为了有效避免芯片线宽均匀性对芯片良率的影响，提供一种能够有助于改善芯片线宽均匀性的芯片制作方法，成为了本领域技术人员的研究重点。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种芯片的制作方法，该制作方法能够有助于改善线宽均匀性，从而有助于提高芯片的良率。
[0005]为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：
[0006]一种芯片的制作方法，该制作方法包括：
[0007]提供一光罩，所述光罩第一表面具有多个预设图形；
[0008]将所述光罩第一表面划分为尺寸和形状均相同的多个预设区域；
[0009]根据各个预设区域中的预设图形的数量，获取所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度；
[0010]根据所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度，得到修正区域，所述修正区域包括图形密度取值范围在第一预设值和第二预设值之间的至少一个预设区域，包括端点值；
[0011]在所述修正区域中选取多个测量点，所述多个测量点位于所述修正区域中的预设图形上，根据所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整；
[0012]根据调整后的曝光剂量，利用所述光罩制作芯片。
[0013]可选的，根据所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度，得到所述修正区域包括：
[0014]根据所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度，得到所述光罩的图形密度曲线；
[0015]根据所述图形密度曲线，得到所述第一预设值和所述第二预设值；
[0016]根据所述第一预设值和所述第二预设值，得到所述修正区域。
[0017]可选的，所述修正区域包括至少一个预设区域，在所述修正区域中选取多个测量点包括：
[0018]在所述修正区域中的至少一个预设区域中选取多个测量点；
[0019]其中，在所述修正区域中的至少一个预设区域中选取多个测量点包括：
[0020]在所述修正区域中的至少一个预设区域的第一方向和第二方向各选取多个测量点；
[0021]所述第一方向和所述第二方向平行于所述光罩的第一表面，且所述第一方向与所述第二方向垂直。
[0022]可选的，所述修正区域包括多个预设区域，在所述修正区域中选取多个测量点包括：
[0023]在所述修正区域中的各个预设区域中各选取多个测量点；
[0024]其中，在所述修正区域中的各个预设区域中各选取多个测量点包括：
[0025]在所述修正区域中的各个预设区域的第一方向和第二方向各选取多个测量点；
[0026]所述第一方向和所述第二方向平行于所述光罩的第一表面，且所述第一方向与所述第二方向垂直。
[0027]可选的，根据所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整包括：
[0028]获取所述多个测量点所在位置的线宽；
[0029]将所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片的预设线宽相比较，得到所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片的预设线宽的差值；
[0030]根据所述差值，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整；
[0031]其中，所述芯片的预设线宽为所述芯片线宽的理想值。
[0032]可选的，根据所述差值，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整包括：
[0033]当所述测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片的预设线宽的差值小于第三预设值，利用所述光罩制作所述芯片时，增大所述芯片晶圆与该测量点所在位置相对应处的曝光剂量；
[0034]当所述测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片的预设线宽的差值大于第四预设值，利用所述光罩制作所述芯片时，减小所述芯片晶圆与该测量点所在位置相对应处的曝光剂量；
[0035]当所述测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片预设线宽的差值的取值范围在所述第三预设值和所述第四预设值之间，包括端点值，利用所述光罩制作所述芯片时，不改变所述芯片晶圆与所述测量点所在位置相对应处的曝光剂量。
[0036]与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
[0037]本申请实施例所提供的技术方案包括：提供一光罩，所述光罩第一表面具有多个预设图形；将所述光罩的第一表面划分为尺寸和形状均相同的多个预设区域；获取所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度；根据所述预设区域的图形密度，得到修正区域，所述修正区域包括图形密度取值范围在第一预设值和第二预设值之间的至少一个所述预设区域，包括端点值；在所述修正区域中选取多个测量点，根据所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整；根据调整后的曝光剂量，利用所述光罩制作所述芯片。由上述可知，本申请实施例所提供的方法根据所述光罩第一表面的多个预设区域的图形密度得到修正区域，又在所述修正区域中选取多个测量点，已知所述修正区域的图形密度取值范围在第一预设值和第二预设值之间，包括端点值，能
够避免所述修正区域的图形密度过大或过小，进而避免在修正区域中选取的多个测量点所在位置的线宽过大或过小，使得选取的测量点所在位置的线宽能够更加真实的反应光罩的实际线宽分布，从而使得根据测量点的所在位置的线宽调整曝光剂量时，有助于对曝光剂量进行准确调整，使得根据调整后的曝光剂量，制作的芯片线宽均匀性较好，有助于提高所述芯片的线宽均匀性，进而有助于提高所述芯片的良率。
附图说明
[0038]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0039]图1为光罩中的预设图形上的测量点所在位置的线宽与光罩图形密度的关系曲线；
[0040]图2为本申请实施例提供的一种芯片的制作方法的流程图；
[0041]图3为本申请实施例提供的一种芯片的制作方法中的光罩的俯视图；
[0042]图4为不同芯片制作方法制得的芯片线宽分布曲线对比图；
[0043]图5为本申请实施例所提供的一种芯片的制作方法中的光罩图形密度分布曲线；
[0044]图6为本申请本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供一光罩，所述光罩第一表面具有多个预设图形；将所述光罩第一表面划分为尺寸和形状均相同的多个预设区域；根据各个预设区域中的预设图形的数量，获取所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度；根据所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度，得到修正区域，所述修正区域包括图形密度取值范围在第一预设值和第二预设值之间的至少一个预设区域，包括端点值；在所述修正区域中选取多个测量点，所述多个测量点位于所述修正区域中的预设图形上，根据所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整；根据调整后的曝光剂量，利用所述光罩制作芯片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度，得到所述修正区域包括：根据所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度，得到所述光罩的图形密度曲线；根据所述图形密度曲线，得到所述第一预设值和所述第二预设值；根据所述第一预设值和所述第二预设值，得到所述修正区域。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述修正区域包括至少一个预设区域，在所述修正区域中选取多个测量点包括：在所述修正区域中的至少一个预设区域中选取多个测量点；其中，在所述修正区域中的至少一个预设区域中选取多个测量点包括：在所述修正区域中的至少一个预设区域的第一方向和第二方向各选取多个测量点；所述第一方向和所述第二方向平行于所述光罩的第一表面，且所述第一方向与所述第二方向垂直。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述修正区域包括多个预设区域，在所述修正区域中选取...

【专利技术属性】
技术研发人员：黃钲为，葛伟妮，李式中，李双双，
申请(专利权)人：泉意光罩光电科技济南有限公司，
类型：发明
国别省市：