存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种具有多个存储块的存储器装置对由于停止擦除操作而引起的存储器单元的特性改变进行补偿。该存储器装置还包括电压发生器，该电压发生器被配置为生成在对所述多个存储块当中的所选存储块执行擦除操作时由存储器装置使用的电压。该存储器装置还包括擦除停止控制器，该擦除停止控制器被配置为控制停止和重新开始擦除操作，并且当擦除操作被停止时对擦除操作停止的次数进行计数以生成停止计数值。该存储器装置另外包括计数值存储装置，该计数值存储装置被配置为存储和输出停止计数值。置被配置为存储和输出停止计数值。置被配置为存储和输出停止计数值。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法


[0001]本公开涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置和操作电子装置的方法。

技术介绍

[0002]存储装置是在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制下存储数据的装置。例如，存储装置可包括将数据存储在磁盘上的装置(例如，硬盘驱动器(HDD))、将数据存储在半导体存储器中的装置(例如，固态驱动器(SSD))或者存储卡(具体地，非易失性存储器)。
[0003]存储装置可包括存储数据的存储器装置和控制数据在存储器装置中的存储的存储控制器。存储器装置可被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。非易失性存储器装置可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

技术实现思路

[0004]本公开的实施方式涉及一种补偿由于停止擦除操作而引起的存储器单元的特性改变的存储器装置。另一实施方式涉及操作这种存储器装置的方法。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包括多个存储块的存储器装置，该存储器装置包括：电压发生器，该电压发生器被配置为生成在对所述多个存储块当中的所选存储块执行擦除操作时由所述存储器装置使用的电压；擦除停止控制器，该擦除停止控制器被配置为控制停止和重新开始所述擦除操作，并且当所述擦除操作被停止时对所述擦除操作停止的次数进行计数以生成停止计数值；以及计数值存储装置，该计数值存储装置被配置为存储和输出所述停止计数值。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述计数值存储装置包括易失性存储器单元和非易失性存储器单元中的一种。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当所述擦除停止控制器在执行所述擦除操作时从存储控制器接收到编程命令和读命令中的一个时，所述擦除停止控制器被配置为控制所述存储器装置的外围电路停止所述擦除操作。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述擦除停止控制器被配置为：当在所述擦除操作被停止之后所述擦除停止控制器从所述存储控制器接收到新编程命令和新读命令中的一个时，维持所述擦除操作的停止状态；并且当在重新开始停止的擦除操作之后所述擦除停止控制器从所述存储控制器接收到另一编程命令和另一读命令中的一个时，再次停止所述擦除操作。5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，当重新开始所述擦除操作时，所述擦除停止控制器被配置为基于所述停止计数值来设定要施加到与所述所选存储块连接的字线的电压的偏移电压。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述擦除停止控制器被配置为：随着所述停止计数值增加，将所述偏移电压设定为更大；并且随着所述停止计数值减小，将所述偏移电压设定为更小。7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述多个存储块中的每一个具有三维结构，并且所述擦除停止控制器被配置为根据连接到所述所选存储块的所述字线的位置而不同地设定所述偏移电压。8.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述多个存储块中的每一个具有三维结构，并且当连接到所述所选存储块的所述字线被分成多个组时，所述擦除停止控制器被配置为控制所述电压发生器生成比为所述多个组中的每一个设定的字线电压高所述偏移电压的电压。9.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述多个存储块中的每一个具有三维结构，并且当连接到所述所选存储块的所述字线被包括在一个组中时，所述擦除停止控制器被配置为控制所述电压发生器生成比要施加到与所述所选存储块连接的所述字线的电压高所述偏移电压的电压。10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述擦除停止控制器被配置为在所述擦除操作被停止之后向所述计数值存储装置输出用于获得所述停止计数值的停止计数请求，以使得基于所述停止计...

【专利技术属性】
技术研发人员：李修旻，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：