NorFlash存储器电路和NorFlash制造技术

本实用新型专利技术提供一种Nor Flash存储器电路和Nor Flash，先打开第一泄压管，由于第一泄压管导通电阻小，被选中执行擦除操作的存储单元所在阵列的全部存储单元的字线上的正电压能快速泄放到0；再切换第一选择开关和第二选择开关，切换瞬间被选中执行擦除操作的存储单元所在阵列的全部存储单元的字线上电压基本上与泄放剩余电压相等；在各个工艺角的情况下，保证设定时间小于擦除前检查状态读电压的建立等待时间，同时使切换瞬间被选中执行擦除操作的存储单元所在的阵列的全部存储单元的字线上的电压和泄放剩余电压尽量接近0，可有效减小未选中的存储单元读出漏电从而导致选中的存储单元的读出数据判定错误的风险。的存储单元的读出数据判定错误的风险。的存储单元的读出数据判定错误的风险。

【技术实现步骤摘要】
Nor Flash存储器电路和Nor Flash


[0001]本技术涉及电路
，尤其涉及的是一种Nor Flash存储器电路和Nor Flash。

技术介绍

[0002]如图1所示，LS为level shift电路，其功能为电平转换；Vssp_gen为正电压Vssp产生模块，当SSP_EN为高电平时，电路工作，为低电平时，电路不工作；VEE_gen为负电压VEE产生模块，当VEE_EN为高电平时，电路工作，为低电平时，电路不工作。
[0003]当Nor Flash芯片接收到擦除指令时，按照擦除算法（Nor Flash分为array erase（阵列擦除，当整个Nor Flash只有一个array时，array erase又叫chip erase(芯片擦除）、block erase（块擦除）和sector erase（扇区擦除）；一个array=16个block=256个sector），以上电路由standby（待机）模式切换到擦除算法模式，擦除算法前两个阶段依次为soft_soft_pgm（过擦除修复）和Check erase（擦除前检查，是指对芯片内需要擦除的储存单元地址进行检查，判断存储单元是否需要执行擦除操作），因此上述电路会在三个phase（阶段）之间切换，phase1为standby mode，phase2为soft_soft_pgm，phase3为Check Erase（擦除前检查），电路处于standby mode（待机模式）时，SSP_EN和VEE_EN均为低电平，开关S1断开，S2闭合，Vssp_gen和VEE_gen两个模块均不工作，Vssp和VEE均为0，memory cell的WL（word line，字线）上电压Vwl=VEE=0；当电路从standby mode切换到soft_soft_pgm（过擦除修复）后，SSP_EN从低电平变成高电平，Vssp模块开始工作，开关S1闭合，S2断开，Vwl=Vssp为一个正电压（此时Vssp_gen为需要执行擦除操作的储存单元所在的array的字线提供正电压，对整个array的存储单元执行过擦除修复），soft_soft_pgm（过擦除修复）完成以后，进入Check erase（擦除前检查，此时VEE_gen为需要执行擦除操作的储存单元的字线提供负电压或者0电压（有可能是一个sector的储存单元，有可能是一个block的储存单元，有可能是1个array的储存单元）），SSP_EN又从高电平变为低电平，Vssp_gen模块停止工作，但由于选择开关S1、S2的切换和Vssp_gen的使能信号SSP_EN的变化几乎是同时的，因此WL上电压没有及时泄放到0（GND，接地），而此时，选择开关S2已经将Vwl与VEE连通，尽管VEE_EN此时为0，VEE_ENB为高电平，但由于限流电路R_LIMIT（10K欧姆）的存在，以及memory cell 的WL上的等效电容CWL比较大（一般可达1nF以上），即使忽略开关S2和泄放管M2的导通电阻，由R_LIMIT和CWL构成的RC时间常数也比较大，通常可达100us以上，而算法设计时，为保证擦除时间足够短，进入Check erase时预留的建立时间通常在10us左右，这意味着现有技术中Check erase时，未选中的存储单元的字线上的电压不为0（GND），而为一个正电压（因为在过擦除修复时是对整个array提供正电压，而在擦除前检查时，只是对需要执行擦除操作的储存单元提供负电压或者0电压（在同一个array中的其他不需要执行擦除单元的存储单元的字线没有施加负电压或者0电压，该部分存储单元的字线上的正电压还没有降低为0）），进而会导致一些未选中的待擦除存储单元读出漏电流从而影响选中的存储单元的读出数据的判定。图2为现有技术中各节点的波形图，V1即为Check erase时的Vwl未及时放电而存
在的一个正电压。
[0004]因此，现有技术还有待改进。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种Nor Flash存储器电路和Nor Flash，旨在解决现有技术中存在的一个或多个问题。
