适用于覆晶封装的发光二极管结构及其制造方法技术

一种发光二极管结构及其制造方法，发光二极管可使用覆晶封装结构。包含：提供一发光二极管结构，形成一导体强化层在该发光二极管结构上，并且与该发光二极管结构的ｐ极接触与ｎ极接触电性地连接；形成一凸块区域定义层在该导体强化层上，其中该凸块区域定义层之间有两个电极区域；形成两个凸块垫在该两个电极区域上，且与该导体强化层电性地连接；移除该凸块区域定义层；以及选择性移除暴露的该导体强化层，使得该两凸块垫之间电性地隔离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种发光二极管结构及其制造方法，特别是有关于一种。
技术介绍
目前的发光二极管的封装方式，主要是以打线接合(wire bonding)的方法。如图1所显示，一种发光二极管打线封装的结构示意图，其中发光二极管20位于一封装基材10上。两导线分别从发光二极管20的p极接触(p-contact)与n极接触(n-contact)连接到封装基材10的导电区12、14。导电区12、14会分别电性地连接到两个引脚(lead)，并且包含整个发光二极管20在内都会以环氧树脂16封包。然而，这样的封装方式会面临到几个问题。首先，在发光二极管的p极接触(p-contact)需要一层电流分散层来增加电流在发光二极管的分布面积，如图2所示。发光二极管20包含一底材21，一有源发光层23位于一n型导电层22与p型导电层24之间，一n极接触25与一p极接触26分别位于n型导电层22与p型导电层24上，一电流分散层27位于p型导电层24上以增加在p型导电层24上的电流分布的面积，以及一钝化层28(passivationlayer)用以保护发光二极管20。这里的电流分散层27一般会使用透明导体，例如氧化铟锡或是氧化锌锡或是氧化镍金等。但是，这类的材料虽然是导体，但是必须与发光二极管的p型导电层之间形成欧姆接触，仍然具有电阻，在电流经过的时候会使发光二极管产生热量。另外，透明导体虽然是透明的但是还是会吸收一部分的光线以及反射一部分的光线回去使得发光二极管的发光效益降低。再者，发光二极管需要一透明的钝化层作为保护，这会限缩钝化层的材料的选择。类似地，透明的钝化层仍然会有部分的吸收与反射因而降低发光二极管的发光效率。另外，在图1的封装底材10的材质，一般是不会使用导体。当发光二极管产生热量时，唯一的散热途径就是经由两条导线将热量从发光二极管传送到导体区12、14。这会产生严重的散热的问题。除上述所述封装的缺点外，在图1中，金属线的高度约为发光二极管20本身的数倍，因此环氧树脂16的厚度不可能只有接近发光二极管20的高度。在应用端的考量上，无法提供体积较小，厚度较低的产品。因此，也限缩的发光二极管的应用范围。因此，亟需要另一种封装结构以改善上述的缺失与不足。
技术实现思路
鉴于上述的专利技术背景中，传统的发光二极管封装结构所产生的诸多问题与缺点，本专利技术主要的目的在于提供一种可以使用覆晶方式封装的发光二极管的结构与制造方法。覆晶封装具有体积小，厚度薄，重量轻，发光面积大等的优点。再者，本专利技术的发光二极管结构适用于覆晶封装时可改善其良率。本专利技术的另一目的为增加发光二极管与金属的接触，除了有较佳的散热效果外，亦可提供反射效果。本专利技术的又一目的在于可节省发光面积。本专利技术的再一目的在于可不需要使用透明导电层作为电流扩散用的接触导电层。本专利技术的更一目的在于可以不需要透明的钝化层作为保护层，材料的选择可大幅增加。根据以上所述的目的，本专利技术提供了一种制造发光二极管的方法，包含在一发光二极管结构上形成一导体强化层，并且与前述发光二极管结构的p极接触与n极接触电性地连接。之后，在前述导体强化层上形成一凸块区域定义层，其中的凸块区域定义层之间有两个电极区域。然后，在前述两个电极区域上形成两个凸块垫，且与导体强化层电性地连接。接着，将前述的凸块区域定义层移除，以及将暴露的导体强化层选择性移除，使得前述的两凸块垫之间电性地隔离。本专利技术亦提供了一种制造发光二极管的方法，包含在一发光二极管结构上形成一钝化层并暴露发光二极管结构的p极接触与n极接触。之后，在前述钝化层上形成一暂时层且暴露两个凸块区域，其中的凸块区域下方分别有p极接触与n极接触。接着，在前述暂时层，p极接触，与n极接触上形成一导体强化层。