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本公开一般地涉及受控量子点生长技术以及量子点结构。在一些示例中，描述了一种包括以下步骤中的一项或多项的方法：提供衬底，在衬底上形成缺陷，在衬底上沉积层，以及沿缺陷形成量子点。...
该专利属于英派尔科技开发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英派尔科技开发有限公司授权不得商用。

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