功率电子开关装置、功率半导体模块及制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及功率半导体开关装置、功率半导体模块及制造方法。提出了制造方法和用于功率半导体模块的功率电子连接装置，其中，所述连接装置被设计作为第一和第二导电薄膜以及被布置在所述第一和第二导电薄膜之间的电绝缘薄膜的柔性薄膜叠层，其中，所述导电薄膜中的至少一个导电薄膜本身被结构化并因而形成多个薄膜导体迹线，其中，这些薄膜导体迹线中的第一薄膜导体迹线在第一段中具有第一平均厚度并且在第二段中具有第二平均厚度，所述第二平均厚度比第一平均厚度小至少10％，优选地是至少20％。至少20％。至少20％。

【技术实现步骤摘要】
功率电子开关装置、功率半导体模块及制造方法


[0001]本专利技术描述了一种功率电子连接装置，该功率电子连接装置被设计作为第一和第二导电薄膜以及布置在该第一和第二导电薄膜之间的电绝缘薄膜的柔性薄膜叠层，其中，导电薄膜中的至少一个导电薄膜本身被结构化并因而形成多个薄膜导体迹线。当然，薄膜叠层还可以具有交替布置的电绝缘和导电薄膜。此外，本专利技术描述了一种具有该类型的连接装置的功率半导体模块，以及一种用于制造该类型的连接装置的方法。

技术介绍

[0002]DE 10 2007 006 706A1公开了一种电路布置，该电路布置具有：基板；导体迹线，其被布置在该基板的主表面上；至少一个半导体组件，其第一主表面被布置在第一导体迹线上；导电连接装置，其连接至半导体组件的第二主表面的至少一个接触表面。在该情况下，半导体组件与第一导体迹线和/或连接装置的连接形成为压力烧结连接，并且绝缘材料被布置在连接装置和半导体组件的相关联边缘之间。
[0003]由此，在了解现有技术的情况下，本专利技术的基本目标是研制功率电子连接装置和功率半导体模块，以便更好地满足对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率电子连接装置(3)，所述功率电子连接装置被设计作为第一和第二导电薄膜(30、34)以及电绝缘薄膜(32)的柔性薄膜叠层，所述电绝缘薄膜(32)被布置在所述第一和第二导电薄膜(30、34)之间，其中，所述导电薄膜中的至少一个导电薄膜(34)本身被结构化并因而形成多个薄膜导体迹线(340、350)，其中，这些薄膜导体迹线中的第一薄膜导体迹线(340)在第一段(342)中具有第一平均厚度(842)并且在第二段(344)中具有第二平均厚度(844)，所述第二平均厚度(844)比所述第一平均厚度(842)小至少10％，优选地是至少20％。2.根据权利要求1所述的连接装置，其中，所述第一薄膜导体迹线被设置以便承载功率电子开关装置的负载电流，所述功率电子开关装置特别是作为功率半导体模块的一部分。3.根据权利要求1
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2中的一项所述的连接装置，其中，所述第一薄膜导体迹线(340)具有弓形段(360)，并且所述第一段是所述弓形段的一部分或者在一端(362、364)或两端(362、364处)突出超过所述弓形段。4.根据权利要求1
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2中的一项所述的连接装置，其中，所述第一薄膜导体迹线具有平均宽度(880)，并且所述第一薄膜导体迹线的所述第一段具有第一最小段宽度(882)，所述第一最小段宽度(882)比所述平均宽度(880)小至少10％，优选地是至少20％。5.根据权利要求1
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2中的一项所述的连接装置，其中，所述第一薄膜导体迹线具有平均宽度(880)，并且所述第一薄膜导体迹线的所述第二段具有第二最小段宽度(882)，所述第二最小段宽度(882)比所述平均宽度(880)大至少10％，优选地是至少20％。6.根据权利要求1
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2中的一项所述的连接装置，其中，所述第一薄膜导体迹线的所述第一段的背对所述电绝缘薄膜的表面具有平坦表面或浮凸表面。7.根据权利要求1
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2中的一项所述的连接装置，其中，所述第一平均厚度具有在80μm至250μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯，
申请(专利权)人：赛米控电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：