太阳能电池和太阳能电池的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种抑制贯通孔的内壁面与贯通孔电极之间短路的发生的太阳能电池和太阳能电池的制造方法。包括对贯通孔的内壁面进行各向异性蚀刻的第一蚀刻工序、和对受光面进行各向异性蚀刻的第二蚀刻工序，在第一蚀刻工序中使用高浓度ＮａＯＨ液（约５重量％），在第二蚀刻工序中使用低浓度ＮａＯＨ液（约１．５重量％）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设计具备贯通孔电极的。
技术介绍
太阳能电池因为能够将清洁且取之不尽的太阳光直接转化为电， 所以作为新的能源受到期待。以往，以扩大太阳能电池的受光面积为目的，提出了将P侧电极和n侧电极双方设置在基板的背面一侧的背接触型太阳能电池(例如， 曰本特开平1-82570号公报)。这样的太阳能电池具有从基板的受光面一直贯通到背面的多个贯 通孔(through hole)。在基板的受光面一侧收集的光生载流子，通过贯 通孔内设置的贯通孔电极被引导至太阳能电池的背面一侧。为了防止 贯通孔的内壁面与贯通孔电极之间发生短路，而在贯通孔的内壁面上 形成绝缘层。因为贯通孔是由激光加工或机械加工而形成的，所以贯通孔的内 壁面会受到损伤。为了提高太阳能电池的输出特性，优选通过蚀刻处 理除去贯通孔的内壁面上的损伤。并且，以提高太阳能电池的输出特性为目的，通常在太阳能电池 的受光面上形成凹凸结构，即所谓纹理结构。 一般而言，通过蚀刻处 理形成这种纹理结构。可以考虑通过在形成贯通孔之后实施用于形成纹理结构的蚀刻处 理，同时除去贯通孔内壁面上的损伤。但是，如果在贯通孔内壁面上实施用于形成纹理结构的蚀刻处理，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，其特征在于，包括：　半导体基板，其具有第一主面和第二主面的第一导电型；　半导体区域，其设置在所述半导体基板的所述第一主面上，并具有第二导电型；　贯通孔，其设置在所述半导体基板的多处，并从所述第一主面贯通至第 二主面；　贯通孔电极，其设置在所述贯通孔，并将所述半导体区域上收集的载流子导向所述第二主面一侧；　绝缘层，其在所述贯通孔的内壁面和所述贯通孔电极之间设置，　所述贯通孔的所述内壁面的至少一部分，形成得比所述第一主面更加平坦。

【技术特征摘要】
JP 2007-11-30 2007-3115861. 一种太阳能电池，其特征在于，包括半导体基板，其具有第一主面和第二主面的第一导电型；半导体区域，其设置在所述半导体基板的所述第一主面上，并具有第二导电型；贯通孔，其设置在所述半导体基板的多处，并从所述第一主面贯通至第二主面；贯通孔电极，其设置在所述贯通孔，并将所述半导体区域上收集的载流子导向所述第二主面一侧；绝缘层，其在所述贯通孔的内壁面和所述贯通孔电极之间设置，所述贯通孔的所述内壁面的至少一部分，形成得比所述第一主面更加平坦。2. 如权利要求l所述的太阳能电池，其特征在于 所述半导体基板的所述第一主面和所述贯通孔的所述内壁面是蚀刻面。3. 如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于 所述半导体基板的所述第一主面是纹理面。4. 如权利要求l所述的太阳能电池，其特征在于 所述贯通孔的所述内壁面的至少一部分，具有比所述半导体基板的所述第一主面的算术平均粗糙度小的算术平均粗糙度。5. 如权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于-所述半导体基板的所述第一主面是纹理面， 所述贯通孔的所述内壁面是蚀刻面。6. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于: 所述半导体基板是单晶硅基板，所述第一主面具有(100)的面方位， 所述贯通孔的所述内壁面具有(110)的面方位。7. 如权利要求l所述的太阳能电池，其特征在于具有在所述半导体区域的表面上形成的、用于收集在所述半导体区域收集的载流子的集电极；所述贯通孔电极与所述集电极电连接。8. 如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于 所述贯通孔电极与所述集电极一体地形成。9. 如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于 具有在所述半导体基板的所述第二主面上形成的、与所述贯通孔电极电连接的集电极。10. 如权利要求l所述的太阳能电池，其特征在于所述半导体区域由非晶态半导体形成。11. 如权利要求l所述的太阳能电池，其特征在于 将所述第一主面设为受光面， 将...

【专利技术属性】
技术研发人员：木下敏宏，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]