半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法技术

本技术涉及一种半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法。半导体存储器设备包括：包括存储器单元的存储器块；外围电路，被配置为在测试操作期间在设定编程状态中对存储器单元进行编程，并且对在设定编程状态中被编程的存储器单元执行测试擦除电压施加操作；以及控制逻辑，被配置为控制外围电路对存储器单元之中的阈值电压小于设定阈值电压的异常存储器单元进行计数。储器单元进行计数。储器单元进行计数。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请根据35U.S.C.
§
119(a)要求于2020年4月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2020-0047565的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。


[0003]本公开涉及一种电子设备，更特别地涉及一种半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法。

技术介绍

[0004]最近，计算机环境的范例已经变换为普适计算，这使得计算机系统能够在任何时间和任何地方使用。因此，诸如移动电话、数码相机和笔记本计算机等便携式电子设备的使用正在迅速增加。这种便携式电子设备通常使用存储器系统，该存储器系统使用半导体存储器设备，即，数据存储设备。数据存储设备被用作便携式电子设备的主存储设备或辅助存储设备。
[0005]使用存储器设备的半导体数据存储设备具有以下优点：因为没有机械驱动器，所以稳定性和耐久性极好，信息的访问速度非常快，并且功耗低。作为具有这种优点的存储器系统的示例，数据存储设备包括通用串行总线(US本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器设备，包括：存储器块，包括存储器单元；外围电路，被配置为在测试操作期间将所述存储器单元编程至设定编程状态，并且对被编程至所述设定编程状态的所述存储器单元执行测试擦除电压施加操作；以及控制逻辑，被配置为控制所述外围电路对在所述存储器单元之中的、阈值电压低于设定阈值电压的异常存储器单元进行计数。2.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中在所述测试擦除电压施加操作期间，所述外围电路将测试擦除电压施加到所述存储器块的源极线，或者将所述测试擦除电压施加到所述存储器块的所述源极线和位线。3.根据权利要求2所述的半导体存储器设备，其中所述测试擦除电压是低于在正常擦除操作期间所使用的正常擦除电压的电压。4.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中在所述测试擦除电压施加操作期间，所述外围电路将测试擦除电压施加到源极线或者所述源极线和位线，并且在所述测试擦除电压等于正常擦除电压之前，停止所述测试擦除电压的增大。5.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中在所述测试擦除电压施加操作期间，所述外围电路将擦除电压施加到所述存储器块的源极线，并且将大于接地电压的电压施加到所述存储器块的字线。6.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中所述外围电路重复地执行所述测试擦除电压施加操作达设定次数。7.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中所述设定阈值电压等于或小于所述设定编程状态的最低阈值电压。8.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中当所计数的所述异常存储器单元的数目大于设定数目时，所述控制逻辑将所述存储器块确定为坏块。9.一种操作半导体存储器设备的方法，所述方法包括：在设定编程状态中对存储器块进行编程；将测试擦除电压施加到在所述设定编程状态中被编程的所述存储器块达设定次数；对在所述存储器块中所包括的存储器单元之中的、阈值电压小于所述设定编程状态的最低阈值电压的存储器单元进行计数；以及当所计数的存储器单元的数目大于设定数目时，将所述存储器块确定为坏块。10.根据权利要求9所述的方法，其中施加所述测试擦除电压包括：将所述测试擦除电压施加到所述存储器块的源极线，或者将所述测试擦除电压施加到所述存储器块的所述源极线和位线，以及所述测试擦除电压是小于在正常擦除操作期间所使用的正常擦除电压的电压。11.根据权利要求9所述的方法，其中施加所述测试擦除电压包括：将所述测试擦除电压施加到所述存储器块的源极线或者所述存储器块的所述源极线和位线，并且在所述测试擦除电压等于正常擦除电压之前，停止所述测试擦除电压的增大。12.根据权利要求9所述的方法，其中施加所述测试擦除电压包括：将大于接地电压的电压施加到所述存储器块的字线。13.一种半导体存储器设备，包括：
存储器块，包括在擦除状态下的存储器单元；外围电路，被配置为在测试操作期间对所述擦除状态下的所述存储器单元执行测试编程电压施加操作；以及控制逻辑，被配置为控制所述外围电路对在所述存储器单元之中的、阈值电压大于设定阈值电压的异常存储器单元进行计数。14.根据权利要求13所述的半导体存储器设备，其中所述外围电路在所述测试编程电压施加操作期间，按顺序或同时将测试编程电压施加到所述存储器块的多个字线。15.根据权利要求14所述的半导体存储器设备，其中所述测试编程电压是小于在正常编程操作期间所使用的正常编程电压的电压。16.根据权利要求13所述的半导体存储器设备，其中在所述测试擦除电压施加操作期间，所述外围电路将测试编程电压施加到所述存储器块的字线，并且在所述测试编程电压等于正常编程电压之前，停止所述测试编程电压的增大。17.根据权利要求13所述的半导体存储器设备，其中所述外围电路重复地执行所述测试编程电压施加操作达设定次数。18.根据权利要求13所述的半导体存储器设备，其中所述设定阈值电压等于或大于所述擦除状态的最高阈值电压。19.根据权利要求13所述的半导体存储器设备，其中当所计数的异常存储器单元的数目大于设定数目时，所述控制逻辑将所述存储器块确定为坏块。20.一种操作半导体存储器设备的方法，所述方法包括：将测试编程电压施加到在擦除状态下的存储器块达设定次数；对在所述存储器块中所包括的存储器单元之中的、阈值电压大于所述擦除状态的最高阈值电压的存储器单元进行计数；以及当所计数的存储器单元的数目大于设定数目时，将所述存储器块确定为坏块。21.根据权利要求20所述的方法，其中施加所述测试编程电压包括：将所述测试编程电压施加到所述存储器块的多个字线，以及所述测试编程电压是低于在正常编程操作期间所使用的正常编程电压的电压。22.根据权利要求21所述的方法，其中施加所述测试编程电压包括：按顺序或同时将所述测试编程电压施加到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金钟旭，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：