NorFlash存储器电路和NorFlash制造技术

本实用新型专利技术提供一种Nor Flash存储器电路和Nor Flash，先打开第一泄压管，由于第一泄压管导通电阻小，被选中执行擦除操作的存储单元所在阵列的全部存储单元的字线上的正电压能快速泄放到0；再切换第一选择开关和第二选择开关，切换瞬间被选中执行擦除操作的存储单元所在阵列的全部存储单元的字线上电压基本上与泄放剩余电压相等；在各个工艺角的情况下，保证设定时间小于擦除前检查状态读电压的建立等待时间，同时使切换瞬间被选中执行擦除操作的存储单元所在的阵列的全部存储单元的字线上的电压和泄放剩余电压尽量接近0，可有效减小未选中的存储单元读出漏电从而导致选中的存储单元的读出数据判定错误的风险。的存储单元的读出数据判定错误的风险。的存储单元的读出数据判定错误的风险。

【技术实现步骤摘要】
Nor Flash存储器电路和Nor Flash


[0001]本技术涉及电路
，尤其涉及的是一种Nor Flash存储器电路和Nor Flash。

技术介绍

[0002]如图1所示，LS为level shift电路，其功能为电平转换；Vssp_gen为正电压Vssp产生模块，当SSP_EN为高电平时，电路工作，为低电平时，电路不工作；VEE_gen为负电压VEE产生模块，当VEE_EN为高电平时，电路工作，为低电平时，电路不工作。
[0003]当Nor Flash芯片接收到擦除指令时，按照擦除算法（Nor Flash分为array erase（阵列擦除，当整个Nor Flash只有一个array时，array erase又叫chip erase(芯片擦除）、block erase（块擦除）和sector erase（扇区擦除）；一个array=16个block=256个sector），以上电路由standby（待机）模式切换到擦除算法模式，擦除算法前两个阶段依次为soft_soft_pgm（过擦除修复）和Check erase（擦本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Nor Flash存储器电路，其特征在于，包括：电平转换模块，使Nor Flash存储器电路从待机模式切换到工作模式；正电压产生模块，在第一过擦除修复使能从低电平变成高电平时为被选中执行擦除操作的存储单元所在的阵列的全部存储单元的字线提供一个正电压；所述正电压产生模块与所述存储单元之间通过第一选择开关连接；所述被选中执行擦除操作的存储单元所在的阵列的全部存储单元的字线上的正电压通过第一泄压管进行泄压；负电压产生模块，在擦除前检查使能从低电平变成高电平时为被选中执行擦除操作的存储单元的字线提供一个非正电压；所述负电压产生模块与存储单元之间通过第二选择开关连接；延时单元，对过擦除修复使能的下降沿进行延时设定时间，得到延时后的第二擦除修复使能；所述第一泄压管M1通过第一过擦除修复使能控制启闭，所述第一选择开关和第二选择开关通过第二擦除修复使能控制启闭；在第一过擦除修复使能从高电平变成低电平、擦除前检查使能从低电平变成高电平时，正电压产生模块停止工作，负电压产生模块开始工作，第一泄压管打开对被选中执行擦除操作的存储单元所在的阵列的全部存储单元的字线上的正电压进行泄压；间隔设定时间后，第二擦除修复使能由高电平变成低电平，第一选择开关关闭，第二选择开关打开，负电压产生模块为被选中执行擦除操作的存储单元的字线提供一个非正电压。2.根据权利要求1所述的Nor Flash存储器电路，其特征在于，所述延时单元的一端连接第一过擦除修复使能，延时单元的另一端与电平转换模块的一端连接，电平转换模块的另一端与第一非门输入端连接，第一非门输出端与第二选择开关连接；所述正电压产生模块的一端连接第一过擦除修复使能，所述正电压产生模块的另一端与第一选择开关连接，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：高益，蒋丁，王振彪，温靖康，
申请(专利权)人：芯天下技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：