栅介质层的厚度的监控方法技术

本发明专利技术提供了一种栅介质层的厚度的监控方法，提供至少五片晶圆；顺次在所述晶圆上形成氮氧化硅栅介质层，并将所述晶圆顺次移入一晶圆传送装置；移出所述晶圆传送装置，以最先移入所述晶圆传送装置的二至四片晶圆作为测试晶圆，获取所述测试晶圆的氮氧化硅栅介质层的厚度，其中，所述测试晶圆的测试等待时间大于或等于100分钟。本发明专利技术中，通过以最先移入晶圆传送装置的二至四片晶圆作为测试晶圆，并且该测试晶圆的测试等待时间大于或等于100分钟，使得测试晶圆上的氮氧化硅栅介质层的厚度均处于缓慢增长的阶段，减少测试晶圆上的氮氧化硅栅介质层的厚度受外界的影响，从而提高测量栅介质层的厚度的稳定性及准确性。量栅介质层的厚度的稳定性及准确性。量栅介质层的厚度的稳定性及准确性。

【技术实现步骤摘要】
栅介质层的厚度的监控方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种栅介质层的厚度的监控方法。

技术介绍

[0002]在130/90纳米至28/22纳米技术节点，为抑制或避免短沟道效应（Short Channel Effect，SCE），业内通常采用氮氧化硅栅介质层代替传统的氧化硅栅介质层。其中，氮氧化硅栅介质层的厚度对半导体器件至关重要，将直接决定晶体管的阈值电压、有效迁移率和器件的可靠性，进而影响半导体器件的良率。因此有必要对栅介质层的厚度进行监控，确保栅介质层厚度的稳定性。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种栅介质层的厚度的监控方法，提高测量栅介质层的厚度的稳定性及准确性。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种栅介质层的厚度的监控方法，包括：提供至少五片晶圆；顺次在所述晶圆上形成氮氧化硅栅介质层，并将所述晶圆顺次移入一晶圆传送装置；移出所述晶圆传送装置，以最先移入所述晶圆传送装置的二至四片晶圆作为测试晶圆，获取所述测试晶圆的氮氧化硅栅介质层的厚度，其中，所述测试晶圆的测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种栅介质层的厚度的监控方法，其特征在于，包括：提供至少五片晶圆；顺次在所述晶圆上形成氮氧化硅栅介质层，并将所述晶圆顺次移入一晶圆传送装置；移出所述晶圆传送装置，以最先移入所述晶圆传送装置的二至四片晶圆作为测试晶圆，获取所述测试晶圆的氮氧化硅栅介质层的厚度，其中，所述测试晶圆的测试等待时间大于或等于100分钟。2.根据权利要求1所述的栅介质层的厚度的监控方法，其特征在于，顺次在所述至少五片晶圆上形成氮氧化硅栅介质层的步骤为：在所述晶圆上形成氧化硅栅介质层；对所述氧化硅栅介质层进行氮注入，以形成氮氧化硅栅介质层；对所述氮氧化硅栅介质层进行退火处理。3.根据权利要求2所述的栅介质层的厚度的监控方法，其特征在于，利用去耦等离子体氮化工艺对所述氧化硅栅介质层进行氮注入。4.根据权利要求1所述的栅介质层的厚度的监控方法，其特征在于，利用椭偏仪获取所述测试晶圆的氮氧化硅栅介质层的厚度。5.根据权利要求1所述的栅介质层的厚度的监控方法，其特征在于，所述晶圆传送装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：王胜林，张志敏，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：