【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及光致电压(photovoltaic)的太阳能电池。更具体地,本专利技术涉及具有外延生长的量子点材料(quantum dot material)的III-V族多结(multijunction)半导体太阳能电池。
技术介绍
太阳发射出很宽的光谱,其波峰在可见光范围内并且其光子通量的60%位于约350nm至约1350nm的波长范围内。该波长范围相当于太阳在地球上总功率通量约1.3kW/m2的80%。几十年来公知的是将太阳的光功率转化成电功率的最好办法是通过利用半导体内吸收跃迁的太阳能电池。光子能量是这样利用的,即通过激发电子从半导体的价带穿过带隙进入导带。因而由此产生的光载流子(即电子和空穴)然后掠过通过掺杂半导体结构的不同区域而制造的p-n或p-i-n结(junction),并用以产生电。具有带隙Eg的半导体或半导体合金吸收碰撞的光子,与所具有的能量小于Eg的光子相比,碰撞光子的能量大于或等于Eg。相当于可以这么说能量大于Eg的波长的光子可以被吸收,然而具有较长波长的光子就不能被吸收。因为大于Eg的光子的能量经由热力过程(thermal proc ...
【技术保护点】
一种单片多结半导体光致电压的太阳能电池,其包括:多个串联设置的子电池,所述多个子电池中的至少一个子电池包含外延生长的自组装量子点材料。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:西蒙法法尔德,
申请(专利权)人:瑟雷姆技术公司,
类型:发明
国别省市:CA[加拿大]
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