然后，在前述导体强化层上形成一凸块区域定义层并且与前述暂时层重叠。之后，在前述两个凸块区域上形成两个凸块垫。接着，将前述凸块区域定义层移除，并且利用剥离法选择性移除暴露的导体强化层。本专利技术亦提供了一种适用于覆晶封装的发光二极管结构，其包含一底材，与一发光二极管结构。上述的发光二极管结构位于该底材上，其包含一位于该底材上的n型导通的半导体层以及一位于其上的p型导通的半导体层。在p型导通的半导体层与n型导通的半导体层上分别具有一p极接触与一n极接触。另外，一钝化层位于上述p型导通的半导体层与露出的n型导通的半导体层上并露出p极接触与n极接触。一导体强化层位于p极接触与n极接触上，并且分别与其电性地连接。两凸块垫位于上述导体强化层上并且分别与p极接触及n极接触电性气地连接。附图说明图1显示传统发光二极管封装结构示意图；图2显示传统的双异质结构发光二极管结构示意图；图3显示以本专利技术的方法的一实施例的流程图；图4显示以本专利技术的方法的另一实施例的流程图；图5A-图5G显示本专利技术的一实施例的各步骤结构示意图；以及图6A-图6B显示本专利技术的另一实施例的各步骤结构示意图。符号说明10 封装基材12、14 导电区16 环氧树脂20、120、220 发光二极管21、110、210 发光二极管基底22、122、222 n-型半导体层23、123、223 有源发光层 24、124、224 p-型半导体层25、125、225 n极接触26、126、226 p极接触27、127、227 电流分散层28、130、230 钝化层132、232 导体强化层134 凸块区域定义层136、236 凸块垫231 暂时层具体实施方式本专利技术的一些实施例会详细描述如下。然而，除了详细描述的实施例外，本专利技术还可以广泛地在其它的实施例中施行，且本专利技术的范围不受限定，其以申请专利范围为准。再者，为提供更清楚的描述及更易理解本专利技术，图标内各部分并没有依照其相对尺寸绘图，某些尺寸与其它相关尺度相比已经被夸张；不相关的细节部分也未完全绘出，以求图标的简洁。本专利技术主要使用覆晶封装的方式封装发光二极管，因此提供一种封装发光二极管的方法。首先，在一发光二极管结构上形成一导体强化层，并且与前述发光二极管结构的p极接触与n极接触电性地连接。上述发光二极管结构位于一透明基板上，并且具有一钝化层位于发光二极管结构上。之后，在前述导体强化层上形成一凸块区域定义层，其中的凸块区域定义层之间有两个电极区域。然后，在前述两个电极区域上形成两个凸块垫，且与导体强化层电性地连接。形成凸块垫的步骤可为电镀(plating)、喷涂(spraying)、涂布(spin coating)或是印刷(printing)，而凸块垫可为锡铅凸块、锡金凸块、锡银凸块、锡铜凸块、或是其它的焊锡膏(solder paste)、银胶(silverpaste)、或是金属铜，金，银，白金，钼，钛，镍，钯等金属。接着，将前述的凸块区域定义层移除，以及将暴露的导体强化层选择性地移除，使得前述的两凸块垫之间电性地隔离。将导体强化层移除的方式可使用蚀刻或是剥离法。剥离法的使用需要在形成导体强化层步骤之前在发光二极管结构上可形成一暂时层且与凸块区域定义层重叠。根据本专利技术的特征，以图3以及图4的流程图说明本专利技术的各阶段详细步骤。如图3所示，首先，形成发光二极管结构。然后，在发光二极管上除了p极接触与n极接触部分以外区域形成钝化层以保护发光二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装发光二极管的方法，包含：提供一发光二极管结构；形成一导体强化层在该发光二极管结构上，并且与该发光二极管结构的ｐ极接触与ｎ极接触电性地连接；形成一凸块区域定义层在该导体强化层上，其中该凸块区域定义层之间有两个电 极区域；形成两个凸块垫在该两个电极区域上，且与该导体强化层电性地连接；移除该凸块区域定义层；以及选择性移除暴露的该导体强化层，使得该两凸块垫之间电性地隔离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴伯仁，吴美慧，陈建安，张源孝，
申请(专利权)人：洲磊科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]