存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本文可以提供存储器装置及其操作方法。存储器装置可以包括：多个存储器单元，多个存储器单元中的每一个以擦除状态或者多个编程状态中的任何一个作为目标状态；外围电路，其被配置为执行包括多个编程循环的编程操作；以及操作控制器，其被配置为控制外围电路以使得：响应于在多个编程循环当中的第x编程循环中包括的验证阶段中的针对多个编程状态当中的第N编程状态的验证通过，在多个编程循环当中的第x+1编程循环中包括的验证阶段中开始针对多个编程状态当中的第N+M编程状态的验证。编程状态当中的第N+M编程状态的验证。编程状态当中的第N+M编程状态的验证。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法


[0001]本公开的各种实施方式总体上涉及电子装置，并且更具体地涉及存储器装置和操作存储器装置的方法。

技术介绍

[0002]储存装置在主机的控制下存储数据。储存装置可以包括存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储器控制器。通常，存在两种类型的存储器装置：易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
[0003]易失性存储器装置可以仅在从电源供电时存储数据。当供电中断时，易失性存储器装置中存储的数据可能会丢失。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。
[0004]在非易失性存储器装置中，即使来自电源的供电被中断，所存储的数据也被保留。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存等。在非易失性存储器装置中，即使当来自电源的供电中断时，也会保留存储的数据。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：存储块，所述存储块包括多个存储器单元，每个存储器单元以擦除状态或者包括第一编程状态至第p编程状态的多个编程状态中的任何一个作为目标状态，其中p为大于1的自然数；外围电路，所述外围电路执行包括多个编程循环的编程操作，所述多个编程循环中的每一个包括编程电压施加阶段和验证阶段，其中，所述编程电压施加阶段将编程电压施加到与所述存储块联接的多条字线当中的与所述多个存储器单元共同联接的被选字线，并且所述验证阶段确定所述多个存储器单元的阈值电压中的每一个是否达到对应于所述目标状态的阈值电压；以及操作控制器，所述操作控制器控制所述外围电路以使得：响应于在所述多个编程循环当中的第x编程循环中的所述验证阶段中的针对所述多个编程状态当中的第N编程状态的验证通过，在所述多个编程循环当中的第x+1编程循环中的所述验证阶段中开始针对所述多个编程状态当中的第N+M编程状态的验证，其中，x为自然数，N为等于或大于1并且小于或等于p
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2的自然数，并且M为等于或大于2的自然数。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述操作控制器控制所述外围电路以使得在所述多个编程循环当中的第一编程循环中的所述验证阶段中执行针对所述多个编程状态当中的第一编程状态的验证。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述操作控制器控制所述外围电路以使得：在跟随在以所述第一编程状态作为目标状态的存储器单元当中的具有被检测为高于用于验证所述第一编程状态的验证电压的阈值电压的存储器单元的数量等于或大于参考数量的编程循环之后的编程循环中开始针对第二编程状态的验证。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述操作控制器包括：验证控制信息储存器，所述验证控制信息储存器存储包括取决于所述多条字线的位置的关于编程状态的编程状态信息的字线信息表，在所述第x+1编程循环中开始对所述编程状态的所述验证阶段；以及编程操作控制器，所述编程操作控制器控制所述外围电路以使得基于所述被选字线和所述字线信息表来执行所述编程操作。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路以：基于所述被选字线和所述字线信息表来确定所述第N+M编程状态，从而施加用于验证所确定的所述第N+M编程状态的验证电压。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述外围电路包括：电压发生器，所述电压发生器在所述编程电压施加阶段生成所述编程电压并且在所述验证阶段生成验证电压；页缓冲器组，所述页缓冲器组在所述编程电压施加阶段通过多条位线向所述多个存储器单元提供写入数据，并且在所述验证阶段通过所述多条位线感测所述多个存储器单元的相应阈值电压是否大于所述验证电压；以及感测电路，所述感测电路基于参考电流和与具有大于所述验证电压的阈值电压的存储器单元的数量相对应的感测电流来确定针对所述多个编程状态中的每一个的验证是否通
过，并且取决于确定的结果而输出通过信号或失败信号。7.一种存储器装置，该存储器装置包括：存储块，所述存储块包括多个存储器单元，每个存储器单元以擦除状态或者包括第一编程状态至第p编程状态的多个编程状态中的任何一个作为目标状态，其中p为大于1的自然数；外围电路，所述外围电路执行包括多个编程循环的编程操作，所述多个编程循环中的每一个包括编程电压施加阶段和验证阶段，其中，所述编程电压施加阶段将编程电压施加到与所述存储块联接的多条字线当中的与所述多个存储器单元共同联接的被选字线，并且所述验证阶段确定所述多个存储器单元的阈值电压中的每一个是否达到对应于所述目标状态的阈值电压；以及操作控制器，所述操作控制器控制所述外围电路以使得：响应于在所述多个编程循环当中的第x编程循环中包括的所述验证阶段中的针对所述多个编程状态当中的第N编程状态的验证通过，在所述多个编程循环当中的第x+y编程循环中包括的所述验证阶段中开始针对所述多个编程状态当中的第N+2编程状态的验证，其中，x为自然数，N为等于或大于1并且小于或等于p
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2的自然数，并且y为等于或大于1的自然数。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述操作控制器控制所述外围电路以使得在所述多个编程循环当中的第一编程循环中包括的所述验证阶段中执行针对所述多个编程状态当中的第一编程状态的验证。9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述操作控制器控制所述外围电路以使得：在跟随在以所述第一编程状态作为目标状态的存储器单元当中的具有被检测为高于用于验证所述第一编程状态的验证电压的阈值电压的存储器单元的数量等于或大于参考数量的编程循环之后的编程循环中开始针对第二编程状态的验证。10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述操作控制器包括：验证控制信息储存器，所述验证控制信息储存器存储循...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄盛炫，李晋行，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：