存储器设备及其操作方法技术

本公开的实施例涉及存储器设备及其操作方法。一种存储器设备及操作该存储器设备的方法，包括存储器块，该存储器块被配置为包括多个存储器单元，该多个存储器单元被堆叠为在衬底上彼此隔开，并且包括耦合到多个存储器单元的字线以及耦合到包括多个存储器单元的串的两端的位线和源极线；以及外围电路，该外围电路被配置为对存储器块执行擦除操作，其中外围电路被配置为对存储器块中包括的多个存储器单元执行擦除操作，然后依据多个存储器单元的尺寸对选自多个存储器单元的存储器单元执行缺陷检测操作。缺陷检测操作。缺陷检测操作。

【技术实现步骤摘要】
存储器设备及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请根据35U.S.C.
§
119(a)要求于2020年3月25日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0035955号的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。


[0003]本公开的各个实施例一般涉及一种存储器设备和操作该存储器设备的方法，并且更具体地，涉及一种在包括存储器设备的产品已经装运之后可以检测在该存储器设备中发生的缺陷的存储器设备和操作该存储器设备的方法。

技术介绍

[0004]存储器设备可以包括易失性存储器，当供电中断时其中所存储的数据丢失；或非易失性存储器，即使当供电被中断时，其中所存储的数据也会被保留。
[0005]非易失性存储器设备通常要求实现大容量和高集成度以便与诸如移动电话和笔记本计算机之类的便携式电子设备一起使用。
[0006]随着包括形成在衬底上作为单层的存储器单元的二维(2D)非易失性存储器设备的结构达到物理缩放极限，正在开发包括垂直堆叠在衬底上的存储器单元的三维(3D)非易失性存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：存储器块，包括多个存储器单元，所述多个存储器单元被堆叠为在衬底上彼此隔开；包括字线，所述字线耦合到所述多个存储器单元；并且包括位线和源极线，所述位线和所述源极线耦合到串的两端，所述串包括所述多个存储器单元；以及外围电路，被配置为对所述存储器块执行擦除操作，其中所述外围电路被配置为对所述存储器块中包括的所述多个存储器单元执行所述擦除操作，并且然后依据所述多个存储器单元的尺寸对从所述多个存储器单元之中选择的存储器单元执行缺陷检测操作。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路包括：电压发生器，被配置为向所述字线和所述源极线供应操作电压；页缓冲器，被配置为通过所述位线接收依据所述选择的存储器单元而改变的电压或电流来存储数据；以及控制逻辑，被配置为响应于命令和地址而控制所述电压发生器和所述页缓冲器。3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述控制逻辑被配置为响应于所述命令和所述地址：控制所述电压发生器和所述页缓冲器，使得所述擦除操作被执行；以及控制所述电压发生器和所述页缓冲器，使得在所述擦除操作被执行之后，通过向耦合到所述选择的存储器单元的选择的字线施加缺陷验证电压来执行所述缺陷检测操作。4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述控制逻辑被配置为：当所述擦除操作被执行时：对整个所述存储器块执行块擦除操作；对整个所述存储器块执行块验证操作；以及重复所述块擦除操作和所述块验证操作，直到所述块验证操作通过为止。5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中所述控制逻辑被配置为：当所述块验证操作被执行时，通过向耦合到所述多个存储器单元的所有所述字线施加块验证电压来确定所述块验证操作是已经通过还是失败。6.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述控制逻辑被配置为，当所述缺陷检测操作被执行时：将所述串中包括的沟道的电位预先充电为正电压；向所述选择的字线施加所述缺陷验证电压；向除了所述选择的字线之外的未选择的字线施加通过电压；以及依据所述沟道的所述电位来确定所述缺陷检测操作是已经通过还是失败。7.根据权利要求6所述的存储器设备，其中所述控制逻辑被配置为：当在所述选择的存储器单元中检测到具有的阈值电压高于所述缺陷验证电压的单元时，确定所述缺陷检测操作已经失败；以及当所述选择的存储器单元的所有阈值电压都低于所述缺陷验证电压时，确定...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东旭，梁海昌，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：