受控量子点生长制造技术

本公开一般地涉及受控量子点生长技术以及量子点结构。在一些示例中，描述了一种包括以下步骤中的一项或多项的方法：提供衬底，在衬底上形成缺陷，在衬底上沉积层，以及沿缺陷形成量子点。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】受控量子点生长
技术介绍
量子点是一种激发在所有三个空间维度上均受到限制的半导体。量子点所具有的特性介于体半导体的特性和分立分子的特性之间。量子点可以用于各种应用，例如，在晶体管、太阳能电池、LED、二极管激光器中，用作医疗成像试剂，用作量子位(quabit)、以及用作存储器。量子存储器可以极高密度、极低功率工作，且用于众多应用中。然而，这种存储器的制造仍然是具有挑战性的。一种一般性的制造方式包括在衬底上沉积薄膜。附图说明根据以下说明和所附权利要求，结合附图，本公开的前述和其他特征将更加清楚。 在认识到这些附图仅仅示出了根据本公开的一些示例且因此不应被认为是限制本公开范围的前提下，通过使用附图以额外的特征和细节来详细描述本公开，附图中图1示出了根据本公开一些示例的受控量子点生长的一般性方法的示例。图2示出了根据本公开一些示例的具有线形缺陷的衬底的俯视图。图3示出了根据本公开一些示例的具有接缝缺陷和凹坑缺陷的衬底。图如示出了根据本公开一些示例的具有多个线形缺陷的衬底。图4b示出了根据本公开一些示例的具有宽沟槽缺陷、沉积线缺陷和窄沟槽缺陷的衬底的俯视图，其中缺陷形成在宽沟槽缺陷和沉积线缺陷上。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.05.04 US 12/435,2131.一种用于量子点生长的方法，包括 提供衬底；沿衬底的表面按一定图案形成缺陷区；以及在衬底的表面上沉积第一材料，使得沿衬底的表面在缺陷区中形成量子点，其中量子点的形成至少部分地基于所述图案。2.根据权利要求1所述的方法，其中衬底包括硅，以及第一材料包括锗。3.根据权利要求1所述的方法，其中在衬底上形成缺陷包括在衬底中形成沟槽。4.根据权利要求3所述的方法，其中沟槽具有第一边缘和第二边缘，以及量子点主要沿第一边缘和第二边缘形成。5.根据权利要求3所述的方法，还包括以第二材料填充沟槽。6.根据权利要求1所述的方法，其中衬底包括硅晶片，以及第二材料包括锗硅。7.根据权利要求6所述的方法，还包括在沟槽填充材料之后对衬底进行平滑处理。8.根据权利要求1所述的方法，其中在衬底上沉积材料包括使用分子束外延沉积材料。9.根据权利要求1所述的方法，其中在衬底上形成缺陷包括在衬底上沉积线。10.根据权利要求1所述的方法，还包括在沉积的材料上形成薄膜层，以及在薄膜层上沉积材料。11.根据权利要求10所述的方法，其中衬底和薄膜层由相同材料制成。12.根据权利要求10所述的方法，其中薄膜层的厚度在约0.25 μ m至约0. 5 μ m之间。13.一种量子点器件，包括衬底，具有沿衬底的表面按一定图案形成的缺陷区；以及多个量子点，主要位于缺陷区的边缘，其中量子点的位置至少部分地...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃泽齐埃尔·克鲁格里克，
申请(专利权)人：英派尔科技开发有限公司，
类型：发明
国别省市：