[0006]本技术的技术方案如下：本技术方案提供一种Nor Flash存储器电路，包括：
[0007]电平转换模块，使Nor Flash存储器电路从待机模式切换到工作模式；
[0008]正电压产生模块，在第一过擦除修复使能从低电平变成高电平时为被选中执行擦除操作的存储单元所在的阵列的全部存储单元的字线提供一个正电压；所述正电压产生模块与所述存储单元之间通过第一选择开关连接；所述被选中执行擦除操作的存储单元所在的阵列的全部存储单元的字线上的正电压通过第一泄压管进行泄压；
[0009]负电压产生模块，在擦除前检查使能从低电平变成高电平时为被选中执行擦除操作的存储单元的字线提供一个非正电压；所述负电压产生模块与存储单元之间通过第二选择开关连接；
[0010]延时单元，对过擦除修复使能的下降沿进行延时设定时间，得到延时后的第二擦除修复使能；
[0011]所述第一泄压管M1通过第一过擦除修复使能控制启闭，所述第一选择开关和第二选择开关通过第二擦除修复使能控制启闭；
[0012]在第一过擦除修复使能从高电平变成低电平、擦除前检查使能从低电平变成高电平时，正电压产生模块停止工作，负电压产生模块开始工作，第一泄压管打开对被选中执行擦除操作的存储单元所在的阵列的全部存储单元的字线上的正电压进行泄压；间隔设定时间后，第二擦除修复使能由高电平变成低电平，第一选择开关关闭，第二选择开关打开，负电压产生模块为被选中执行擦除操作的存储单元的字线提供一个非正电压。
[0013]进一步地，所述延时单元的一端连接第一过擦除修复使能，延时单元的另一端与电平转换模块的一端连接，电平转换模块的另一端与第一非门输入端连接，第一非门输出端与第二选择开关连接；所述正电压产生模块的一端连接第一过擦除修复使能，所述正电压产生模块的另一端与第一选择开关连接，所述第一选择开关与被选中执行擦除操作的存储单元所在的阵列的全部存储单元的字线连接，所述第一选择开关还与电平转换模块的另一端连接；第二非门的输入端连接第一过擦除修复使能，所述第二非门的输出端与所述第一泄压管连接，所述第一泄压管接地，所述第一泄压管M1还与所述正电压产生模块的另一端连接。
[0014]进一步地，所述负电压产生模块的一端连接擦除前检查使能，所述负电压产生模块的另一端与所述第二选择开关连接，所述第二选择开关与被选中执行擦除操作的存储单元的字线连接；第三非门的输入端连接擦除前检查使能，所述第三非门的输出端与第二泄压管连接，所述第二泄压管接地，所述第二泄压管与所述负电压产生模块的另一端连接。
[0015]进一步地，所述延时单元包括第四非门、第五非门和或门，所述第四非门的输入端连接第一过擦除修复使能，所述第四非门的输出端与所述第五非门的输入端连接，第五非门的输入端与所述或门的第一输入端连接，所述或门的第二输入端连接第一过擦除本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Nor Flash存储器电路，其特征在于，包括：电平转换模块，使Nor Flash存储器电路从待机模式切换到工作模式；正电压产生模块，在第一过擦除修复使能从低电平变成高电平时为被选中执行擦除操作的存储单元所在的阵列的全部存储单元的字线提供一个正电压；所述正电压产生模块与所述存储单元之间通过第一选择开关连接；所述被选中执行擦除操作的存储单元所在的阵列的全部存储单元的字线上的正电压通过第一泄压管进行泄压；负电压产生模块，在擦除前检查使能从低电平变成高电平时为被选中执行擦除操作的存储单元的字线提供一个非正电压；所述负电压产生模块与存储单元之间通过第二选择开关连接；延时单元，对过擦除修复使能的下降沿进行延时设定时间，得到延时后的第二擦除修复使能；所述第一泄压管M1通过第一过擦除修复使能控制启闭，所述第一选择开关和第二选择开关通过第二擦除修复使能控制启闭；在第一过擦除修复使能从高电平变成低电平、擦除前检查使能从低电平变成高电平时，正电压产生模块停止工作，负电压产生模块开始工作，第一泄压管打开对被选中执行擦除操作的存储单元所在的阵列的全部存储单元的字线上的正电压进行泄压；间隔设定时间后，第二擦除修复使能由高电平变成低电平，第一选择开关关闭，第二选择开关打开，负电压产生模块为被选中执行擦除操作的存储单元的字线提供一个非正电压。2.根据权利要求1所述的Nor Flash存储器电路，其特征在于，所述延时单元的一端连接第一过擦除修复使能，延时单元的另一端与电平转换模块的一端连接，电平转换模块的另一端与第一非门输入端连接，第一非门输出端与第二选择开关连接；所述正电压产生模块的一端连接第一过擦除修复使能，所述正电压产生模块的另一端与第一选择开关连接，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：高益，蒋丁，王振彪，温靖康，
申请(专利权)人：芯天下技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：